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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SISS5112DN-T1-GE3 | 1.5600 |  | 5441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS5112 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 11a (TA), 40.7a (TC) | 7.5V, 10V | 14.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SIDR390DP-T1-GE3 | 2.4900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR390 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 69.9a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 0.8mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 153 NC @ 10 V | +20V, -16V | 10180 pf @ 15 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
 | Irf710l | - | | 2427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf710l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | - | |||
 | Sir330DP-T1-GE3 | - | | 8799 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir330 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.6mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | ||||
 | SI6924AEDQ-T1-GE3 | - | | 9759 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6924 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 28 V | 4.1a | 33mohm @ 4.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 10NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Irfbc40as | - | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbc40as | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||
 | Irfd320pbf | 1.8600 | | 469 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd320 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd320pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 400 V | 490MA (TA) | 10V | 1.8ohm @ 210 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||
 | SI3433CDV-T1-E3 | 0.5100 | | 7915 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3433 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TC) | 1.8V, 4.5V | 38mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1300 pf @ 10 V | - | 3.3W (TC) | |||||
| SI7886AdP-T1-E3 | - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7886 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25A, 10V | 1.5V @ 250 µA | 60 NC @ 4.5 V | ± 12V | 6450 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||
 | Sud40151el-ge3 | 1.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40151 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 40 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 17.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 112 NC @ 10 V | ± 20V | 5340 pf @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||
 | SQS966ENW-T1_GE3 | 0.9800 | | 8853 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8W Dual | Sqs966 | Mosfet (Óxido de metal) | 27.8W (TC) | Powerpak® 1212-8W Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6a (TC) | 36mohm @ 1.25a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 8.8nc @ 10V | 572pf @ 25V | - | |||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | 0.7600 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3410 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 1005 pf @ 15 V | - | 5W (TC) | |||||
| SISS63DN-T1-GE3 | 1.0000 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS63 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 35.1a (TA), 127.5a (TC) | 2.5V, 10V | 2.7mohm @ 15a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 236 NC @ 8 V | ± 12V | 7080 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 65.8W (TC) | |||||
 | IRF9Z14PBF | 1.2900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9Z14 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9z14pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||
| SIRA28BDP-T1-GE3 | 0.5700 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira28 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TA), 38a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | +20V, -16V | 582 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 17W (TC) | |||||
 | Sq2364ees-t1_be3 | 0.6700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2a (TC) | 1.5V, 4.5V | 240mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 2.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 330 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | |||||||
 | SQJ409EP-T1_BE3 | 1.4900 | | 1565 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj409ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 260 NC @ 10 V | ± 20V | 11000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| SI3473DV-T1-E3 | - | | 1770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3473 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.9a (TA) | 1.8V, 4.5V | 23mohm @ 7.9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Sirb40dp-t1-ge3 | 1.4000 | | 2477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sirb40 | Mosfet (Óxido de metal) | 46.2w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 40A (TC) | 3.25mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 45nc @ 4.5V | 4290pf @ 20V | - | |||||||
 | SIE836DF-T1-E3 | - | | 8315 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (sh) | SIE836 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (sh) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 18.3a (TC) | 10V | 130mohm @ 4.1a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 30V | 1200 pf @ 100 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | ||||
| Irfbe30spbf | 3.2000 | | 6859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Irfbe30 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfbe30spbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 2.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI4808DY-T1-GE3 | - | | 4666 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4808 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 5.7a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 800mv @ 250 µA (min) | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SIA911DJ-T1-GE3 | - | | 5903 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA911 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a | 94mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12.8nc @ 8V | 355pf @ 10V | - | ||||||
 | SiJH800E-T1-GE3 | 4.8400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 29a (TA), 299A (TC) | 7.5V, 10V | 1.55mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 10230 pf @ 40 V | - | 3.3W (TA), 333W (TC) | ||||||
| Si4226dy-t1-ge3 | - | | 4490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4226 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 19.5mohm @ 7a, 4.5V | 2V @ 250 µA | 36nc @ 10V | 1255pf @ 15V | - | ||||||
 | SIB412DK-T1-GE3 | - | | 1362 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB412 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 34mohm @ 6.6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 10.16 NC @ 5 V | ± 8V | 535 pf @ 10 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||
 | TN2404K-T1-GE3 | 0.9100 | | 6237 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2404 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 240 V | 200MA (TA) | 2.5V, 10V | 4ohm @ 300mA, 10V | 2V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 360MW (TA) | |||||
| SI7170DP-T1-GE3 | - | | 6699 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7170 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4355 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SIHB120N60E-T1-GE3 | 5.2400 | | 760 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 120MOHM @ 12A, 10V | 5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 30V | 1562 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||||
 | SI1054X-T1-GE3 | - | | 6435 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1054 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 1.32a (TA) | 1.8V, 4.5V | 95mohm @ 1.32a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 8.57 NC @ 5 V | ± 8V | 480 pf @ 6 V | - | 236MW (TA) |
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