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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
N2M400FDB311A3CF TR Micron Technology Inc. N2M400FDB311A3CF TR -
RFQ
 ECAD 4389 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - N2M400 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 52 MHz No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT49H16M18FM-33:B Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-33: B -
RFQ
 ECAD 8354 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT29F4G08ABADAWP-ITX:D Micron Technology Inc. Mt29f4g08abadawp-itx: D -
RFQ
 ECAD 1587 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AUT: A -
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D Micron Technology Inc. Edb5432bepa-1daat-fd -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1.680 533 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
MT41K128M16JT-125 M:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M: K -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P -
RFQ
 ECAD 1214 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT53E768M32D2FW-046 AAT:C Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 AAT: C 32.0250
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT53E768M32D2FW-046AAT: C 1
MT53B4DAEZ-DC TR Micron Technology Inc. Mt53b4daez-dc tr -
RFQ
 ECAD 5119 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - Mt53b4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 Volante Dracma
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AAT: B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
EDY4016AABG-GX-F-D Micron Technology Inc. Edy4016aabg-gx-fd -
RFQ
 ECAD 5477 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA Edy4016 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.980 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
PF48F3000P0ZBQEA Micron Technology Inc. PF48F3000P0ZBQEA -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 88-TFBGA, CSPBGA 48F3000P0 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 88-SCSP (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 65 ns Destello 8m x 16 Paralelo 65ns
MT58L256L32FS-8.5IT Micron Technology Inc. MT58L256L32FS-8.5IT 18.9100
RFQ
 ECAD 9504 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz Volante 8mbit 8.5 ns Sram 256k x 32 Paralelo -
MTFC128GASAONS-AAT Micron Technology Inc. MTFC128Gasaons-AAT 73.7250
RFQ
 ECAD 8085 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 153-TFBGA Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC128Gasaons-AAT 1 52 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 UFS2.1 -
N25Q512A83G1240F TR Micron Technology Inc. N25Q512A83G1240F TR -
RFQ
 ECAD 1814 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q512A83 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 108 MHz No Volátil 512Mbit Destello 128m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F8G01ADAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G01ADAFD12-IT: F TR -
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F8G01 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT29F8G01ADAFD12-IT: FTR Obsoleto 8542.32.0071 2,000 83 MHz No Volátil 8 gbit Destello 8g x 1 SPI -
MT53E1G64D4SQ-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 AIT: A -
RFQ
 ECAD 7019 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E1G64D4SQ-046AIT: A Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT48LC32M16A2TG-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2TG-75: C TR -
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC32M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT25QL02GCBA8E12-0SI Micron Technology Inc. MT25QL02GCBA8E12-0SI -
RFQ
 ECAD 2098 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL02 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
JS28F256J3F105B TR Micron Technology Inc. JS28F256J3F105B TR -
RFQ
 ECAD 1724 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256J3 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 256Mbit 105 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 105ns
MT29E768G08EEHBBJ4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E768G08EEHBBJ4-3: B TR -
RFQ
 ECAD 6002 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29E768G08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 768gbit Destello 96g x 8 Paralelo -
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAHC-AIT: E TR -
RFQ
 ECAD 1728 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C 5.2052
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.440 200 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
M28W320HSU70ZB6E Micron Technology Inc. M28W320HSU70ZB6E -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 47-TFBGA M28W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 47-TFBGA (6.39x6.37) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.380 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 2m x 16 Paralelo 70ns
MT53B1DBDS-DC TR Micron Technology Inc. MT53B1DBDS-DC TR -
RFQ
 ECAD 5886 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 2,000 Volante Dracma
MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT TR 16.2100
RFQ
 ECAD 723 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-vfbga MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-vfbga (13x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) Paralelo -
MTFC64GAPAKEA-WT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc64gapakea-wt es tr -
RFQ
 ECAD 3129 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA MTFC64 Flash - nand - 153-WFBGA (11.5x13) - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
MT29F8G16ABACAWP-IT:C Micron Technology Inc. Mt29f8g16abacawp-it: c -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 8 gbit Destello 512m x 16 Paralelo -
MT40A1G8WE-075E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E AIT: B -
RFQ
 ECAD 4774 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.140 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C Micron Technology Inc. MT46H64M32LFBQ-48 IT: C 9.6750
RFQ
 ECAD 4109 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H64M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.440 208 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 64m x 32 Paralelo 14.4ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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