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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TN2404K-T1-E3 | 0.9100 |  | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | TN2404 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 240 V | 200MA (TA) | 2.5V, 10V | 4ohm @ 300mA, 10V | 2V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 360MW (TA) | |||||
 | Sir404dp-t1-ge3 | 2.0100 | | 29 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir404 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 60A (TC) | 2.5V, 10V | 1.6mohm @ 20a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 97 NC @ 4.5 V | ± 12V | 8130 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRLZ14Strlpbf | 1.6300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 4V, 5V | 200mohm @ 6a, 5V | 2V @ 250 µA | 8.4 NC @ 5 V | ± 10V | 400 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | IRFIBC30GPBF | 2.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRFIBC30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIBC30GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 2.5A (TC) | 10V | 2.2ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 660 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
 | IRFP350LC | - | | 8028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP350 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfp350lc | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 16a (TC) | 10V | 300mohm @ 9.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 76 NC @ 10 V | ± 30V | 2200 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
| IRFPG50 | - | | 5888 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPG50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPG50 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 1000 V | 6.1a (TC) | 10V | 2ohm @ 3.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 190 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||
 | Sihu5n50d-e3 | 0.5199 | | 2871 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | SQJ204EP-T1_GE3 | 1.4800 | | 1991 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ204 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W (TC), 48W (TC) | Powerpak® SO-8 dual asimétrico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Asimétrico del canal (dual) | 12V | 20A (TC), 60A (TC) | 8.3mohm @ 4a, 10v, 3mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 20nc @ 10V, 50nc @ 10V | 1400pf @ 6V, 3700pf @ 6V | - | |||||||
 | IRFR420TRL | - | | 9143 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
| Irfu4105ztr | - | | 4522 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU4105 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| Sir436dp-t1-ge3 | - | | 3112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir436 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 1715 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
| Irfu9214pbf | 1.5500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9214 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9214pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||
| IRFPC50 | - | | 8089 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPC50 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | |||
 | SI1903DL-T1-E3 | - | | 6591 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1903 | Mosfet (Óxido de metal) | 270MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 410 Ma | 995mohm @ 410MA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.8nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SQJA64EP-T1_GE3 | 0.8000 | | 1729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja64 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15A (TC) | 10V | 32mohm @ 4a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||
 | SIA811DJ-T1-GE3 | - | | 8404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA811 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 94mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 13 NC @ 8 V | ± 8V | 355 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.9W (TA), 6.5W (TC) | ||||
| SIRA58AdP-T1-RE3 | 1.1900 | | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira58 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 32.3a (TA), 109A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3030 pf @ 20 V | - | 5W (TA), 56.8W (TC) | |||||
 | SI1304BDL-T1-GE3 | - | | 3164 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1304 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 900 mA (TC) | 2.5V, 4.5V | 270mohm @ 900 mA, 4.5V | 1.3V @ 250 µA | 2.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 100 pf @ 15 V | - | 340MW (TA), 370MW (TC) | ||||
 | Si4936ady-t1-ge3 | 0.9072 | | 5028 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4936 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 4.4a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SQ4483BEEY-T1_GE3 | 1.7500 | | 26 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | - | 7W (TC) | |||||||
 | SQUN700E-T1_GE3 | 2.4400 | | 5083 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Squn700 | Mosfet (Óxido de metal) | 50W (TC), 48W (TC) | Morir | descascar | 1 (ilimitado) | 742-squn700e-t1_ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual), Canal P | 200V, 40V | 16A (TC), 30A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 75mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 3.5V @ 250 µA, 2.5V @ 250 µA | 23NC @ 10V, 11NC @ 10V, 30.2NC @ 10V | 1474pf @ 20V, 600pf @ 100V, 1302pf @ 100V | - | |||||||
| SIRC04DP-T1-GE3 | 1.6600 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sirc04 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.45mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2850 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 50W (TC) | |||||
| Si444442dy-t1-e3 | 3.1400 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4442 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15a (TA) | 2.5V, 10V | 4.5mohm @ 22a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 50 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.6w (TA) | ||||||
 | SISA34DN-T1-GE3 | 0.5500 | | 15 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Sisa34 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 1100 pf @ 15 V | - | 20.8W (TC) | |||||
 | SiHS90N65E-E3 | - | | 8588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihs90 | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 87a (TC) | 10V | 29mohm @ 45a, 10V | 4V @ 250 µA | 591 NC @ 10 V | ± 30V | 11826 pf @ 100 V | - | 625W (TC) | |||||
| IRF9520STRPBF | 1.2863 | | 1224 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | |||||
 | SUD23N06-31-T4-GE3 | 1.3900 | | 3133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 21.4a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 5.7W (TA), 31.25W (TC) | |||||
 | Irf9540pbf | 2.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf9540pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 19a (TC) | 10V | 200mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||
 | Sir606dp-t1-ge3 | 1.5300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir606 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 37a (TC) | 6V, 10V | 16.2mohm @ 15a, 10v | 3.6V @ 250 µA | 22 NC @ 6 V | ± 20V | 1360 pf @ 50 V | - | 44.5W (TC) | |||||
 | SIS434DN-T1-GE3 | 0.9700 | | 20 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS434 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 7.6mohm @ 16.2a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1530 pf @ 20 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) |
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