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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sq2364ees-t1_ge3 | 0.6700 |  | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2364 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2a (TC) | 1.5V, 4.5V | 240mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 330 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||
 | SI7945DP-T1-E3 | - | | 6605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7945 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7A | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 74nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Sisa10bdn-t1-ge3 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 26a (TA), 104a (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 36.2 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1710 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 63W (TC) | ||||||
 | IRF9530SPBF | 2.4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SUP90N03-03-E3 | - | | 8019 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP90 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 30 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 2.9mohm @ 28.8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 257 NC @ 10 V | ± 20V | 12065 pf @ 15 V | - | 3.75W (TA), 250W (TC) | ||||
 | SiHK105N60E-T1-GE3 | 5.6900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHK105N60E-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2301 pf @ 100 V | - | 142W (TC) | |||||
 | SiHD6N80AE-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 800 V | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 22.5 NC @ 10 V | ± 30V | 422 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | SQM70060EL_GE3 | 2.6800 | | 61 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM70060 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 5.9mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 5500 pf @ 25 V | - | 166W (TC) | |||||
 | Si4401dy-t1-ge3 | - | | 8411 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4401 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 8.7a (TA) | 4.5V, 10V | 15.5mohm @ 10.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 50 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
| IRFB9N30A | - | | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb9n30a | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 9.3a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 920 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | |||
 | 2N6660-E3 | - | | 7399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
| IRF634Strpbf | 2.1700 | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF634 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SQJ148EP-T1_GE3 | 0.6900 | | 8962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj148 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 33mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | Irfz24strlpbf | 1.4700 | | 5006 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | SIA426DJ-T1-GE3 | - | | 1651 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA426 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 23.6mohm @ 9.9a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 12V | 1020 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SQJ844AEP-T1_GE3 | 1.2100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ844 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16.6mohm @ 7.6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1161pf @ 15V | - | |||||||
| SI233333CDS-T1-E3 | 0.6200 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2333 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7.1a (TC) | 1.8V, 4.5V | 35mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 25 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1225 pf @ 6 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||
 | SIRA64DP-T1-GE3 | 0.3715 | | 2544 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIRA64 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3420 pf @ 15 V | - | 27.8W (TC) | |||||
| SUM70N04-07L-E3 | - | | 7229 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum70 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 100W (TC) | ||||
 | SI1903DL-T1-GE3 | - | | 5939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1903 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 410 Ma | 995mohm @ 410MA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.8nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SIA441DJ-T1-GE3 | 0.6900 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA441 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 4.4a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 890 pf @ 20 V | - | 19W (TC) | |||||
| SiHG64N65E-GE3 | 13.3400 | | 4732 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg64 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 64a (TC) | 10V | 47mohm @ 32a, 10v | 4V @ 250 µA | 369 NC @ 10 V | ± 30V | 7497 pf @ 100 V | - | 520W (TC) | ||||||
| Irfz24pbf | 1.6400 | | 662 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfz24pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
 | IRFR014 | - | | 6674 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR014 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||
 | SIS990DN-T1-GE3 | 0.9200 | | 7977 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SIS990 | Mosfet (Óxido de metal) | 25W | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 12.1a | 85mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 8NC @ 10V | 250pf @ 50V | - | |||||||
| SUM90N06-5M5P-E3 | - | | 6559 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 90A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 30 V | - | 3.75W (TA), 272W (TC) | ||||
| Si4324dy-t1-e3 | - | | 5464 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4324 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 36A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 85 NC @ 10 V | ± 20V | 3510 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
 | SiHK185N60E-T1-GE3 | 4.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | SiHK185 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 185mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
| IRFR9220 | - | | 7120 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9220 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFR9220 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 200 V | 3.6a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||
| IRFZ24 | - | | 4331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFZ24 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 60W (TC) |
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