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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H256M4CF-25E: H | - |  | 1382 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 256m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46H64M16LFBF-5 AIT: B | 7.0374 | | 4523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H64M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.782 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAH4: E | - | | 2848 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F1G01ABAFDSF-AAT: F | 2.9984 | | 6142 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT29F1G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 1g x 1 | SPI | - | ||||
 | MT29F2G08ABAEAH4-AATX: E TR | - | | 5703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | M25P16-VMW6TG TR | - | | 4182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53B768M32D4TT-062 WT: B | - | | 1065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 1.6 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | ||||
| M25PX80-VMN6TP TR | - | | 5152 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25PX80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
| Mt53b4danj-dc | - | | 5042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | - | Mt53b4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | Volante | Dracma | ||||||||||
| MTFC128GAPALNA-AAT | - | | 4187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | La Última Vez Que Compre | MTFC128 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | ||||||||||||||||
 | PC28F640P33B85D | - | | 5700 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F640 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 85 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT46H16M16LFBF-6 IT: A | - | | 8252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H16M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 12ns | ||
 | MT29F768G08EEHBBJ4-3R: B TR | - | | 8240 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F768G08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 768gbit | Destello | 96g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MTFC128GAPALNS-AAT ES TR | - | | 1155 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC128 | Flash - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
 | JS28F128J3F75H | - | | 4461 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F128J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 128 Mbbit | 75 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 75ns | ||||
 | Mt29f8g08adafawp-ites: F | - | | 1244 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 960 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT40A512M16LY-062E: E TR | 6.0000 | | 7311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||
| PC28F256P30T85B TR | - | | 3042 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 85 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
| MT53B512M64D4NK-053 WT: C | - | | 3004 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||
 | MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR | - | | 2991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | MT53E1G64D4NZ-46 WT: C | 76.0350 | | 6006 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53E1G64 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 376-WFBGA (14x14) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E1G64D4NZ-46WT: C | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | 18ns | |||||
| MT53D512M64D4NZ-046 WT: E TR | 49.0500 | | 9606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT53B512M32D2DS-062 AIT: C | - | | 3432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT48LC32M8A2TG-75 IT: D | - | | 6401 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U | - | | 2371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT29RZ4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT53E128M32D2FW-046 WT: A | 7.9200 | | 6308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E128M32D2FW-046WT: A | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||
 | MT58L512L18FF-10 | 16.5800 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volante | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | MT48H8M32LFB5-6: H | - | | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H8M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT48LC32M16A2P-75 IT: C | - | | 3661 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC32M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53D4D1ARQ-DC | - | | 7327 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | MT53D4 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.360 |
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