SIC
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Lineal (1326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Corriente - Suministro Tipo de Salida Número de Circuitos Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Número de elementos Voltaje: Suministro, único/dual (±) Voltaje - Desplazamiento de Entrada (Máximo) Corriente - Sesgo de Entrada (Max) Corriente - Salida (typ) Current - Obliescent (Max) CMRR, PSRR (typ) RetRaso de Propagación (Máximo) Histéris Ritmo -3db Ancho de Banda Corriente - Salida / Canal TUPO de Amplificador Ganar Producto de Ancho de Banda Corriente - Sesgo de Entrada Voltaje - Compensación de Entrada Voltaje - Supil Span (min) Voltaje - Supple Span (Max) Canales de Potencia de Salida Máxima X @ Cargar
LMV118MF/NOPB National Semiconductor LMV118MF/NOPB 1.0400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Sot-23-6 600 µA Push-Pull, Riel A Riel 1 Sot-23-6 descascar EAR99 8542.33.0001 289 35V/µs 45 MHz 20 Ma Retroalimentación de voltaje 400 na 1 MV 2.5 V 12 V
LMV854MTX/NOPB National Semiconductor LMV854MTX/NOPB 1.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor nacional LMV® Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 1.59MA (Canales x4) Ferrocarril 4 14-TSOP descascar EAR99 8542.33.0001 172 4.5V/µs 65 Ma CMOS 8 MHz 0.1 PA 260 µV 2.7 V 5.5 V
LM111H National Semiconductor LM111H 14.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-99-8 METAL LATA Propósito general DTL, MOS, Colector Abierto, Emisor ABIERTO, RTL, TTL Un 99-8 descascar EAR99 8542.39.0001 21 1 5V ~ 36V, ± 2.5V ~ 18V 3MV @ ± 15V 0.1 µA @ ± 15V - 6mA - - -
LM8272MM/NOPB National Semiconductor LM8272MM/NOPB -
RFQ
 ECAD 9877 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) 1.9MA (Canales X2) Ferrocarril 2 8-VSOP descascar EAR99 8542.33.0001 1 15V/µs 12.5 MHz 65 Ma Propósito general 15 MHz 2 µA 700 µV 2.5 V 24 V
LF444CM/NOPB National Semiconductor LF444CM/NOPB -
RFQ
 ECAD 8874 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 600 µA (Canales X4) - 4 14-soico descascar EAR99 8542.33.0001 1 1V/µs 14 MA J-fet 1 MHz 10 PA 3 MV 36 V 36 V
LM7332MM/NOPB National Semiconductor LM7332MM/NOPB -
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) 2 mA (Canales x2) Ferrocarril 2 8-VSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.33.0001 1 12V/µs 70 Ma Propósito general 21 MHz 1 µA 2 MV 2.5 V 32 V
JM38510/10103BCA National Semiconductor JM38510/10103BCA -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 14-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) - - 1 14-CDIP descascar 0000.00.0000 1 0.3V/µs 3.5 MHz 60 Ma Propósito general 100 na 3 MV 5 V 44 V
OPA2377AID National Semiconductor Opa3777id -
RFQ
 ECAD 2818 0.00000000 Semiconductor nacional Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 760 µA (Canales X2) Ferrocarril 2 8-Soico descascar EAR99 8542.33.0001 1 2V/µs 50 Ma CMOS 5.5 MHz 0.2 PA 250 µV 2.2 V 5.5 V
LMH6881SQ/NOPB National Semiconductor LMH6881SQ/NOPB 6.3900
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 24 wfqfn 100mA - 1 24 WQFN (4x4) descascar EAR99 8542.33.0001 1 - 2.4 GHz Diferente 4.75 V 5.25 V
LMC6772BIM National Semiconductor LMC6772BIM 2.1200
RFQ
 ECAD 237 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Propósito general Desagüe 8-Soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 2.7V ~ 15V, ± 1.35V ~ 7.5V 15 MV @ 5V 0.04pa @ 5V 30mera 20 µA 75db CMRR, 80db PSRR 10 µs -
LM386MX-1/NOPB National Semiconductor LM386MX-1/NOPB -
RFQ
 ECAD 4713 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Clase AB - 1 canal (mono) 4V ~ 12V 8-Soico descascar EAR99 8542.33.0001 1 325mW x 1 @ 8ohm
LM48411TL/NOPB National Semiconductor LM48411TL/NOPB -
RFQ
 ECAD 1896 0.00000000 Semiconductor nacional Boomer®, Powerwise® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-WFBGA, DSBGA Clase D Depop, Entradas Diferenciales, E², Protection Contra Cortociritos, apagado 2 canales (Estéreo) 2.4V ~ 5.5V 16-DSBGA (2.5x2.12) descascar 0000.00.0000 1 2.5W x 2 @ 4ohm
LMV324Q1MAX/NOPB National Semiconductor LMV324Q1MAX/NOPB -
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 Semiconductor nacional Automotive, AEC-Q100, LMV® Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 410 µA (Canales X4) Ferrocarril 4 14-soico descascar EAR99 8542.33.0001 1 1V/µs 160 Ma Propósito general 1 MHz 15 na 1.7 MV 2.7 V 5.5 V
LM4864MX/NOPB National Semiconductor LM4864MX/NOPB 0.5100
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 Semiconductor nacional Boomer® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Clase AB Apaguado, Protección Térmica 1 canal (mono) 2.7V ~ 5.5V 8-Soico descascar EAR99 8542.33.0001 589 675mW x 1 @ 8ohm
LM6144AIM/NOPB National Semiconductor Lm6144aim/nopb 8.0300
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 750 µA (Canales X4) Ferrocarril 4 14-soico descascar EAR99 8542.33.0001 38 25V/µs 22 MA Propósito general 18 MHz 174 na 1.3 MV 1.8 V 24 V
LM2904ITPX/NOPB National Semiconductor LM2904ITPX/NOPB 0.4700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Semiconductor nacional Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-UFBGA, DSBGA 1mera - 2 8-DSBGA descascar EAR99 8542.33.0001 636 - 40 Ma Propósito general 1 MHz 45 na 2 MV 3 V 32 V
LM319M/NOPB National Semiconductor LM319M/NOPB -
RFQ
 ECAD 2869 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Propósito general DTL, Colector Abierto, Emisor Abierto, RTL, TTL 14-soico descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 5V ~ 36V, ± 2.5V ~ 18V 8mv @ ± 15V 1 µA @ ± 15V - 12.5mA - - -
LMV339MT National Semiconductor LMV339MT 1.2400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Propósito general CMOS, Colector Abierto, TTL 14-TSOP descascar EAR99 8542.39.0001 242 4 2.7V ~ 5.5V 7mv @ 5V 0.25 µA @ 5V 84MA @ 5V 300 µA - 600ns -
LMV7231SQX/NOPB National Semiconductor LMV7231SQX/NOPB 2.3100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 24 wfqfn Ventana NMOS, Drenaje Abierto 24 WQFN (4x4) descascar EAR99 8542.39.0001 1 6 2.2V ~ 5.5V - 0.005 µA @ 5.5V - 60 µA - 7 µs 8.8mv
LPV7215MG/NOPB National Semiconductor LPV7215MG/NOPB 1.0000
RFQ
 ECAD 4665 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Propósito general CMOS, EmpUje SC-70-5 descascar 0000.00.0000 1 1 1.8v ~ 5.5V 3MV @ 5V 0.4PA @ 5V 19MA @ 5V 750NA 98db CMRR, 82db PSRR 30 µs -
LMH6732MF/NOPB National Semiconductor LMH6732MF/NOPB 4.5700
RFQ
 ECAD 959 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie Sot-23-6 9 MA - 1 Sot-23-6 descascar EAR99 8542.33.0001 66 2700V/µs 540 MHz 115 Ma Comentarios Reales 2 µA 3 MV 9 V 12 V
5962R0052402VGA National Semiconductor 5962R0052402VGA 470.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Semiconductor nacional LM111 Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-99-8 METAL LATA Diferente Colector Abierto Un 99-8 descascar EAR99 8542.39.0001 1 1 5V ~ 15V, ± 2.5V ~ 15V 3MV @ ± 15V 0.1PA @ ± 15V - 5MA, 6 Ma CMRR DE 80DB 200ns (typ) -
LM4861MX National Semiconductor LM4861MX 0.7400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Semiconductor nacional Boomer® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Clase AB Apaguado, Protección Térmica 1 canal (mono) 2V ~ 5.5V 8-Soico descascar EAR99 8542.33.0001 404 1.5wx 1 @ 8ohm
LM258AD National Semiconductor Lm258ad -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 Semiconductor nacional Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 500 µA (Canales X2) - 2 8-Soico descascar EAR99 8542.33.0001 1 0.3V/µs 40 Ma Propósito general 700 kHz 15 na 2 MV 3 V 32 V
LMV721M7/NOPB National Semiconductor LMV721M7/NOPB 0.8800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 1.03MA Ferrocarril 1 SC-70-5 descascar EAR99 8542.33.0001 340 5.25V/µs Propósito general 10 MHz 260 na 80 µV 2.2 V 5.5 V
5962R9452603VGA National Semiconductor 5962R9452603VGA 501.8100
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero TO-99-8 METAL LATA Propósito general Colector Abierto, CMOS, DTL, ECL, MOS, TTL Un 99-8 descascar EAR99 8542.39.0001 1 2 2V ~ 36V, ± 1V ~ 18V 2 MV @ 5V 0.001PA @ 5V 6MA @ 5V 2.5A DE 2.5A 60dB (min), 60db PSRR 700ns (typ) -
LP324D National Semiconductor LP324D 0.5600
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Semiconductor nacional - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 85 µA (Canales X4) - 4 14-soico descascar EAR99 8542.33.0001 1 0.05V/µs 10 Ma Propósito general 100 kHz 2 na 2 MV 3 V 32 V
LMH6504MM/NOPB National Semiconductor LMH6504MM/NOPB 3.8200
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Semiconductor nacional LMH® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) 11mera - 1 8-VSOP descascar EAR99 8542.33.0001 79 1500V/µs 150 MHz 80 Ma Variable de ganancia 1.4 µA 7 V 12 V
LMV654MT/NOPB National Semiconductor LMV654MT/NOPB 1.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Semiconductor nacional LMV® Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 122 µA (Canales X4) Ferrocarril 4 14-TSOP descascar EAR99 8542.33.0001 219 3V/µs 25 Ma Propósito general 12 MHz 80 PA 100 MV 2.7 V 5.5 V
LM4875MM/NOPB National Semiconductor LM4875 mm/NOPB 0.8900
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Semiconductor nacional Boomer® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) Clase AB Depop, Silencio, Apagado, Protección Térmica, Control de Volumen 1 canal (mono) con auriculares mono 2.7V ~ 5.5V 8-VSOP descascar EAR99 8542.33.0001 336 1W x 1 @ 8ohm; 110MW x 1 @ 32ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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