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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFBC40APBF-BE3 | 2.4900 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFBC40APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 30V | 1036 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||
 | SiHK125N60E-T1-GE3 | 5.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 1811 pf @ 100 V | - | 132W (TC) | |||||||||
| Irfz20pbf-be3 | 1.9000 | | 657 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFZ20PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 50 V | 15A (TC) | 100mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||
 | SI2319CDS-T1-BE3 | 0.5700 | | 216 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 3.1a (TA), 4.4a (TC) | 4.5V, 10V | 77mohm @ 3.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 595 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | ||||||||
 | SIHP085N60EF-GE3 | 5.9900 | | 4348 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP085 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHP085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | |||||||
 | SQS460CENW-T1_GE3 | 0.8000 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Sqs460 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQS460CENW-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 8a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 5.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 27W (TC) | |||||||
 | Sqa470cejw-t1_ge3 | 0.4200 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2.25a (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 6 NC @ 4.5 V | ± 12V | 440 pf @ 20 V | - | 13.6W (TC) | |||||||||
 | SQ3426AEEV-T1_BE3 | 0.7100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||||||
 | SI7224DN-T1-GE3 | - | | 9964 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7224 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w, 23w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6A | 35mohm @ 6.5a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 14.5nc @ 10V | 570pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SQJ488EP-T1_GE3 | 1.5800 | | 4062 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj488 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 7.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 979 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||
 | SI7620DN-T1-GE3 | - | | 9098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7620 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 13a (TC) | 10V | 126mohm @ 3.6a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 75 V | - | 3.8W (TA), 5.2W (TC) | |||||||
| SI7913DN-T1-GE3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A | 37mohm @ 7.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SUD50P10-43L-GE3 | 2.6500 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | Canal P | 100 V | 37.1a (TC) | 4.5V, 10V | 43mohm @ 9.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 4600 pf @ 50 V | - | 8.3W (TA), 136W (TC) | ||||||||
 | SUP45P03-09-GE3 | - | | 2149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sup45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 30 V | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 8.7mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 15 V | - | 73.5W (TC) | |||||||||
 | SIB406EDK-T1-GE3 | 0.5700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB406 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 46mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 350 pf @ 10 V | - | 1.95W (TA), 10W (TC) | ||||||||
 | Si4423dy-t1-ge3 | 1.2191 | | 5647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4423 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 1.8V, 4.5V | 7.5mohm @ 14a, 4.5V | 900mv @ 600 µA | 175 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
 | Sir108DP-T1-RE3 | 1.7100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 12.4a (TA), 45A (TC) | 7.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 41.5 NC @ 10 V | ± 20V | 2060 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||||
 | Irf630strl | - | | 2493 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 10V | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||||
 | SI5443DC-T1-E3 | - | | 9334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5443 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 3.6a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 14 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.3W (TA) | ||||||||
| SI7848DP-T1-E3 | - | | 5191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7848 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 10.4a (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.83W (TA) | ||||||||
| SI4484EY-T1-GE3 | - | | 2659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4484 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 4.8a (TA) | 6V, 10V | 34mohm @ 6.9a, 10V | 2V @ 250 µA (min) | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.8w (TA) | ||||||||
 | V30432-T1-GE3 | - | | 3590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | V30432 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
 | SUD50N04-8M8P-4GE3 | 1.2900 | | 3233 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 14A (TA), 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 48.1W (TC) | ||||||||
 | Irfl210 | - | | 4066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irfl210 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfl210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 80 | N-canal | 200 V | 960MA (TC) | 10V | 1.5ohm @ 580mA, 10V | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | ||||||
 | IRF9510 | - | | 1283 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9510 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 4A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
| Si4910dy-t1-e3 | - | | 3885 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SI4910 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 7.6a | 27mohm @ 6a, 10v | 2V @ 250 µA | 32NC @ 10V | 855pf @ 20V | - | |||||||||
| SI4952DY-T1-GE3 | - | | 8181 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4952 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 23mohm @ 7a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| SIHP22N60E-E3 | 2.1315 | | 5738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP22 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHP22N60EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1920 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||
| SI4403CDY-T1-GE3 | 0.7900 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4403 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 13.4a (TC) | 1.8V, 4.5V | 15.5mohm @ 9a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 90 NC @ 8 V | ± 8V | 2380 pf @ 10 V | - | 5W (TC) | ||||||||
| SST4416-T1-E3 | - | | 4154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 2.2pf @ 15V | 30 V | 5 Ma @ 15 V | 3 V @ 1 Na |
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