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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI5410DU-T1-GE3 | - |  | 1748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | SI5410 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 6.6a, 10v | 3V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | |||||
 | IRFB9N30A | - | | 5932 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFB9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfb9n30a | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 300 V | 9.3a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 920 pf @ 25 V | - | 96W (TC) | |||
 | SiHK105N60E-T1-GE3 | 5.6900 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHK105N60E-T1-GE3CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2301 pf @ 100 V | - | 142W (TC) | |||||
 | SIRA58DP-T1-GE3 | 1.2000 | | 7155 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira58 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3750 pf @ 20 V | - | 27.7W (TC) | |||||
 | SI3445Adv-T1-E3 | - | | 7092 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3445 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 4.4a (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | Sisa10bdn-t1-ge3 | 0.9100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 26a (TA), 104a (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 36.2 NC @ 10 V | +20V, -16V | 1710 pf @ 15 V | - | 3.8W (TA), 63W (TC) | ||||||
 | IRF9530SPBF | 2.4500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||
 | SI5449DC-T1-E3 | - | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5449 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3.1a (TA) | 2.5V, 4.5V | 85mohm @ 3.1a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 11 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | |||||
 | Sqjb60ep-t1_be3 | 1.3100 | | 7339 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqjb60 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W (TC) | Powerpak® SO-8 dual asimétrico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJB60EP-T1_BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 30A (TC) | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 1600pf @ 25V | - | |||||||
 | SQR40N10-25_GE3 | 2.3900 | | 4340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-4, DPAK (3 cables + Pestaña) | Sqr40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-252 (DPAK) LED Inverso | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3380 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||
 | SQM120N04-1M7L_GE3 | 3.4300 | | 3976 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 285 NC @ 10 V | ± 20V | 14606 pf @ 20 V | - | 375W (TC) | |||||
 | SI1467DH-T1-E3 | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1467 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.7a (TC) | 1.8V, 4.5V | 90mohm @ 2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | 561 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA), 2.78W (TC) | ||||
 | SI4914BDY-T1-E3 | - | | 6821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4914 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.7W, 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 10.5nc @ 4.5V | - | - | |||||||
 | SiHG22N60E-E3 | 4.4500 | | 5021 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHG22N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | ||||
 | 2N7002K-T1-E3 | 0.2900 | | 986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 300 mA (TA) | 4.5V, 10V | 2ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.6 NC @ 4.5 V | ± 20V | 30 pf @ 25 V | - | 350MW (TA) | ||||
 | SQJ850EP-T1_GE3 | 1.7900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ850 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1225 pf @ 30 V | - | 45W (TC) | |||||
| SQM40061EL_GE3 | 1.8400 | | 5993 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40061 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 280 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | SI7945DP-T1-E3 | - | | 6605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7945 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7A | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 74nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SQD40N06-14L_GE3 | 1.7000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2105 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||
 | SIHF12N50C-E3 | 5.2600 | | 994 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF12 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 555mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1375 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||||
 | SI1031R-T1-GE3 | 0.5200 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SI1031 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-75A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 140MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 8ohm @ 150 mm, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 1.5 NC @ 4.5 V | ± 6V | - | 250MW (TA) | |||||
 | Siz702dt-t1-ge3 | - | | 1905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz702 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16A | 12mohm @ 13.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | IRF720L | - | | 8420 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF720 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF720L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 410 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||
 | Siha2n80e-ge3 | 1.6500 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha2 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 800 V | 2.8a (TC) | 10V | 2.75ohm @ 1a, 10v | 4V @ 250 µA | 19.6 NC @ 10 V | ± 30V | 315 pf @ 100 V | - | 29W (TC) | |||||
 | 2N6660-E3 | - | | 7399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | SiHD7N60E-E3 | 0.9185 | | 7786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd7 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 30V | 680 pf @ 100 V | - | 78W (TC) | |||||
 | IRFR110TRPBF | - | | 3170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 10V | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
| IRF634Strpbf | 2.1700 | | 2403 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF634 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 8.1A (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
| SUM110N04-03P-E3 | - | | 8268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6500 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
| Si4931dy-t1-ge3 | 1.2300 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4931 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 12V | 6.7a | 18mohm @ 8.9a, 4.5V | 1V @ 350 µA | 52NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico |
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