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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI7431DP-T1-GE3 | 4.0900 |  | 1015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7431 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 200 V | 2.2a (TA) | 6V, 10V | 174mohm @ 3.8a, 10v | 4V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | Irf640strlpbf | 2.2000 | | 626 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF640 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 18a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 130W (TC) | |||||
 | SIHP16N50C-E3 | 5.8400 | | 963 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP16 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 16a (TC) | 10V | 380mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 30V | 1900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
 | Sir512DP-T1-RE3 | 2.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR512DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 25.1a (TA), 100A (TC) | 7.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 50 V | - | 6W (TA), 96.2W (TC) | |||||
 | SI4101DY-T1-GE3 | 0.9100 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4101 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 25.7a (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 203 NC @ 10 V | ± 20V | 8190 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | |||||
 | SIA817EDJ-T1-GE3 | 0.5100 | | 6957 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA817 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.5A (TC) | 2.5V, 10V | 65mohm @ 3a, 10v | 1.3V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 12V | 600 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | |||||
 | SI2306BDS-T1-BE3 | 0.5500 | | 4754 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si2306bds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 3.16a (TA) | 4.5V, 10V | 47mohm @ 3.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 4.5 NC @ 5 V | ± 20V | 305 pf @ 15 V | - | 750MW (TA) | ||||||
 | IRC830PBF | - | | 2530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc830pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 610 pf @ 25 V | Detección real | 74W (TC) | |||
 | SI1033X-T1-GE3 | - | | 9858 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1033 | Mosfet (Óxido de metal) | 250MW | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 145mA | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI5913DC-T1-E3 | - | | 1184 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4A (TC) | 2.5V, 10V | 84mohm @ 3.7a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.7W (TA), 3.1W (TC) | ||||
 | SUP85N03-3M6P-GE3 | - | | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 3535 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 78.1W (TC) | |||||
 | SQW44N65EF-GE3 | 7.6600 | | 509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101, E | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQW44N65EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 266 NC @ 10 V | ± 30V | 5858 pf @ 100 V | - | 500W (TC) | |||||
| SUP70040E-GE3 | 3.0600 | | 490 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP70040 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 7.5V, 10V | 4mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SIHB22N65E-T1-GE3 | 4.8100 | | 797 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHB22N65E-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||||
 | SIA461DJ-T1-GE3 | 0.4100 | | 9838 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 45 NC @ 8 V | ± 8V | 1300 pf @ 10 V | - | 3.4W (TA), 17.9W (TC) | |||||
 | IRFR420ATRPBF | 1.5500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 3.3a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | |||||
| SI4840BDY-T1-E3 | 1.6600 | | 69 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4840 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 19a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 2.5W (TA), 6W (TC) | |||||
 | SI7620DN-T1-GE3 | - | | 9098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7620 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 13a (TC) | 10V | 126mohm @ 3.6a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 5.2W (TC) | ||||
 | SI7913DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A | 37mohm @ 7.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 37.1a (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 9.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SI7456CDP-T1-GE3 | 1.6700 | | 3200 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7456 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 27.5a (TC) | 4.5V, 10V | 23.5mohm @ 10a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 730 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 35.7W (TC) | |||||
 | SUD70090E-GE3 | 1.5800 | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud70090 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 7.5V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | |||||
| SIHB22N65E-GE3 | 2.5431 | | 5246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB22 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 2415 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||
 | SI7270DP-T1-GE3 | - | | 2475 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7270 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 21mohm @ 8a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 900pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
| SIA914DJ-T1-E3 | - | | 5141 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA914 | Mosfet (Óxido de metal) | 6.5w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4.5a | 53mohm @ 3.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 11.5nc @ 8V | 400pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| IRF9Z34StrrPBF | 2.8100 | | 408 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 18a (TC) | 10V | 140mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
| Sir416dp-t1-ge3 | 1.3500 | | 5177 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir416 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3350 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SI5980DU-T1-GE3 | - | | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ dual | Si5980 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® chipfet dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 100V | 2.5a | 567mohm @ 400 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 3.3nc @ 10V | 78pf @ 50V | - | |||||||
| SI7317DN-T1-GE3 | 1.1700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7317 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 2.8a (TC) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 9.8 NC @ 10 V | ± 30V | 365 pf @ 75 V | - | 3.2W (TA), 19.8W (TC) | |||||
| IRFR120TRPBF-BE3 | 1.5800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 10V | 270mohm @ 4.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) |
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