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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M25PX32-VZM6FBA TR | - |  | 5671 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | M25PX32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT35XL01GBBA2G12-0AAT | - | | 4898 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | Mt29f256g08ceeabh6-12it: un tr | - | | 1802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.5V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6IT: D | - | | 7154 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F1G08ABBFAM78A3WC1 | - | | 5535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F1G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT53E256M32D2DS-046 AIT: B | 19.2500 | | 810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-046AIT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | ||
| Mtfc16gltam-wt | - | | 1881 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT46V32M16P-5B IT: J | - | | 8647 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.080 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F8T08GULBEM4: B | - | | 4793 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | - | MT29F8T08 | - | - | 557-MT29F8T08GULBEM4: B | Obsoleto | 1.120 | ||||||||||||||||
 | EDB5432BEBH-1DAUT-FD | - | | 6487 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | EDB5432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.680 | 533 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | |||
| M58WR064KU70D16 | - | | 8921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | M58WR064 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 66 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | M25P40-VMP6G | - | | 2494 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25P40 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 294 | 50 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A TR | 96.1650 | | 1726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | |||||||||
| MT41K256M16HA-125 M: E | - | | 9957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT28EW512ABA1LPC-1SIT | - | | 1983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | No Volátil | 512Mbit | 95 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
| MT53B512M32D2DS-062 XT: C TR | - | | 9161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
| EMFP112A3PB-DV-FR TR | - | | 7712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MT44K32M36RB-093F: A TR | - | | 3003 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M36 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 7.5 ns | Dracma | 32m x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT47H128M16RT-25E AAT: C | - | | 9338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (9x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.260 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| PF48F4000P0ZTQE3 | - | | 6201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 88-vfbga, cspbga | 48F4000P0 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-SCSP (8x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 176 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 100ns | ||
 | MT46V64M8CV-5B IT: J | - | | 7775 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A TR | - | | 2990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT62F2G64D8EK-026 AAT: B | 126.4350 | | 2825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F2G64D8EK-026AAT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
| M29W128GL7AZS6F TR | - | | 2075 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | M29W640GL70ZF6E | - | | 6254 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 816 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| Mt53b2dbds-dc | - | | 2016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | Volante | Dracma | |||||||||||
| MT46H32M32LFB5-5 EN: B | - | | 5517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| MT29F8T08GQLCEG8-QB: C | 156.3000 | | 6470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F8T08GQLCEG8-QB: C | 1 | |||||||||||||||||||||
 | JS28F00AP33TF | - | | 4095 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F00AP33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Q4518329 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 1 gbit | 105 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 105ns | |
| EDF8164A3PK-JD-FD | - | | 1829 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | Edf8164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - |
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