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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1467DH-T1-BE3 | 0.6700 |  | 9484 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1467 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si1467DH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3A (TA), 2.7A (TC) | 90mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | |||||
 | SQ2362ES-T1_BE3 | 0.6700 | | 6746 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2362 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.3a (TC) | 4.5V, 10V | 68mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 3W (TC) | ||||||
 | SI3129DV-T1-GE3 | 0.6800 | | 9953 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SI3129DV-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 3.8a (TA), 5.4a (TC) | 4.5V, 10V | 82.7mohm @ 3.8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 805 pf @ 40 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
 | Sir870Adp-T1-RE3 | 2.2600 | | 3982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir870 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 2866 pf @ 50 V | - | 104W (TC) | ||||||
 | SiHD14N60E-BE3 | 2.3000 | | 9863 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD14 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHD14N60E-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||
 | Sir572DP-T1-RE3 | 2.0200 | | 6390 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen V | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR572DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 14.8a (TA), 59.7a (TC) | 7.5V, 10V | 10.8mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2733 pf @ 75 V | - | 5.7W (TA), 92.5W (TC) | |||||
 | SiHK085N60EF-T1GE3 | 7.1500 | | 5761 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Sihk085 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHK085N60EF-T1GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 10V | 85mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | ||||
 | SI2377EDS-T1-BE3 | 0.5200 | | 8759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI2377EDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.7a (TA), 4.4a (TC) | 1.5V, 4.5V | 61mohm @ 3.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 8 V | ± 8V | - | 1.25W (TA), 1.8W (TC) | |||||||
 | SIDR220DP-T1-RE3 | 2.7700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sidr220dp-t1-re3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 87.7a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | +16V, -12V | 10850 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||
| SQ2310ES-T1_BE3 | 0.9000 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2310 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sq2310es-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 1.5V, 4.5V | 30mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 485 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||
 | Sum10250e-ge3 | 2.8900 | | 5321 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum10250 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 63.5a (TC) | 7.5V, 10V | 31mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 20V | 3002 pf @ 125 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SIRA60DP-T1-GE3 | 1.4800 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIRA60 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 0.94mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 7650 pf @ 15 V | - | 57W (TC) | |||||
 | SI4487DY-T1-GE3 | - | | 6315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4487 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 11.6a (TC) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 25V | 1075 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI7228DN-T1-GE3 | - | | 7066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7228 | Mosfet (Óxido de metal) | 23W | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 26A | 20mohm @ 8.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 13NC @ 10V | 480pf @ 15V | - | |||||||
 | SI8902AEDB-T2-E1 | 0.3005 | | 4477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-UFBGA | Si8902 | Mosfet (Óxido de metal) | 5.7w | 6-Micro Foot ™ (1.5x1) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 24 V | 11A | 28mohm @ 1a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | - | - | - | |||||||
 | SI6925ADQ-T1-E3 | - | | 1125 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6925 | Mosfet (Óxido de metal) | 800MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 3.3a | 45mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.8V @ 250 µA | 6NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI6928DQ-T1-E3 | - | | 6592 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6928 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4A | 35mohm @ 4a, 10v | 1V @ 250 µA | 14nc @ 5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | | 5246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | SI7270DP-T1-GE3 | - | | 2475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7270 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SIA436DJ-T4-GE3 | 0.2467 | | 2153 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA436 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sia436dj-t4-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 9.4mohm @ 15.7a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 25.2 NC @ 5 V | ± 5V | 1508 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | ||||
 | Irfi620g | - | | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi620 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi620g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 4.1a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 30W (TC) | |||
| SI1967DH-T1-BE3 | 0.4100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1967 | Mosfet (Óxido de metal) | 740MW (TA), 1.25W (TC) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-SI1967DH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 1A (TA), 1.3A (TC) | 490mohm @ 910 mm, 4.5V | 1V @ 250 µA | 4NC @ 10V | 110pf @ 10V | - | ||||||
| IRF610StrlPBF | 1.7300 | | 677 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 36W (TC) | |||||
 | IRFR120TRLPBF-BE3 | 1.5900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR120TRLPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||
 | SIA914DJ-T1-E3 | - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA914 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4.5a | 53mohm @ 3.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11.5nc @ 8V | 400pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI7456CDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 3200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 27.5a (TC) | 4.5V, 10V | 23.5mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 730 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 35.7W (TC) | |||||
| IRF9Z34StrrPBF | 2.8100 | | 408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| Sir416dp-t1-ge3 | 1.3500 | | 5177 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir416 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3350 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SI5980DU-T1-GE3 | - | | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5980 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 2.5a | 567mohm @ 400 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 3.3nc @ 10V | 78pf @ 50V | - | |||||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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