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Memoria (10402)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F16G08ABACAWP-IT: C TR	-	RFQ	8712	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F16G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	16 gbit		Destello	2G x 8	Paralelo	-
Mt46v16m16cy-6: k tr	-	RFQ	4921	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT46V16M16	SDRAM - DDR	2.3V ~ 2.7V	60-FBGA (8x12.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	167 MHz	Volante	256Mbit	700 PS	Dracma	16m x 16	Paralelo	15ns
MT53D1G32D4NQ-062 WT: D TR	-	RFQ	6997	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D1G32	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V		-		1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	2,000	1.6 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	1g x 32	-	-
MT29F256G08AMCBBK7-6: B TR	-	RFQ	1721	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	-	-	MT29F256G08	Flash - Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1,000	167 MHz	No Volátil	256 GBIT		Destello	32g x 8	Paralelo	-
MT49H32M9BM-25: B TR	-	RFQ	3246	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	144-TFBGA	MT49H32M9	Dracma	1.7V ~ 1.9V	144 µBGA (18.5x11)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	Volante	288Mbit	20 ns	Dracma	32m x 9	Paralelo	-
Mt29f8g16adadah4-it: D	-	RFQ	3599	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	63-vfbga	MT29F8G16	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	63-vfbga (9x11)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1.260		No Volátil	8 gbit		Destello	512m x 16	Paralelo	-
MT41J512M8THD-187E: D	-	RFQ	1830	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT41J512M8	SDRAM - DDR3	1.425V ~ 1.575V	78-FBGA (9x11.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	Volante	4 gbit	13.125 ns	Dracma	512m x 8	Paralelo	-
M25PE10-VMN3TPB TR	-	RFQ	1574	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	M25PE10	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	8-SO	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.32.0071	2.500	75 MHz	No Volátil	1 mbit		Destello	128k x 8	SPI	15 ms, 3 ms
MT48H16M32LFB5-6 AAT: C TR	-	RFQ	4651	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MÓVIL	1.7V ~ 1.95V	90-vfbga (8x13)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0028	1,000	166 MHz	Volante	512Mbit	5 ns	Dracma	16m x 32	Paralelo	15ns
MT29F4G08BBBWP TR	-	RFQ	9959	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F4G08	Flash - nand	1.7V ~ 1.95V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	4 gbit		Destello	512m x 8	Paralelo	-
MT53E1G64D8NW-053 WT: E	-	RFQ	6939	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1G64	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V		-			Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1.190	1.866 GHz	Volante	64 GBIT		Dracma	1g x 64	-	-
MT48H32M16LFB4-6 IT: C	7.0600	RFQ	1	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-vfbga	MT48H32M16	SDRAM - LPSDR MÓVIL	1.7V ~ 1.95V	54-vfbga (8x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0028	1.560	166 MHz	Volante	512Mbit	5 ns	Dracma	32m x 16	Paralelo	15ns
N25Q128A13BF840F TR	-	RFQ	2232	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8-vdfn	N25Q128A13	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	8-VDFPN (MLP8) (8x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	4.000	108 MHz	No Volátil	128 Mbbit		Destello	16m x 8	SPI	8 ms, 5 ms
MT29F32G08CBADBWP-12IT: D TR	6.7400	RFQ	3002	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT29F32G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	No Volátil	32 GBIT		Destello	4g x 8	Paralelo	-
EDB8132B4PM-1DAT-FD TR	-	RFQ	5849	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Montaje en superficie	168-WFBGA	EDB8132	SDRAM - Mobile LPDDR2	1.14V ~ 1.95V	168-FBGA (12x12)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	EDB8132B4PM-1DAT-F-DTR	EAR99	8542.32.0036	2,000	533 MHz	Volante	8 gbit		Dracma	256m x 32	Paralelo	-
N25W256A11EF840E	-	RFQ	8017	Micron Technology Inc.	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 lbGa	N25W256	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	100 lbGa (14x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	320	108 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	64m x 4	SPI	-
N25Q032A13ESFA0F TR	-	RFQ	4793	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	N25Q032A13	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-SOP2	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	108 MHz	No Volátil	32Mbit		Destello	8m x 4	SPI	8 ms, 5 ms
Mt47h32m16bn-3 it: d tr	-	RFQ	8812	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	84-TFBGA	MT47H32M16	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	84-FBGA (10x12.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	333 MHz	Volante	512Mbit	450 ps	Dracma	32m x 16	Paralelo	15ns
MT29F4G16ABCHC-ET: C TR	-	RFQ	9612	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	63-vfbga	MT29F4G16	Flash - nand	1.7V ~ 1.95V	63-vfbga (10.5x13)	-	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	4 gbit		Destello	256m x 16	Paralelo	-
MT47H256M8EB-25E AIT: C	-	RFQ	6105	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT47H256M8	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (9x11.5)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0036	1.320	400 MHz	Volante	2 GBIT	400 ps	Dracma	256m x 8	Paralelo	15ns
MT46H8M32LFB5-6 IT: H	-	RFQ	2182	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT46H8M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1.7V ~ 1.95V	90-vfbga (8x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	Volante	256Mbit	5 ns	Dracma	8m x 32	Paralelo	12ns
MT62F768M64D4EK-023 WT: B TR	34.2750	RFQ	2559	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-25 ° C ~ 85 ° C	Montaje en superficie	441-TFBGA	MT62F768	SDRAM - Mobile LPDDR5	-	441-TFBGA (14x14)	-				557-MT62F768M64D4EK-023WT: BTR			1.500	3.2 GHz	Volante	48 GBIT		Dracma	768m x 64	Paralelo	-
N25Q512A83G1240E	-	RFQ	8965	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	N25Q512A83	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	557-1570	3A991B1A	8542.32.0071	1.122	108 MHz	No Volátil	512Mbit		Destello	128m x 4	SPI	8 ms, 5 ms
MT53B512M64D4PV-053 WT ES: C	-	RFQ	7693	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	-	-	MT53B512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	-	-		1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	840	1.866 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	512m x 64	-	-
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR: B	-	RFQ	6520	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	152-TBGA	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	152-TBGA (14x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	980	166 MHz	No Volátil	512 GBIT		Destello	64g x 8	Paralelo	-
Rc28f00am29ewha	-	RFQ	8077	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64 lbGa	RC28F00	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		No Volátil	1 gbit	100 ns	Destello	128m x 8, 64m x 16	Paralelo	100ns
EDF8164A3PF-GD-FD	-	RFQ	7427	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	-	Edf8164	SDRAM - Mobile LPDDR3	1.14V ~ 1.95V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1.260	800 MHz	Volante	8 gbit		Dracma	128m x 64	Paralelo	-
MT48LC16M16A2B4-6A AAT: G TR	-	RFQ	1525	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-vfbga	MT48LC16M16A2	Sdram	3V ~ 3.6V	54-vfbga (8x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	2,000	167 MHz	Volante	256Mbit	5.4 ns	Dracma	16m x 16	Paralelo	12ns
MT40A2G16SKL-062E: B TR	-	RFQ	6819	Micron Technology Inc.	Twindie ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	96-TFBGA	MT40A2G16	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	96-FBGA (10.5x13)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	557-MT40A2G16SKL-062E: BTR	Obsoleto	8542.32.0071	2,000	1.6 GHz	No Volátil	32 GBIT	13.75 ns	Dracma	2G x 16	Paralelo	-
MT29F2T08GELCEJ4-QB: C	39.0600	RFQ	1867	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo								-				557-MT29F2T08GELCEJ4-QB: C			1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Memoria (10402)

2000+

30,000,000

2800+

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15,000 m²