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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIS454DN-T1-GE3 | 1.0000 |  | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS454 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 1900 pf @ 10 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | Si6968bedq-t1-e3 | 1.3900 | | 292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6968 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 5.2a | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI3429EDV-T1-GE3 | 0.4700 | | 2398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3429 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8a (TA), 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 118 NC @ 10 V | ± 8V | 4085 pf @ 50 V | - | 4.2W (TC) | |||||
| SI3407DV-T1-E3 | - | | 7620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3407 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8a (TC) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 7.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 12V | 1670 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | ||||
 | SUD35N10-26P-E3 | 2.1700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud35 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 35A (TC) | 7V, 10V | 26mohm @ 12a, 10v | 4.4V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 12 V | - | 8.3W (TA), 83W (TC) | |||||
| SIS424DN-T1-GE3 | - | | 4209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS424 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6.4mohm @ 19.6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 10 V | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||
 | SIHF35N60EF-GE3 | 3.3325 | | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF35 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 32A (TC) | 10V | 97mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 134 NC @ 10 V | ± 30V | 2568 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
 | Irfbg30pbf | 2.5600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBG30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbg30pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1000 V | 3.1a (TC) | 10V | 5ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 980 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | Irfbc20strlpbf | 2.9100 | | 358 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
| SI3588DV-T1-E3 | - | | 3768 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3588 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW, 83MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2.5a, 570 mA | 80mohm @ 3a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SiHD3N50D-E3 | 0.3563 | | 9541 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 3A (TC) | 10V | 3.2ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 175 pf @ 100 V | - | 69W (TC) | |||||
 | SI5975DC-T1-GE3 | - | | 1962 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5975 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 3.1A | 86mohm @ 3.1a, 4.5V | 450MV @ 1MA (min) | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI7447AdP-T1-GE3 | - | | 5723 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7447 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 35A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 24a, 10v | 3V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 25V | 4650 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83.3W (TC) | ||||
| IRF840StrpBF | 2.8500 | | 415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF840 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 8a (TC) | 10V | 850mohm @ 4.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SI7852AdP-T1-GE3 | 2.2500 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7852 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30A (TC) | 8V, 10V | 17mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1825 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | SI7956DP-T1-E3 | 3.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7956 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 150V | 2.6a | 105mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 26nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SI1405DL-T1-GE3 | - | | 9382 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1405 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 125mohm @ 1.8a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 568MW (TA) | |||||
 | SQJ423EP-T1_GE3 | 1.1200 | | 7995 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 55A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | Siz918dt-t1-ge3 | 1.7200 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz918 | Mosfet (Óxido de metal) | 29W, 100W | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16a, 28a | 12mohm @ 13.8a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SIHG180N60E-GE3 | 3.7500 | | 329 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg180 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
| SI3127DV-T1-GE3 | 0.4800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3127 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 3.5a (TA), 13a (TC) | 4.5V, 10V | 89mohm @ 1.5a, 4.5V | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 833 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 4.2W (TC) | |||||
 | SQM40022E_GE3 | 1.7500 | | 6591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40022 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 150A (TC) | 10V | 1.63mohm @ 35a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
| SI7174DP-T1-GE3 | 3.1700 | | 710 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7174 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 60A (TC) | 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 2770 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | SIE874DF-T1-GE3 | 2.4600 | | 413 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE874 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.17mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 145 NC @ 10 V | ± 20V | 6200 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRF540 | - | | 9448 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 28a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 72 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
| SI7156DP-T1-E3 | - | | 2224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7156 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 20 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
| IRF9610Strr | - | | 7926 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
| SI3495DV-T1-GE3 | - | | 7465 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3495 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.3a (TA) | 1.5V, 4.5V | 24mohm @ 7a, 4.5V | 750MV @ 250 µA | 38 NC @ 4.5 V | ± 5V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRFR310TRPBF | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR310 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 400 V | 1.7a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | IRLU120PBF | - | | 8753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRLU120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLU120PBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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