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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B Micron Technology Inc. MT46H32M32LFB5-5 AAT: B -
RFQ
 ECAD 5639 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.440 200 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 32m x 32 Paralelo 15ns
MT49H64M9FM-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25E: B TR -
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H64M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 64m x 9 Paralelo -
MT40A1G8WE-075E IT:B Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E: B -
RFQ
 ECAD 5752 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.900 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT Micron Technology Inc. Mt29c4g48maybbamr-48 it it it -
RFQ
 ECAD 9007 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.782 208 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
N25Q128A13EW7DFE Micron Technology Inc. N25Q128A13EW7DFE -
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT28EW512ABA1LPC-0AAT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-0AAT -
RFQ
 ECAD 5023 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 512Mbit 105 ns Destello 64m x 8, 32m x 16 Paralelo 60ns
M29F400BT70M6E Micron Technology Inc. M29F400BT70M6E -
RFQ
 ECAD 3782 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) M29F400 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 16 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 70ns
M25PX80-VMP6G Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6G -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PX80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 490 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT29F1G01ABBFDSF-IT:F TR Micron Technology Inc. Mt29f1g01abbfdsf-it: f tr -
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT29F1G01 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 16-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 1g x 1 SPI -
MT41J256M8HX-15E:D TR Micron Technology Inc. MT41J256M8HX-15E: D TR -
RFQ
 ECAD 8321 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 667 MHz Volante 2 GBIT 13.5 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBBBBB1EW9-0SIT TR 13.1400
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn MT25QL01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR -
RFQ
 ECAD 7975 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 1.8V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 533 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDDR2) Paralelo -
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E -
RFQ
 ECAD 8457 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT48LC8M16A2B4-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-6A: L -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1.560 167 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 12ns
M25PE80-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25PE80-VMP6TG TR -
RFQ
 ECAD 5781 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PE80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-vdfpn (6x5) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 4.000 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT29F512G08CKCABH7-6R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6R: A -
RFQ
 ECAD 5438 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AKEBBK7-12: B TR -
RFQ
 ECAD 5276 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.5V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B Micron Technology Inc. MT29F2T08CUHBBM4-3R: B -
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F2T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V - - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADFAKD-6 E IT TR -
RFQ
 ECAD 5274 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-TFBGA MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-TFBGA (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 1GBIT (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (NAND), 32M x 32 (LPDRAM) Paralelo -
NM4081H0HA15J68E Micron Technology Inc. NM4081H0HA15J68E -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136
MT46V32M16P-5B L:J Micron Technology Inc. MT46V32M16P-5B L: J -
RFQ
 ECAD 5448 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29E128G08CECABJ1-10Z:A Micron Technology Inc. MT29E128G08CECABJ1-10Z: A -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29E128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT46V32M8P-6T:GTR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T: GTR -
RFQ
 ECAD 7161 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 700 PS Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
MT47H128M8CF-25E:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-25E: H TR -
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-046 WT ES: E TR -
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-046 WT ES: E -
RFQ
 ECAD 2632 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR Micron Technology Inc. MT29E2T08CTCBBJ7-6: B TR -
RFQ
 ECAD 2726 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29E2T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 167 MHz No Volátil 2Tbit Destello 256g x 8 Paralelo -
JS28F00AP30EFA Micron Technology Inc. JS28F00AP30EFA -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F00AP30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 1 gbit 110 ns Destello 64m x 16 Paralelo 110ns
EDFA164A2MA-JD-F-D Micron Technology Inc. Edfa164a2ma-jd-fd -
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.980 Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo - Sin verificado
M25PX32-VMW6E Micron Technology Inc. M25PX32-VMW6E -
RFQ
 ECAD 6549 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) M25PX32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO W - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 75 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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