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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F128G08AKAAAC5-IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKAAAC5-IT: A -
RFQ
 ECAD 3924 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 52-vlga MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT29F2T08EMLEEJ4-QA:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QA: E TR 52.9800
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QA: ETR 2,000
MT41K512M16HA-125 IT:A Micron Technology Inc. MT41K512M16HA-125 IT: A -
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.020 800 MHz Volante 8 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR -
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A Micron Technology Inc. MT29F2T08EMHAFJ4-3TES: A -
RFQ
 ECAD 2371 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F2T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.120 333 MHz No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
EDFA364A3PK-GD-F-D Micron Technology Inc. EDFA364A3PK-GD-FD -
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa364 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.190 800 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
MT29F1G08ABADAWP-E:D Micron Technology Inc. Mt29f1g08abadawp-e: D -
RFQ
 ECAD 6635 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT29F256G08AMCBBK7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMCBBK7-6: B TR -
RFQ
 ECAD 1721 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
N25Q512A83G1240E Micron Technology Inc. N25Q512A83G1240E -
RFQ
 ECAD 8965 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q512A83 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-1570 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 108 MHz No Volátil 512Mbit Destello 128m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
N25Q032A13ESFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q032A13ESFA0F TR -
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q032A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT48H32M16LFB4-6 IT:C Micron Technology Inc. MT48H32M16LFB4-6 IT: C 7.0600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48H32M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1.560 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT47H32M16BN-3 IT:D TR Micron Technology Inc. Mt47h32m16bn-3 it: d tr -
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABCHC-ET: C TR -
RFQ
 ECAD 9612 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT62F768M64D4EK-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 WT: B TR 34.2750
RFQ
 ECAD 2559 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023WT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
MT47H256M8EB-25E AIT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E AIT: C -
RFQ
 ECAD 6105 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (9x11.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0036 1.320 400 MHz Volante 2 GBIT 400 ps Dracma 256m x 8 Paralelo 15ns
MT41J512M8THD-187E:D Micron Technology Inc. MT41J512M8THD-187E: D -
RFQ
 ECAD 1830 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 4 gbit 13.125 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
M25PE10-VMN3TPB TR Micron Technology Inc. M25PE10-VMN3TPB TR -
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25PE10 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT49H8M36BM-33 IT:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33 IT: B -
RFQ
 ECAD 1461 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H8M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 8m x 36 Paralelo -
M25P10-AVMP6G Micron Technology Inc. M25P10-AVMP6G -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25P10 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 490 50 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT53E768M32D2NP-053 RS WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2NP-053 RS WT: B TR 13.9650
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT53E768M32D2NP-053RSWT: BTR 2,000
MTFC8GAMALNA-AAT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc8gamalna-aat es tr -
RFQ
 ECAD 2993 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MTFC8 Flash - nand - 100 TBGA (14x18) - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR Micron Technology Inc. MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F TR -
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 162-vfbga MT29AZ5A3 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.9V 162-vfbga (10.5x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDDR2) Flash, ram 512m x 8 (nand), 128m x 16 (LPDDR2) Paralelo -
RC28F00AM29EWHA Micron Technology Inc. Rc28f00am29ewha -
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa RC28F00 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 1 gbit 100 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 100ns
MT53E1536M32D4DE-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E1536M32D4DE-046 AIT: B TR 44.2350
RFQ
 ECAD 6216 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1536M32D4DE-046AIT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 48 GBIT 3.5 ns Dracma 1.5GX 32 Paralelo 18ns
MT53D1024M32D4DT-046 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4DT-046 WT: D -
RFQ
 ECAD 5950 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53D1024M32D4DT-046WT: D EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT25QL128ABB1EW7-CAUT Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CAUT -
RFQ
 ECAD 9705 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -791-MT25QL128ABB1EW7-CAUT 3A991B1A 8542.32.0071 2,940 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29F2T08CUCBBK9-37:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CUCBBK9-37: B -
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.120 267 MHz No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AAT: J TR -
RFQ
 ECAD 8303 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 2,000 167 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 2m x 32 Paralelo 12ns
MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-ITE: E TR -
RFQ
 ECAD 7736 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT53D8DAHR-DC Micron Technology Inc. Mt53d8dahr-dc -
RFQ
 ECAD 8623 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo Montaje en superficie 366-WFBGA MT53D8 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.360 Volante Dracma - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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