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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
IRF520SPBF	1.3600	RFQ	750	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF520	Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	100 V	9.2a (TC)	10V	270mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	16 NC @ 10 V	± 20V	360 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 60W (TC)
SI8407DB-T2-E1	-	RFQ	5162	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Micro Foot®CSP	Si8407	Mosfet (Óxido de metal)		6-Micro Foot ™ (2.4x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	5.8a (TA)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 1a, 4.5V	900mv @ 350 µA	50 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.47W (TA)
SI3445Adv-T1-GE3	-	RFQ	8634	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6	Si3445	Mosfet (Óxido de metal)		6-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	8 V	4.4a (TA)	1.8V, 4.5V	42mohm @ 5.8a, 4.5V	1V @ 250 µA	19 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.1W (TA)
Irfibc40g	-	RFQ	4175	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	IRFIBC40	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)		*Irfibc40g	EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal	600 V	3.5A (TC)	10V	1.2ohm @ 2.1a, 10v	4V @ 250 µA	60 NC @ 10 V	± 20V	1300 pf @ 25 V	-	40W (TC)
SIS414DN-T1-GE3	-	RFQ	8432	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS414	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	20A (TC)	2.5V, 4.5V	16mohm @ 10a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 12V	795 pf @ 15 V	-	3.4W (TA), 31W (TC)
SiHG47N65E-GE3	8.0800	RFQ	5833	Vishay Siliconix	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg47	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	500		N-canal	650 V	47a (TC)	10V	72mohm @ 24a, 10v	4V @ 250 µA	273 NC @ 10 V	± 30V	5682 pf @ 100 V	-	417W (TC)
Sqj403beep-t1_be3	1.6000	RFQ	7997	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj403beep-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	164 NC @ 10 V	± 20V		-	68W (TC)
SIS890Adn-T1-GE3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS890	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	7.6a (TA), 24.7a (TC)		25.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1330 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 39W (TC)
Si4626ady-t1-ge3	0.9923	RFQ	4355	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4626	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	125 NC @ 10 V	± 20V	5370 pf @ 15 V	-	3W (TA), 6W (TC)
SI4831BDY-T1-E3	-	RFQ	7710	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	SI4831	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	6.6a (TC)	4.5V, 10V	42mohm @ 5a, 10v	3V @ 250 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	625 pf @ 15 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA), 3.3W (TC)
SI4835DDY-T1-E3	1.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4835	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	13a (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 10a, 10v	3V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 25V	1960 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 5.6W (TC)
Sija58dp-t1-ge3	0.4092	RFQ	3967	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sija58	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	40 V	60A (TC)	4.5V, 10V	2.65mohm @ 15a, 10v	2.4V @ 250 µA	75 NC @ 10 V	+20V, -16V	3750 pf @ 20 V	-	27.7W (TC)
SI7450DP-T1-RE3	1.0516	RFQ	3794	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo				Si7450				descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000				3.2a (TA), 19.8a (TC)
SI7788DP-T1-GE3	1.3183	RFQ	3551	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7788	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	30 V	50A (TC)	4.5V, 10V	3.1mohm @ 15a, 10v	2.5V @ 250 µA	125 NC @ 10 V	± 20V	5370 pf @ 15 V	-	5.2W (TA), 69W (TC)
Si4823dy-t1-e3	-	RFQ	4254	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4823	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	20 V	4.1a (TC)	2.5V, 4.5V	108mohm @ 3.3a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 12V	660 pf @ 10 V	Diodo Schottky (Aislado)	1.7W (TA), 2.8W (TC)
Si4544dy-t1-ge3	-	RFQ	1086	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4544	Mosfet (Óxido de metal)	2.4w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N Y Canal P, Drenaje Común		30V	-		35mohm @ 6.5a, 10V	1V @ 250 µA (min)	35nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI4453DY-T1-GE3	-	RFQ	3197	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4453	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	12 V	10a (TA)	1.8V, 4.5V	6.5mohm @ 14a, 4.5V	900mv @ 600 µA	165 NC @ 5 V	± 8V		-	1.5W (TA)
SI4864DY-T1-GE3	4.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4864	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	20 V	17a (TA)	2.5V, 4.5V	3.5mohm @ 25A, 4.5V	2V @ 250 µA	70 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.6w (TA)
SI1480DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	2193	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1480	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	2.6a (TC)	4.5V, 10V	200mohm @ 1.9a, 10v	3V @ 250 µA	5 NC @ 10 V	± 20V	130 pf @ 50 V	-	1.5W (TA), 2.8W (TC)
SiHD7N60ET4-GE3	0.8080	RFQ	2938	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sihd7	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	600 V	7a (TC)	10V	600mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 30V	680 pf @ 100 V	-	78W (TC)
SI8466EDB-T2-E1	0.5100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-UFBGA, WLCSP	Si8466	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	8 V	3.6a (TA)	1.2V, 4.5V	43mohm @ 2a, 4.5V	700mv @ 250 µA	13 NC @ 4.5 V	± 5V	710 pf @ 4 V	-	780MW (TA), 1.8W (TC)
Sir188DP-T1-RE3	1.5000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir188	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	25.5A (TA), 60A (TC)	7.5V, 10V	3.85mohm @ 10a, 10v	3.6V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1920 pf @ 30 V	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SI7946Adp-T1-GE3	1.0322	RFQ	7895	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7946	Mosfet (Óxido de metal)	19.8w	Powerpak® SO-8 Dual	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		150V	7.7a (TC)		186mohm @ 3a, 10v	3.5V @ 250 µA	6.5nc @ 7.5V		230pf @ 75V	-
SI6924AEDQ-T1-E3	-	RFQ	2812	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Si6924	Mosfet (Óxido de metal)	1W	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canales (dual) Drenaje Común		28 V	4.1a		33mohm @ 4.6a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	10NC @ 4.5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SST174-T1-E3	-	RFQ	9964	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SST174		350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P								20pf @ 0V			30 V	20 Ma @ 15 V	5 V @ 10 na	85 ohmios
Si4816dy-t1-ge3	-	RFQ	9991	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4816	Mosfet (Óxido de metal)	1W, 1.25W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canales N (Medio Puente)		30V	5.3a, 7.7a		22mohm @ 6.3a, 10v	2V @ 250 µA	12NC @ 5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI4808DY-T1-E3	-	RFQ	6639	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4808	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10v	800mv @ 250 µA (min)	20NC @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI7956DP-T1-GE3	3.1700	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7956	Mosfet (Óxido de metal)	1.4w	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		150V	2.6a		105mohm @ 4.1a, 10V	4V @ 250 µA	26nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SiHG018N60E-GE3	17.2100	RFQ	288	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg018	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	600 V	99a (TC)	10V	23mohm @ 25A, 10V	5V @ 250 µA	228 NC @ 10 V	± 30V	7612 pf @ 100 V	-	524W (TC)
SISA24DN-T1-GE3	0.9600	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sisa24	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	25 V	60A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 15a, 10v	2.1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	+20V, -16V	2650 pf @ 10 V	-	52W (TC)