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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT41K128M16JT-17:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-17: K -
RFQ
 ECAD 3188 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.368 Volante 2 GBIT Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR 49.5750
RFQ
 ECAD 3933 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17YTR 1
EDW2032BBBG-7A-F-D Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-7A-FD -
RFQ
 ECAD 5877 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA Edw2032 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.440 1.75 GHz Volante 2 GBIT RAM 64m x 32 Paralelo -
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT: B -
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT25QL512ABB8ESF-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8ESF-0AAT 8.1150
RFQ
 ECAD 8817 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -791-mt25ql512abb8esf-0aat 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRN-107 AAT: P TR 21.0750
RFQ
 ECAD 9846 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT41K512M16VRN-107AAT: PTR EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 512m x 16 Paralelo 15ns
M36L0R7060L3ZSF TR Micron Technology Inc. M36L0R7060L3ZSF TR -
RFQ
 ECAD 7608 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto M36L0R7060 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500
MT29F2T08EMLKEM4-ITF:K TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLKEM4-ITF: K TR 64.8000
RFQ
 ECAD 7479 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F2T08EMLKEM4-ITF: KTR 2,000
MT29F2T08EMLEEJ4-R:E Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-R: E 42.9300
RFQ
 ECAD 7238 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo 0 ° C ~ 70 ° C Montaje en superficie 132-VBGA Flash - Nand (TLC) 2.6V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-R: E 1 No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
MT53B768M32D4DT-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4DT-062 AIT: B -
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT25QU128ABA8ESF-0AAT Micron Technology Inc. Mt25qu128aba8esf-0aat 4.7300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25Qu128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT47H64M8CF-187E:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-187E: G -
RFQ
 ECAD 9344 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 533 MHz Volante 512Mbit 350 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1NP-062 AAT: A TR -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
MT48LC2M32B2P-6:G Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6: G -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC2M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Mt48lc2m32b2p6g EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 64 Mbbit 5.5 ns Dracma 2m x 32 Paralelo 12ns
MTFC8GLTEA-1F WT Micron Technology Inc. Mtfc8gltea-1f wt -
RFQ
 ECAD 5986 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CEHBBJ4-3ES: B TR -
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29E512G08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EUHBFM4-T: B TR -
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F4T08 Flash - Nand (TLC) 1.7V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F4T08EUHBFM4-T: BTR Obsoleto 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4tbit Destello 512g x 8 Paralelo -
JS28F512P33TFA Micron Technology Inc. JS28F512P33TFA -
RFQ
 ECAD 3084 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F512P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 512Mbit 105 ns Destello 32m x 16 Paralelo 105ns
MT29F1G01ABAFD12-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-AAT: F 2.9984
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F1G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -MT29F1G01ABAFD12-AAT: FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 No Volátil 1 gbit Destello 1g x 1 SPI -
MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9DQKPR-046 W.9M9 87.4800
RFQ
 ECAD 1322 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo MT29VZZZBD9 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT29VZZZBD9DQKPR-046W.9M9 0000.00.0000 1.520
JS28F256P33BFE Micron Technology Inc. JS28F256P33BFE -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 256Mbit 105 ns Destello 16m x 16 Paralelo 105ns
MTFC4GLDDQ-4M IT TR Micron Technology Inc. Mtfc4glddq-4m it tr -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa Mtfc4 Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R 8.1100
RFQ
 ECAD 1467 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-R 1
PC28F128P30TF65A Micron Technology Inc. PC28F128P30TF65A -
RFQ
 ECAD 2214 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 864 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 65 ns Destello 8m x 16 Paralelo 65ns
MTFC2GMDEA-0M WT A Micron Technology Inc. Mtfc2gmdea-0m wt a -
RFQ
 ECAD 9099 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA Mtfc2g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MTFC2GMDEA-0MWTA Obsoleto 8542.32.0071 152 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 MMC -
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08CWCCBJ7-12: C TR -
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F2T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
MT41K1G16DGA-125:A Micron Technology Inc. MT41K1G16DGA-125: A -
RFQ
 ECAD 2317 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K1G16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9.5x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.020 800 MHz Volante 16 gbit 13.75 ns Dracma 1g x 16 Paralelo -
ECF620AAACN-C2-Y3-ES Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C2-Y3-ES -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo ECF620 - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
MT53D768M64D8SQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D8SQ-046 WT: E TR -
RFQ
 ECAD 7471 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-vfbga MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-vfbga (12.4x12.4) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H128M32L2KQ-5 WT: B -
RFQ
 ECAD 9545 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT46H128M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 4 gbit 5 ns Dracma 128m x 32 Paralelo 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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