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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Irfi9630g | - |  | 2507 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9630g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 4.3a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||
 | SQM200N04-1M7L_GE3 | 3.3700 | | 3819 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Sqm200 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 291 NC @ 10 V | ± 20V | 11168 pf @ 20 V | - | 375W (TC) | ||||||||
 | SI2399DS-T1-GE3 | 0.5100 | | 4257 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2399 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 10V | 34mohm @ 5.1a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 20 NC @ 4.5 V | ± 12V | 835 pf @ 10 V | - | 2.5W (TC) | |||||||
 | SI5440DC-T1-GE3 | - | | 4577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5440 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6a (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 9.1a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA), 6.3W (TC) | |||||||
 | SIS9446DN-T1-GE3 | 1.2800 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6W (TA), 23W (TC) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal | 40V | 11.3a (TA), 34A (TC) | 1.2mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 16NC @ 10V | 720pf @ 20V | Estándar | |||||||||||
 | SiHFR9310-GE3 | 0.3091 | | 3932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR9310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR9310-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
 | SIS407DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 60 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS407 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 9.5mohm @ 15.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 93.8 NC @ 8 V | ± 8V | 2760 pf @ 10 V | - | 3.6W (TA), 33W (TC) | ||||||||
 | Si4134dy-t1-ge3 | 0.7900 | | 3775 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4134 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 14a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 846 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | ||||||||
| SI7802DN-T1-E3 | - | | 3425 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7802 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 1.24a (TA) | 6V, 10V | 435mohm @ 1.95a, 10V | 3.6V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||||
 | Irf624strr | - | | 3611 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF624 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | SQS460ENW-T1_GE3 | 0.8900 | | 5409 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Sqs460 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 36mohm @ 5.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 755 pf @ 25 V | - | 39W (TC) | ||||||||
 | SISS04DN-T1-GE3 | 1.5400 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | Siss04 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 50.5A (TA), 80A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 93 NC @ 10 V | +16V, -12V | 4460 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||||
 | SIB457EDK-T1-GE3 | 0.5500 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB457 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 9A (TC) | 4.5V | 35mohm @ 4.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 44 NC @ 8 V | ± 8V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | |||||||||
 | Sir826ldp-T1-RE3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir826 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR826LDP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 21.3a (TA), 86a (TC) | 10V | 5mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 91 NC @ 10 V | ± 20V | 3840 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 83W (TC) | |||||||
| 2N4339-E3 | - | | 8037 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4339 | 300 MW | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 7pf @ 15V | 50 V | 500 µA @ 15 V | 600 MV @ 100 na | |||||||||||||
 | SQM40020E_GE3 | 2.4400 | | 5592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40020 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 10V | 2.33mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||||
| IRFPS38N60L | - | | 1105 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | IRFPS38 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 38a (TC) | 10V | 150mohm @ 23a, 10v | 5V @ 250 µA | 320 NC @ 10 V | ± 30V | 7990 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | |||||||
| SUD35N05-26L-E3 | - | | 6918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud35 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 20a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 885 pf @ 25 V | - | 7.5W (TA), 50W (TC) | |||||||
 | IRFR420PBF-BE3 | 0.7513 | | 1006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 742-IRFR420PBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||
| SI9933BDY-T1-E3 | - | | 3154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SIA444DJT-T1-GE3 | - | | 6755 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA444 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 7.4a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 560 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SI1902DL-T1-E3 | 0.5300 | | 8479 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1902 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 660ma | 385mohm @ 660 mm, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Sir516dp-T1-RE3 | 1.8200 | | 7193 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16.8a (TA), 63.7a (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1920 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 71.4W (TC) | |||||||||
 | SIHP14N50D-GE3 | 1.4464 | | 6015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 14a (TC) | 10V | 400mohm @ 7a, 10v | 5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 30V | 1144 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | ||||||||
| SQ2351CES-T1_GE3 | - | | 3292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Cumplante | 742-SQ2351CES-T1_GE3TR | 1 | Canal P | 20 V | 3.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||||||||
| IRF614Strpbf | 1.0272 | | 6477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF614 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | ||||||||
| SIHP186N60EF-GE3 | 1.8610 | | 8796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP186 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 18a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||||
| SI2306BDS-T1-GE3 | 0.6000 | | 6988 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2306 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.16a (TA) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 5 V | ± 20V | 305 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | |||||||
 | SI3483CDV-T1-E3 | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3483 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 8a (TC) | 10V | 34mohm @ 6.1a, 10V | 3V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||||||
| U430-E3 | - | | 1784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-78-6 METAL CAN | U430 | 500 MW | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 Canal N (Dual) | 5PF @ 10V | 25 V | 12 Ma @ 10 V | 1 v @ 1 na |
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