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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
N25Q064A13ESF41F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13ESF41F TR -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBWP-BES: G -
RFQ
 ECAD 9902 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
M29W800FT70ZA3SE Micron Technology Inc. M29W800FT70ZA3SE -
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 2266-M29W800FT70ZA3SE EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT40A1G8AG-062E AAT:R TR Micron Technology Inc. MT40A1G8AG-062E AAT: R TR -
RFQ
 ECAD 4189 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 557-MT40A1G8AG-062AAT: RTR 1
JS28F320J3F75B TR Micron Technology Inc. JS28F320J3F75B TR -
RFQ
 ECAD 4891 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F320J3 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 32Mbit 75 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 75ns
MT25QU02GCBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU02GCBB8E12-0AAT 41.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 24-tbGa Mt25qu02 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT41J128M16HA-15E AAT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E AAT: D -
RFQ
 ECAD 6704 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 2 GBIT 13.5 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AIT: A -
RFQ
 ECAD 5149 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
PC28F128G18AE Micron Technology Inc. PC28F128G18AE -
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tubo Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 133 MHz No Volátil 128 Mbbit 96 ns Destello 8m x 16 Paralelo 96ns
MT41K256M16TW-17 XIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-17 XIT: P TR -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000 Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT29F64G08CECCBH1-12:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12: C -
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT46H256M32L4JV-6 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-6 WT: B -
RFQ
 ECAD 7724 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 15ns
JS28F00AP33TFA Micron Technology Inc. JS28F00AP33TFA -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F00AP33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 1 gbit 105 ns Destello 64m x 16 Paralelo 105ns
MT29F64G08CBCABH1-12ITZ:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12Itz: A TR -
RFQ
 ECAD 1670 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES :D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AAT ES: D -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT29F64G08AFAAAWP-Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAAWP-Z: A -
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT62F1G32D4DS-031 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 IT: B 25.6350
RFQ
 ECAD 1278 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031IT: B 1 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-053 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 2239 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.190 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT48LC8M16A2P-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A: G TR -
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 12ns
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R 7.2500
RFQ
 ECAD 2790 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MTFC32GANALEA-WT Micron Technology Inc. MTFC32GANALEA-WT -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto Mtfc32g - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.520
MT62F768M32D2DS-023 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M32D2DS-023 AUT: B TR 40.9050
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F768M32D2DS-023AUT: BTR 2,000
MT48LC4M16A2P-6A IT:J Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A IT: J -
RFQ
 ECAD 8796 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1.080 167 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 12ns
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT: C TR -
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
N25Q064A13EW74ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW74ME -
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,940 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E: B 46.0350
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K32M18 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1.190 933 MHz Volante 576Mbit 8 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
EDF8165A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8165A3MC-GD-FR -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - - - Edf8165 - - - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000 - - - - -
M29DW128F60ZA6E Micron Technology Inc. M29DW128F60ZA6E -
RFQ
 ECAD 8204 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29DW128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 136 No Volátil 128 Mbbit 60 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 60ns
MT46H64M32L2JG-6:A Micron Technology Inc. MT46H64M32L2JG-6: A -
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 166 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 64m x 32 Paralelo 15ns
M29DW323DB70ZE6F TR Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6F TR -
RFQ
 ECAD 8965 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29DW323 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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