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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F2G08ABBEAHC-IT: E TR | 4.2400 |  | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT58L128L32F1T-8.5 | 3.0700 | | 3090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 4mbit | 8.5 ns | Sram | 128k x 32 | Paralelo | - | ||
 | MT41K512M16HA-107: A | - | | 1214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT29F256G08CKCABH2-12: A TR | - | | 3100 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT41K128M8DA-107 AIT: J | - | | 6109 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K128M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.140 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT29F512G08CEHBBJ4-3R: B | - | | 5231 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT29F128G08CBEABH6-12M: A TR | - | | 9078 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT48LC16M16A2P-6A AAT: G TR | - | | 6099 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 12ns | ||
 | MT53D1536M64D8EG-046 WT: A | - | | 6779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: A | Obsoleto | 1.360 | ||||||||||||||||||
| M29F080D70N6E | - | | 3407 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | M29F080 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 40-tsop | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | 70ns | |||
| MT29F256G08CBHBBJ4-3R: B | - | | 9609 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT62F1536M64D8CL-026 WT: B | 55.3050 | | 6706 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F1536M64D8CL-026WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT53B384M64D4NZ-053 WT: C | - | | 1632 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||||
 | MT28F128J3BS-12 MET TR | - | | 4215 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | Mt28f128j3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 Mbbit | 120 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | - | |||
 | M58LR128KT85ZB5E | - | | 5729 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | M58LR128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-vfbga (7.7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -M58LR128KT85ZB5E | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 2.016 | 66 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | |
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z: A TR | - | | 9053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MTFC16GAKAEDQ-AAT | - | | 8170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MTFC16 | Flash - nand | - | 100 lbGa (14x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT48H16M32L2F5-8 | - | | 4924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48H16M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.9V | 90-vfbga (8x13) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 512Mbit | 7.5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | ||
 | MT49H8M36SJ-25E: B TR | - | | 3530 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT53D512M32D2NP-046 AAT: D TR | - | | 1412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||
| MT53D1G32D4NQ-046 WT ES: E TR | - | | 6951 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||||||
| M29F040B90K6 | - | | 4571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | M29F040 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.35x13.89) | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 497-1705-5 | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | No Volátil | 4mbit | 90 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 90ns | ||
| M29W640FT70N6F TR | - | | 1839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT41J64M16JT-15E: G | - | | 7524 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
| MT29F128G08CABH1-12: A | - | | 1844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | JS28F640J3D75E | - | | 6669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F640J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 64 Mbbit | 75 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 75ns | |||
 | Mtfc8gamalbh-aat es tr | - | | 6870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC8 | Flash - nand | - | 153-TFBGA (11.5x13) | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT46H256M32L4JV-5 WT: B TR | - | | 5437 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 8 gbit | 5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
| Mt29f4g08abbdah4-it: d tr | 5.9300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F256G08CBCBBJ4-37: B | - | | 3491 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - |
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