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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
2N7002E-T1-E3 Vishay Siliconix 2N7002E-T1-E3 0.6400
RFQ
 ECAD 1582 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 240MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 250 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 21 pf @ 5 V - 350MW (TA)
SI5441DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5441DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano SI5441 Mosfet (Óxido de metal) 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3.9a (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.9a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 22 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.3W (TA)
SI6968BEDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Si6968bedq-t1-ge3 0.7800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6968 Mosfet (Óxido de metal) 1W 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 5.2a 22mohm @ 6.5a, 4.5V 1.6V @ 250 µA 18NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7328DN-T1-E3 0.9923
RFQ
 ECAD 8663 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7328 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 35A (TC) 4.5V, 10V 6.6mohm @ 18.9a, 10v 1.5V @ 250 µA 31.5 NC @ 4.5 V ± 12V 2610 pf @ 15 V - 3.78W (TA), 52W (TC)
SI1972DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1972DH-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5253 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1972 Mosfet (Óxido de metal) 1.25W SC-70-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 1.3a 225mohm @ 1.3a, 10v 2.8V @ 250 µA 2.8nc @ 10V 75pf @ 15V -
SI4888DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si488888dy-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4888 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11a (TA) 4.5V, 10V 7mohm @ 16a, 10v 1.6V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V - 1.6w (TA)
SI2369DS-T1-GE3 Vishay Siliconix SI2369DS-T1-GE3 0.4200
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2369 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 7.6a (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 5.4a, 10V 2.5V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 1295 pf @ 15 V - 1.25W (TA), 2.5W (TC)
SQ9945AEY-T1-E3 Vishay Siliconix Sq9945aey-t1-e3 -
RFQ
 ECAD 1369 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) SQ9945 Mosfet (Óxido de metal) 2.4w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 3.7a 80mohm @ 3.7a, 10v 3V @ 250 µA 20NC @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SI7911DN-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 5080 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 dual SI7911 Mosfet (Óxido de metal) 1.3w Powerpak® 1212-8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 4.2a 51mohm @ 5.7a, 4.5V 1V @ 250 µA 15NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
SI4925BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4925bdy-t1-ge3 1.7000
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4925 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 30V 5.3a 25mohm @ 7.1a, 10v 3V @ 250 µA 50nc @ 10V - Puerta de Nivel Lógico
SI7413DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7413DN-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1497 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Si7413 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 8.4a (TA) 1.8V, 4.5V 15mohm @ 13.2a, 4.5V 1V @ 400 µA 51 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.5W (TA)
SI4346DY-T1-E3 Vishay Siliconix Si4346dy-t1-e3 -
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4346 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 5.9a (TA) 2.5V, 10V 23mohm @ 8a, 10v 2V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 12V - 1.31W (TA)
SQD40P10-40L_GE3 Vishay Siliconix SQD40P10-40L_GE3 2.7600
RFQ
 ECAD 2748 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd40 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 100 V 38a (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 8.2a, 10v 2.5V @ 250 µA 144 NC @ 10 V ± 20V 5540 pf @ 15 V - 136W (TC)
SI4390DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4390DY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 2263 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4390 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12.5a, 10V 2.8V @ 250 µA 15 NC @ 4.5 V ± 20V - 1.4W (TA)
SI7216DN-T1-E3 Vishay Siliconix SI7216DN-T1-E3 1.6600
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 dual Si7216 Mosfet (Óxido de metal) 20.8w Powerpak® 1212-8 dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 6A 32mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 19NC @ 10V 670pf @ 20V -
IRFBC40LCSTRL Vishay Siliconix IRFBC40LCSTRL -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 25 V - 125W (TC)
SI1905BDH-T1-E3 Vishay Siliconix SI1905BDH-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 Si1905 Mosfet (Óxido de metal) 357MW SC-70-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 8V 630mA 542mohm @ 580mA, 4.5V 1V @ 250 µA 1.5nc @ 4.5V 62pf @ 4V Puerta de Nivel Lógico
IRLR024TRR Vishay Siliconix IRLR024TRR -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IRLR024 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 14a (TC) 4V, 5V 100mohm @ 8.4a, 5V 2V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 10V 870 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SI5401DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5401DC-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 3490 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5401 Mosfet (Óxido de metal) 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 5.2a (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 5.2a, 4.5V 1V @ 250 µA 25 NC @ 4.5 V ± 8V - 1.3W (TA)
V30419-T1-GE3 Vishay Siliconix V30419-T1-GE3 -
RFQ
 ECAD 4403 0.00000000 Vishay Siliconix * Tape & Reel (TR) Obsoleto V30419 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 3.000
SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4116dy-t1-ge3 1.2500
RFQ
 ECAD 2837 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4116 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 18a (TC) 2.5V, 10V 8.6mohm @ 10a, 10v 1.4V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 12V 1925 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 5W (TC)
IRFZ14STRLPBF Vishay Siliconix Irfz14strlpbf 0.9500
RFQ
 ECAD 9473 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFZ14 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 10a (TC) 10V 200mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 300 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 43W (TC)
SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3 1.5000
RFQ
 ECAD 4820 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4090 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 19.7a (TC) 6V, 10V 10mohm @ 15a, 10v 3.3V @ 250 µA 69 NC @ 10 V ± 20V 2410 pf @ 50 V - 3.5W (TA), 7.8W (TC)
SI4914BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4914BDY-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6821 0.00000000 Vishay Siliconix Little Foot® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4914 Mosfet (Óxido de metal) 2.7W, 3.1W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canales N (Medio Puente) 30V 8.4a, 8a 21mohm @ 8a, 10v 2.7V @ 250 µA 10.5nc @ 4.5V - -
SI5509DC-T1-E3 Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3 -
RFQ
 ECAD 6333 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5509 Mosfet (Óxido de metal) 4.5w 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Vecino del canal 20V 6.1a, 4.8a 52mohm @ 5a, 4.5V 2V @ 250 µA 6.6nc @ 5V 455pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SQJ208EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ208EP-T1_GE3 1.4800
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual Sqj208 Mosfet (Óxido de metal) 27W (TC), 48W (TC) Powerpak® SO-8 dual asimétrico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 20A (TC), 60A (TC) 9.4mohm @ 6a, 10v, 3.9mohm @ 10a, 10v 2.3V @ 250 µA, 2.4V @ 250 µA 33nc @ 10V, 75nc @ 10V 1700pf @ 25V, 3900pf @ 25V -
SUM110N06-3M4L-E3 Vishay Siliconix SUM110N06-3M4L-E3 -
RFQ
 ECAD 9202 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sum110 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 60 V 110A (TC) 4.5V, 10V 3.4mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 20V 12900 pf @ 25 V - 3.75W (TA), 375W (TC)
SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix SQJ418EP-T1_GE3 1.1800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqj418 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 48a (TC) 10V 14mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 1700 pf @ 25 V - 68W (TC)
IRFBC40ASTRR Vishay Siliconix Irfbc40astrr -
RFQ
 ECAD 7947 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRFBC40 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 6.2a (TC) 10V 1.2ohm @ 3.7a, 10v 4V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1036 pf @ 25 V - 125W (TC)
IRF530L Vishay Siliconix Irf530l -
RFQ
 ECAD 2765 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRF530 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *Irf530l EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 14a (TC) 10V 160mohm @ 8.4a, 10v 4V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 670 pf @ 25 V - -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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