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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mtfc32gjved-3f wt | - |  | 8022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-vfbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| Mtfc32gjved-3m wt | - | | 3190 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | Mtfc4gmtea-4m it | - | | 5589 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | |||||
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 | M29W128GSL70ZA6F TR | - | | 1976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| M29w800fb7aza6f tr | - | | 7214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| Mt29c1g12maadyake-5 it | - | | 6720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C1G12 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.190 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
| Mt29c8g96mazapdja-5 it | - | | 9913 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29C8G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 8Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 512m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f16g16adacah4: c | - | | 6576 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F16G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3277-mt29f16g16adacah4: c | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 16 gbit | Destello | 1g x 16 | Paralelo | - | |||
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 | PZ28F032M29EWTA | - | | 7014 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | PZ28F032M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | No Volátil | 32Mbit | 60 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | N25Q032A11ESF40G | - | | 7985 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q032A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
| N25Q064A11ESF40G | - | | 9489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q064A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | PC28F512G18FE | - | | 5755 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | 96 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 96ns | |||
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z: A | - | | 8804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 100 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F128G08AKCABH2-10: A TR | - | | 1320 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT46H128M16LFDD-48 AIT: C | - | | 3228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H128M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 208 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 14.4ns | ||
 | Mtfc4glddq-4m it | - | | 7641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Mtfc4 | Flash - nand | 1.65V ~ 3.6V | 100 lbGa (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 980 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT46V32M16CY-5B L IT: J | - | | 7088 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53E256M32D1KS-046 AAT: L TR | 15.0700 | | 9427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 200-vfbga | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT: LTR | 1 | |||||||||||||||||
| MT53E256M32D1KS-046 IT: L TR | 11.6800 | | 1641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 200-vfbga | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E256M32D1KS-046IT: LTR | 1 | |||||||||||||||||
 | MT40A512M16TD-062E AIT: R | - | | 8788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | Alcanzar sin afectado | 557-mt40a512m16td-062eait: r | 1 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | MT40A1G8AG-062E AIT: R TR | - | | 7899 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G8AG-062EAIT: RTR | 1 | ||||||||||||||||||||
| PZ28F064M29EWTX | - | | 9067 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | PZ28F064M29 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT48LC16M16A2P-75: D | - | | 3703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT48LC16M16A2P75D | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |
| MT53D384M64D4SB-046 XT: E | 36.7950 | | 4307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | |||
 | MT41J64M16TW-093: J | - | | 5846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 1.066 GHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F256G08CKEDBJ5-12: D TR | - | | 7377 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT51J256M32HF-70: A TR | - | | 8540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - |
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