Onsemi/Fairchild FDD850N10L+Nacido
ElOnsemi/Fairchild FDD850N10Les un MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de voltaje de bajo/medio. Cuenta con tecnología de zanja avanzada para una resistencia baja, reduciendo las pérdidas de conducción. Con una velocidad de conmutación rápida y una buena resistencia de avalancha, puede manejar bien el voltaje. Su paquete estandarizado simplifica el diseño del circuito y es adecuado para varias tareas de administración de energía.
Onsemi / FairchildCaracterísticas de FDD850N10L
1.Estructura y operación del dispositivo
MOSFET del canal N-Modo de mejora para conmutación y amplificación confiables en circuitos de alimentación.
Optimizado para una baja carga de puerta y velocidades de conmutación rápidas, lo que permite una transferencia de energía eficiente en aplicaciones de alta frecuencia.
2.Rendimiento y eficiencia
Baja resistencia (RDS (ON)) para minimizar las pérdidas de conducción y mejorar la eficiencia general del sistema.
Capacidad de corriente de alto aumento para una operación robusta en condiciones de carga transitoria.
3.Confiabilidad y robustez
Construido con tecnología de zanja avanzada para mejorar la estabilidad térmica y soportar entornos operativos duros.
Protección contra los modos de falla comunes, como el desglose de fugitivo térmico y la avalancha, para la confiabilidad a largo plazo.
4.Aplicaciones y flexibilidad de diseño
Adecuado para su uso en convertidores DC-DC, unidades de motor, sistemas de gestión de baterías y energía generaltraspuestaaplicaciones.
Paquete estándar (por ejemplo, a 220 o similar) para una fácil integración en los diseños de circuitos existentes.
5.Ambiental y cumplimiento
Sin plomo y que cumplen con el ROHS, que se adhiere a los estándares ambientales internacionales.
Embalaje sin halógenos (si corresponde) para requisitos de diseño ecológico.
6.Requisitos de transmisión de la puerta
Capacidad de accionamiento de voltaje de puerta baja, simplificando la interfaz con las salidas comunes de microcontrolador o IC del controlador.
Aplicaciones de Onsemi / Fairchild FDD850N10L
En el campo de los electrodomésticos de consumo:En los circuitos de gestión de energía de productos como aires acondicionados, lavadoras y hornos de microondas, el FDD850N10L puede utilizar su baja característica de resistencia en resistencia para reducir el consumo de energía, mejorar la eficiencia energética de los electrodomésticos y lograr efectos de ahorro de energía. Su característica de cambio rápido también ayuda a optimizar la eficiencia de conversión de potencia, estabilizar la fuente de alimentación y garantizar el funcionamiento estable de los electrodomésticos.
En el campo de televisores y monitores LED:Se usa en los circuitos de potencia de estos dispositivos para convertir el voltaje de entrada en un voltaje estable adecuado para la luz de fondo LED y la placa base. La baja carga de puerta y las características de conmutación rápida pueden reducir la pérdida de energía durante el proceso de conmutación, mejorar la eficiencia de conversión de energía y reducir el consumo de energía. La baja resistencia puede reducir la caída de voltaje durante la conducción, reducir la generación de calor y mejorar la estabilidad del dispositivo.
En el campo de la rectificación sincrónica:El FDD850N10L puede desempeñar un papel crucial en la etapa de rectificación sincrónica de la fuente de alimentación de conmutación. Debido a su baja resistencia, puede reducir significativamente la pérdida de energía durante el proceso de rectificación y mejorar la eficiencia energética. La capacidad de conmutación rápida le permite responder rápidamente a los cambios de señal en el circuito, controlar con precisión la conducción y el corte de la corriente y garantizar el funcionamiento eficiente de la rectificación sincrónica.
En el campo de alimentación ininterrumpida (UPS):En el circuito de conversión de potencia del UPS, la característica de la prueba de avalancha del FDD850N10L le permite mantener un funcionamiento estable al enfrentar cambios de voltaje repentino, evitando daños debido a las fluctuaciones de voltaje. La característica de conmutación rápida ayuda a lograr una conversión de potencia eficiente, asegurando que cuando la potencia de la red esté interrumpida, puede cambiar rápidamente al modo de alimentación de respaldo para suministrar continuamente la potencia a los dispositivos.
En el campo de micro inversores:En los inversores micro solar, el FDD850N10L se utiliza para convertir la corriente continua generada por los paneles solares en corriente alterna. Su baja resistencia puede reducir la pérdida de energía, mejorar la eficiencia de conversión del inversor y permitir que se convierta más energía solar en energía eléctrica utilizable. La buena capacidad de DV/DT puede lidiar efectivamente con las fluctuaciones de voltaje durante la generación de energía solar, garantizar el funcionamiento estable del inversor y mejorar la confiabilidad del sistema de generación de energía fotovoltaica.
Atributos de Onsemi / Fairchild FDD850N10L
| Serie | Powertrench® | Estado del producto | Activo |
| Tipo de FET | N-canal | Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene a la fuente de voltaje (VDSS) | 100 V | Corriente - drenaje continuo (id) @ 25 ° C | 15.7a (TC) |
| Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido) | 5V, 10V | Rds on (max) @ id, VGS | 75mohm @ 12a, 10v |
| VGS (th) (max) @ id | 2.5V @ 250 µA | CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS | 28.9 NC @ 10 V |
| VGS (Max) | ± 20V | Capacitancia de entrada (CISS) (max) @ vds | 1465 pf @ 25 V |
| Disipación de potencia (Max) | 50W (TC) | Temperatura de funcionamiento | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montaje en superficie | Paquete de dispositivos de proveedor | A 252AA |
| Paquete / estuche | TO-252-3, DPAK (2 cables + pestaña), SC-63 | Número de producto base | FDD850 |
La hoja de datos de Onsemi / Fairchild FDD850N10L
Onsemi / Fairchild fdd850n10l'symbol, huella y modelo 3D
Onsemi / Fairchild FDD850N10L Categoría-bajo / MOSFETS de voltaje medio
Los MOSFET de voltaje bajo/medio son componentes fundamentales en la electrónica moderna. Funcionando dentro de un espectro de voltaje que generalmente abarca de alrededor de 20 V a 200V, manejan tareas como la conmutación de potencia eficiente y la amplificación de la señal. Estos MOSFET brilan en aplicaciones donde el bajo consumo de energía y las altas velocidades de conmutación son esenciales. Su baja característica de resistencia en la resistencia minimiza la pérdida de potencia, lo que los hace perfectos para dispositivos operados por baterías como teléfonos inteligentes y tabletas. También son cruciales en los convertidores DC-DC, lo que garantiza la conversión de voltaje estable. En los sistemas de control de motores, los MOSFET de voltaje bajo/medio permiten la velocidad precisa y la regulación del par. Por ejemplo, en la electrónica de consumo, gestionan la distribución de energía en los circuitos de carga. En configuraciones industriales, se utilizan en controladores lógicos programables para una operación suave.
Entre las opciones notables en esta categoría está elOnsemi / Fairchild FDD850N10L. Es un MOSFET de canal N diseñado para sobresalir en escenarios de bajo voltaje y alta eficiencia. Con una clasificación de voltaje de fuente de drenaje de 100 V y una corriente de drenaje continuo de 85A a 25 ° C, se destaca. Su resistencia en la resistencia ultra baja de solo 3.2mΩ (típ.) A 10 V compra la unidad recorta pérdidas de conducción. Ubicado en un paquete térmicamente mejorado a 220-3, disipa el calor de manera efectiva. Su velocidad de conmutación rápida y su baja carga de puerta lo convierten en una selección superior para aplicaciones como convertidores DC-DC y unidades de motor, ofreciendo un alto rendimiento y confiabilidad.
Fabricantes de FDD850N10LOnsemi / Fairchild
Onsemi y Fairchild han logrado logros notables en el campo deMOSFETS de voltaje bajo/medio (transistores de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor).
Innovación tecnológica: Exploran continuamente nuevos procesos y arquitecturas, aprovechando la tecnología de zanjas avanzadas para reducir drásticamente la resistencia, mejorando así la eficiencia de conversión de energía y minimizando la pérdida de energía. Sus productos cuentan con una capacidad de carga de puerta extremadamente baja y transferencia inversa, lo que permite velocidades de conmutación a nivel de nanosegundos que admiten la operación de alta frecuencia al tiempo que suprime efectivamente la interferencia electromagnética (EMI).
Aplicaciones de productos: Sus MOSFET se usan ampliamente en la electrónica de consumo, el control industrial y los nuevos sectores de energía. En la electrónica de consumo, facilitan la miniaturización de los cargadores rápidos de teléfonos inteligentes y extienden la duración de la batería en dispositivos portátiles. En control industrial, permiten un control de motor preciso y la transmisión de señal estable. En nuevas aplicaciones de energía, optimizan la eficiencia de los sistemas de almacenamiento de energía distribuidos y la gestión de la batería de vehículos eléctricos (EV).
Liderazgo del mercado: Reconocido por un rendimiento y confiabilidad superiores, los productos Onsemi/Fairchild son la opción preferida para los ingenieros a nivel mundial. El clásico FDD850N10L, por ejemplo, establece un punto de referencia de rendimiento con sus bajas pérdidas de conducción, una fuerte resistencia de avalancha y facilidad de integración del diseño, solidificando su posición como líderes de la industria en soluciones MOSFET de bajo/medio de voltaje.
Nvd6416ant4g Piezas alternativas: FDD850N10L
| Atributos |  |  |
| Número de parte | Nvd6416ant4g+Nacido | FDD850N10L+Nacido |
| Fabricante: | En semiconductor | En semiconductor |
| Descripción: | MOSFET N-Ch1 100V 17A DPAK | MOSFET 100V N-Canal Powertrench MOSFET |
| Estado del ciclo de vida: | Lifetime (último actualizado: hace 1 semana) | Activo (último actualizado: hace 1 día) |
| Tiempo de entrega de fábrica: | 10 semanas | 8 semanas |
| Tipo de montaje: | Montaje en superficie | Montaje en superficie |
| Paquete / Caso: | TO-252-3, DPAK (2 cables + pestaña), SC-63 | TO-252-3, DPAK (2 cables + pestaña), SC-63 |
| Montaje de superficie: | SÍ | - |
| Número de alfileres: | 4 | 3 |
| Material del elemento del transistor: | SILICIO | SILICIO |
| Actual - drenaje continuo (id) @ 25 ℃: | 17A TC | 15.7A TC |
| Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido): | 10V | 5V 10V |
| Número de elementos: | 1 | 1 |
| Disipación de potencia (Max): | 71W TC | 50W TC |
| Apague el tiempo de retraso: | 24 ns | 27 ns |
| Temperatura de funcionamiento: | -55 ° C ~ 175 ° C TJ | -55 ° C ~ 175 ° C TJ |
| Embalaje: | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Publicado: | 2012 | 2010 |
| Código JESD-609: | E3 | E3 |
| Código PBFree: | Sí | Sí |
| Estado de la parte: | Obsoleto | Activo |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL): | 1 (ilimitado) | 1 (ilimitado) |
| Número de terminaciones: | 2 | 2 |
| Código ECCN: | EAR99 | EAR99 |
| Acabado terminal: | Lata (sn) | Lata (sn) |
| Forma terminal: | Ala de la gaviota | Ala de la gaviota |
| Recuento de alfileres: | 4 | - |
| Estándar de referencia: | AEC-Q101 | - |
| Código JESD-30: | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| Configuración del elemento: | Soltero | Soltero |
| Modo de funcionamiento: | Modo de mejora | Modo de mejora |
| Disipación de potencia: | 71W | 50W |
| Conexión de casos: | DRENAR |
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