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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
S25FL128SAGMFIG00	-	RFQ	9684	Extensión	FL-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	S25FL128	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-soico	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	No Volátil	128 Mbbit		Destello	16m x 8	SPI - Quad I/O	-
Cy7c1163kv18-400bzi	37.1400	RFQ	559	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1163	Sram - Síncrono, QDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						9	400 MHz	Volante	18mbit		Sram	1m x 18	Paralelo	-	Sin verificado
71V3558S100PFGI	11.0800	RFQ	594	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v3558	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	100 MHz	Volante	4.5Mbit	5 ns	Sram	256k x 18	Paralelo	-
71V65603ZS133PFG	6.0000	RFQ	121	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v65603	SRAM - ZBT	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x20)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	Volante	9 MBIT	4.2 ns	Sram	256k x 36	Paralelo	-
71V35761SA166BGI	11.7900	RFQ	34	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	119-BGA	71v35761s	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.465V	119-PBGA (14x22)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	166 MHz	Volante	4.5Mbit	3.5 ns	Sram	128k x 36	Paralelo	-
71v416l12yg8	4.1400	RFQ	430	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	71v416l	Sram - Asínncrono	3V ~ 3.6V	44-SOJ	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	4mbit	12 ns	Sram	256k x 16	Paralelo	12ns
Cy62167ev30ll-45zxa	-	RFQ	6040	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	CY62167	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Vendedor indefinido	3A991B2A	8542.32.0040	10		Volante	16mbit	45 ns	Sram	2m x 8, 1m x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
71V65803S150PFGI	27.5600	RFQ	2	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71v65803	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1	150 MHz	Volante	9 MBIT	3.8 ns	Sram	512k x 18	Paralelo	-
CY62167EV30LL-45BVXI	-	RFQ	4840	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY62167	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 3.6V	48-vfbga (6x8)	descascar						29		Volante	16mbit	45 ns	Sram	2m x 8, 1m x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
CY7C1480BV25-167AXC	142.3800	RFQ	423	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	CY7C1480	Sram - Sincónnico, SDR	2.375V ~ 2.625V	100-TQFP (14x20)	descascar						3	167 MHz	Volante	72Mbit	3.4 ns	Sram	2m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
CY62137FV30LL-55ZSXE	6.3100	RFQ	10	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY62137	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar						48		Volante	2 mbit	55 ns	Sram	128k x 16	Paralelo	55ns	Sin verificado
Cy62157esl-45zsxi	-	RFQ	7171	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY62157	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 5.5V	44-TSOP II	descascar						1		Volante	8mbit	45 ns	Sram	512k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
S25FL256LAGMFV001	4.0600	RFQ	88	Extensión	FL-L	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	S25FL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-soico	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI - Quad I/O, QPI	-
S29GL512S10FHI013	-	RFQ	9222	Extensión	GL-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64 lbGa	S29GL512	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	512Mbit	100 ns	Destello	32m x 16	Paralelo	60ns
S29GL512S11FHB023	-	RFQ	3466	Extensión	GL-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	64 lbGa	S29GL512	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	512Mbit	110 ns	Destello	32m x 16	Paralelo	60ns
CY7C1670KV18-450BZXC	345.5500	RFQ	312	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1670	Sram - Síncrono, DDR II+	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (15x17)	descascar						1	450 MHz	Volante	144mbit		Sram	4m x 36	Paralelo	-	Sin verificado
S25FL512SAGMFIR11J	4.6700	RFQ	8156	Cypress Semiconductor Corp	FL-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	S25FL512	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	16-soico	descascar				3A991B1A	8542.32.0071	1	133 MHz	No Volátil	512Mbit	8 ns	Destello	64m x 8	SPI - Quad I/O	750 µs
S25FS128SDSBHV200	3.0500	RFQ	540	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	S25FS128	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	24-BGA (8x6)	descascar						560	80 MHz	No Volátil	128 Mbbit		Destello	16m x 8	SPI - Quad I/O, QPI	-	Sin verificado
S29AS016J70BFI030	-	RFQ	1302	Cypress Semiconductor Corp	As-j	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	S29AS016	Flash - Ni	1.65V ~ 1.95V	48-FBGA (8.15x6.15)	descascar						1		No Volátil	16mbit	70 ns	Destello	2m x 8, 1m x 16	Paralelo	70ns	Sin verificado
CY7C1426KV18-300BZXC	-	RFQ	4575	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	165 lbGa	CY7C1426	Sram - Sincónnico, QDR II	1.7V ~ 1.9V	165-FBGA (13x15)	descascar						7	300 MHz	Volante	36 mbit		Sram	4m x 9	Paralelo	-	Sin verificado
AT28HC64B-70SU	1.0000	RFQ	5077	Atmel	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	AT28HC64	Eeprom	4.5V ~ 5.5V	28-soico	descascar				EAR99	8542.32.0051	1		No Volátil	64 kbits	70 ns	Eeprom	8k x 8	Paralelo	10 ms	Sin verificado
CAT25C08V-26735	0.1400	RFQ	5786	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	CAT25C08	Eeprom	2.5V ~ 5.5V	8-Soico	descascar				EAR99	8542.32.0051	1	10 MHz	No Volátil	8 kbits	40 ns	Eeprom	1k x 8	SPI	5 ms
71V65903S85PFG	19.8800	RFQ	305	IDT, Integrated Device Technology Inc	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	71V65903	Sram - Sincónnico, SDR (ZBT)	3.135V ~ 3.465V	100-TQFP (14x14)	descascar				3A991B2A	8542.32.0041	1		Volante	9 MBIT	8.5 ns	Sram	512k x 18	Paralelo	-
CY14E256LA-SZ45XQ	-	RFQ	5164	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho)	CY14E256	Nvsram (sram no volátil)	4.5V ~ 5.5V	32-SOICO	descascar						1		No Volátil	256 kbit		Nvsram	32k x 8	Paralelo	45ns	Sin verificado
CY62157ElL-45ZSXI	-	RFQ	7745	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY62157	Sram - Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	44-TSOP II	descascar						1		Volante	8mbit	45 ns	Sram	512k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
CY62157EV30LL-45ZSXA	-	RFQ	4547	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY62157	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar						35		Volante	8mbit	45 ns	Sram	512k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado
CAT93C56SI-26492	-	RFQ	6106	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	CAT93C56	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8-Soico	descascar				EAR99	8542.32.0051	1	2 MHz	No Volátil	2 kbits		Eeprom	256 x 8, 128 x 16	Microondas	-
AT93C46D-TP25-T	0.4400	RFQ	8	Atmel	-	Una granela	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	93C46	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8-TSOP	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	EAR99	8542.32.0051	5,000	2 MHz	No Volátil	1 kbit		Eeprom	128 x 8, 64 x 16	Serie de 3 Hilos	5 ms
CY14B101KA-ZS45XI	22.7600	RFQ	14	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho)	CY14B101	Nvsram (sram no volátil)	2.7V ~ 3.6V	44-TSOP II	descascar						14		No Volátil	1 mbit	45 ns	Nvsram	128k x 8	Paralelo	45ns	Sin verificado
CY62136EV30LL-45BVXI	-	RFQ	8732	Cypress Semiconductor Corp	MOBL®	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-vfbga	CY62136	Sram - Asínncrono	2.2V ~ 3.6V	48-vfbga (6x8)	descascar						1		Volante	2 mbit	45 ns	Sram	128k x 16	Paralelo	45ns	Sin verificado

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²