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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
FM25V20A-DG	-	RFQ	5167	Cypress Semiconductor Corp	F-RAM ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8 wdfn	FM25V20	Fram (Carnero Ferroeléctrico)	2V ~ 3.6V	8-DFN (5x6)	descascar						1	40 MHz	No Volátil	2 mbit		Fram	256k x 8	SPI	-	Sin verificado
Cy7C1411KV18-250BZXC	-	RFQ	8674	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1411	Sram - Sincónnico, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar	Rohs no conforme		Vendedor indefinido			1	250 MHz	Volante	36 mbit		Sram	4m x 8	Paralelo	-	Sin verificado
7164S55DB	-	RFQ	6833	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C (TA)	A Través del Aguetero	28-CDIP (0.600 ", 15.24 mm)	7164s	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	28 CDIP	descascar				3A001A2C	8542.32.0041	1		Volante	64 kbits	55 ns	Sram	8k x 8	Paralelo	55ns
S29GL512T11FHIV20	-	RFQ	5843	Cypress Semiconductor Corp	GL-T	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64 lbGa	S29GL512	Flash - Ni	1.65V ~ 3.6V	64-FBGA (13x11)	descascar						1		No Volátil	512Mbit	110 ns	Destello	64m x 8	Paralelo	60ns	Verificado
CY62128ElL-45SXIT	-	RFQ	9791	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho)	CY62128	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	32-SOICO	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado			1		Volante	1 mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Paralelo	45ns	Sin verificado
CY62137FV18LL-55BVXI	-	RFQ	4776	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY62137	Sram - Asínncrono	1.65V ~ 2.25V	48-vfbga (6x8)	descascar						1		Volante	2 mbit	55 ns	Sram	128k x 16	Paralelo	55ns	Sin verificado
CY7C1520KV18-300BZXI	148.6800	RFQ	32	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1520	Sram - Síncrono, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						3	300 MHz	Volante	72Mbit		Sram	2m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
S34ml08g101tfi000	-	RFQ	7182	Extensión	Ml-1	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	S34ml08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar					0000.00.0000	1		No Volátil	8 gbit		Destello	1g x 8	Paralelo	25ns
Fm25l16b-dg	-	RFQ	1801	Cypress Semiconductor Corp	F-RAM ™	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8 wdfn	FM25L16	Fram (Carnero Ferroeléctrico)	2.7V ~ 3.6V	8-DFN (4x4.5)	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Vendedor indefinido	EAR99	8542.32.0070	148	20 MHz	No Volátil	16 kbits		Fram	2k x 8	SPI	-	Sin verificado
S26KS128SDPBHB020	-	RFQ	5275	Extensión	Automotriz, AEC-Q100, Hyperflash ™ KS	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-VBGA	S26KS128	Flash - Ni	1.7V ~ 1.95V	24-FBGA (6x8)	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1	166 MHz	No Volátil	128 Mbbit	96 ns	Destello	16m x 8	Paralelo	-
CAT24C32WI-GT3	-	RFQ	2582	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	CAT24C32	Eeprom	1.7V ~ 5.5V	8-Soico	descascar				EAR99	8542.32.0051	1	1 MHz	No Volátil	32 kbits	400 ns	Eeprom	4k x 8	I²C	5 ms
CY14B108N-ZSP45XI	-	RFQ	8343	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	CY14B108	Nvsram (sram no volátil)	2.7V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar						8		No Volátil	8mbit	45 ns	Nvsram	512k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
AT24HC04BN-SP25-B	0.9400	RFQ	2	Atmel	Automotriz, AEC-Q100	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	AT24HC04	Eeprom	2.5V ~ 5.5V	8-Soico	descascar				EAR99	8542.32.0051	1	400 kHz	No Volátil	4 kbits	900 ns	Eeprom	512 x 8	I²C	5 ms
71024S20yg	-	RFQ	3310	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71024s	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	32-SOJ	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	1 mbit	20 ns	Sram	128k x 8	Paralelo	20ns
Cy7c1565kv18-450bzi	239.7500	RFQ	174	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1565	Sram - Síncrono, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						1	450 MHz	Volante	72Mbit		Sram	2m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
71V67703S80BQ	26.6900	RFQ	216	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165-TBGA	71v67703	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.465V	165-Cabga (13x15)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volante	9 MBIT	8 ns	Sram	256k x 36	Paralelo	-
Cy7c1480bv33-250bzi	193.3600	RFQ	3	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1480	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.6V	165-FBGA (15x17)	descascar	ROHS3 Cumplante					6	250 MHz	Volante	72Mbit	3 ns	Sram	2m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
CAT34C02VP2I-GT3	-	RFQ	5695	onde	*	Una granela	Activo								descascar				EAR99	8542.32.0051	1
CY7C1021D-10ZSXI	3.0100	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY7C1021	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	44-TSOP II	descascar						100		Volante	1 mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	10ns	Sin verificado
71V016SA20ygi	2.4900	RFQ	365	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71v016	Sram - Asínncrono	3V ~ 3.6V	44-SOJ	descascar				3A991B2B	8542.32.0041	1		Volante	1 mbit	20 ns	Sram	64k x 16	Paralelo	20ns
S34ML08G101BHI000	-	RFQ	1325	Extensión	Ml-1	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	63-vfbga	S34ml08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	63-BGA (11x9)	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	8 gbit		Destello	1g x 8	Paralelo	25ns
Cy7C1615KV18-333BZXC	296.1900	RFQ	111	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1615	Sram - Sincónnico, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	descascar						2	333 MHz	Volante	144mbit		Sram	4m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
7164l25yg	-	RFQ	4677	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho)	7164L	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	descascar				EAR99	8542.32.0041	1		Volante	64 kbits	25 ns	Sram	8k x 8	Paralelo	25ns
CY7C1470BV25-167AXC	131.4700	RFQ	101	Infineon Technologies	Nobl ™	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	CY7C1470	Sram - Sincónnico, SDR	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x20)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	3A991B2A	8542.32.0041	144	167 MHz	Volante	72Mbit	3.4 ns	Sram	2m x 36	Paralelo	-
CY14B104LA-ZS25XI	-	RFQ	9155	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY14B104	Nvsram (sram no volátil)	2.7V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante					135		No Volátil	4mbit	25 ns	Nvsram	512k x 8	Paralelo	25ns	Sin verificado
CY7C1420KV18-250BZXI	42.8800	RFQ	64	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1420	Sram - Síncrono, DDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						7	250 MHz	Volante	36 mbit		Sram	1m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
71V65703S85Bqi	29.1800	RFQ	377	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165-TBGA	71V65703	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	165-Cabga (13x15)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	9 MBIT	8.5 ns	Sram	256k x 36	Paralelo	-
AT28C010E-12EM/883	539.8800	RFQ	1	Atmel	-	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 125 ° C (TC)	Montaje en superficie	32-Clcc	AT28C010	Eeprom	4.5V ~ 5.5V	32-LCC (11.43x13.97)	descascar				3A001A2C	8542.32.0051	1		No Volátil	1 mbit	120 ns	Eeprom	128k x 8	Paralelo	10 ms	Sin verificado
CY7C199C-20VXCT	-	RFQ	1306	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho)	CY7C199	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	28-SOJ	descascar				EAR99	8542.32.0041	1		Volante	256 kbit	20 ns	Sram	32k x 8	Paralelo	20ns
S70FS01GSAGMFI010	12.2800	RFQ	4004	Extensión	FS-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	S70FS01	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	16-soico	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	No Volátil	1 gbit		Destello	128m x 8	SPI - Quad I/O	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²