SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (2120)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Cuidadas Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Corriente - Suministro Voltaje - Entrada (Max) Tipo de Salida Número de Circuitos Ratio - Entrada: Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo lógico Número de elementos Número de bits por elemento Corriente - Salida Alta, Baja Amontonamiento Current - Obliescent (Max) Ritmo -3db Ancho de Banda Corriente - Salida / Canal TUPO de Amplificador Corriente - Sesgo de Entrada Voltaje - Compensación de Entrada Voltaje - Supil Span (min) Voltaje - Supple Span (Max) Número de Entradas Número de e/s Procesador central Tamaña de Núcleo Velocidad Conectividad Periféricos Tamaña de la Memoria del Programa Tipo de Memoria del Programa Tamaña de la época Tamaña de la Carnero Voltaje - Suministro (VCC/VDD) Convertidoros de datos TUPO de Oscilador Circuito de Interruptor CircuitO Multiplexor/Demultiplexor Resistencia en el Estado (Max) Matricio de canal un canal (ΔRon) Voltaje - Suministro, Single (V+) Voltaje - Suministro, Dual (V ±) Tiempo de Cambio (Ton, Toff) (Máximo) Inyeción de Carga Capacitancia del Canal (CS (OFF), CD (OFF)) Corriente - Fugas (ES (APAGADO)) (MAX) Pisoteo Protocolo Número de conductores/receptores Dúplex Tasa de datos Interfaz Señal de entrada Señal de Salida Número de Salidas Max de propagación del propita @ v, max cl Real - Obliescent (IQ) Real - Suministro (Max) Nivel Lógico de Entrada - Bajo Nivel Lógico de Entrada - Alto Circuito Circuitos Independientes Tiempo de RetRaso - Propagación Tipo de comerciante Tipo de Canal Canales por Circuito Voltaje - VCCA Voltaje - VCCB Topología FRECUENCIA - CONMUTACIÓN Protección Contra Fallas Caracteríssticas de control Configuración de salida Rectificador Sincónnico Corriente - Salida RDS ON (typ) Voltaje - Carga TUPO de MOTOR - PASO TUPO DE MOTOR - AC, DC Resolución de Pasos TUPO DE INTERRUPTOR Corriente - Salida (Max) Voltaje - Salida (Min/Fijo) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Entrada (min) Número de reguladores El abandono de voltaje (max) PSRR Caracteríssticas de Proteción
TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305, LM (CT 0.3500
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCR2EE Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 TCR2EE305 5.5V Fijado ESV descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Permiso Positivo 200 MMA 3.05V - 1 0.2V @ 150MA 73db (1kHz) SOBRE LA CORRIENTE
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L1.2, F) -
RFQ
 ECAD 8474 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TB7101 5.5V Fijado PS-8 (2.9x2.4) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1MHz Positivo Si 1A 1.2V - 2.7V
TC7SZ04FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ04FE, LJ (CT 0.3700
RFQ
 ECAD 531 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SOT-553 - 7SZ04 1 1.65V ~ 5.5V ESV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 4.000 Inversor 32MA, 32MA 2 µA 1 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TAR5S30UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Tar5s30ute85lf 0.5100
RFQ
 ECAD 865 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Plano Plano Tar5S30 15V Fijado UFV descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Permiso Positivo 200 MMA 3V - 1 0.2V @ 50MA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC74VCX164245ELF Toshiba Semiconductor and Storage Tc74vcx164245elf 0.5423
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tc74vcx Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.240 ", Ancho de 6.10 mm) - 74VCX164245 Tri-estatal 2 48-TSOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1,000 - - - Nivel de Voltaje Bidireccional 8 1.65 V ~ 2.7 V 2.3 V ~ 3.6 V
TC75S54F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S54F, LF 0.5100
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 TC75S54 100 µA - 1 SMV descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.33.0001 3.000 0.7V/µs 700 µA Propósito general 1 PA 2 MV 1.8 V 7 V
TC7SZ38F(T5L,JF,T) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ38F (T5L, JF, T) -
RFQ
 ECAD 6368 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC7SZ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 Desagüe 7SZ38 1 1.65V ~ 5.5V SMV descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Puerta de Nand -, 32MA 2 µA 2 4.3ns @ 5V, 50pf - -
TA58L12S,LS1TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S, LS1TOKQ (J -
RFQ
 ECAD 2779 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TA58L12 29V Fijado Un 220nis descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 1.2 Ma 50 Ma - Positivo 250 Ma 12V - 1 0.4V @ 200MA - Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TC74LCX541FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX541FT (EL) -
RFQ
 ECAD 9200 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74LCX Digi-Reel® Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74LCX541 1.65V ~ 3.6V 20-TSOP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Búfer, sin inversor 1 8 24 Ma, 24 Ma
TMPM066FWUG Toshiba Semiconductor and Storage Tmpm066fwug 2.7720
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TX00 Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-LQFP TMPM066 64-LQFP (10x10) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TMPM066FWUG (JZ) 3A991A2 8542.31.0001 160 48 ARM® Cortex®-M0 32 bits de un solo nús 24MHz I²C, SIO, SPI, UART/USART, USB DMA, LVD, por, WDT 128kb (128k x 8) Destello - 16k x 8 1.8v ~ 3.6V A/D 8x10b Externo
TBD62786AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tbd62786afng, el 1.8200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 18-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - TBD62786 Invertido Canal P 1: 1 18-ssop descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.39.0001 2,000 2V ~ 50V Encendido/apaguado 8 - Lado Alto 1.6ohm 0V ~ 50V Propósito general 400mA
TMPM4G8FDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8FDFG (DBB) 11.7800
RFQ
 ECAD 1123 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TX04 Banda Activo -40 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Tmpm4g8 100-LQFP (14x14) descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM® Cortex®-M4F 32 bits de un solo nús 160MHz CEC, EBI/EMI, I²C, IRDA, SIO, SPI, SMIF, UART/USART DMA, LVD, por, WDT 512kb (512k x 8) Destello 32k x 8 128k x 8 2.7V ~ 3.6V A/D 24x12b; D/a 2x8b Interno
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK302G, LF 0.4658
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TCK30 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 9-UFBGA, WLCSP Tasa de Matriz Controlada, Bandera de Estado TCK302 - N-canal 1: 1 9-WCSP (1.5x1.5) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 5,000 Sin requerido Encendido/apaguado 1 Temperatura Sobre Voltaje, Corriente Inversa, Uvlo Lado Alto 73mohm 2.3V ~ 28V Propósito general 3A
TB67S289FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb67s289ftg, el 4.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 48-vfqfn almohadilla exposición TB67S289 Potencia Mosfet 4.75V ~ 5.25V 48-vqfn (7x7) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 4.000 Controlador - Totalmento integrado, Control y Etapa de Potencia Paralelo Medio Puente (8) 3A 10V ~ 47V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
74HC541D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC541D 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74HC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 20-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) 74HC541 - De 3 estados 2V ~ 6V 20-SOICO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2,000 Búfer, sin inversor 1 8 7.8MA, 7.8MA
TC7W02FU(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W02FU (TE12L) -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 7W Digi-Reel® Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) - 7w02 2 2V ~ 6V 8-ssop descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Ni Puerta 5.2MA, 5.2MA 1 µA 2 13ns @ 6V, 50pf 0.5V ~ 1.8V 1.5V ~ 4.2V
74VHC4066AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4066 Atta 0.4000
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74VHC4066 4 14-TSOPB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 - SPST - No 1: 1 37ohm 5ohm 2V ~ 5.5V - 12ns, 12ns - 5.5pf 100na -45DB @ 1MHz
TB6615PG,8 Toshiba Semiconductor and Storage Tb6615pg, 8 2.3400
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TB6615 16 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Tb6615pg8 EAR99 8542.39.0001 25
TCR3UM18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM18A, LF 0.4500
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr3um Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 4-udfn almohadilla exposición TCR3UM18 5.5V Fijado 4-DFN (1x1) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 680 na Límita real, Habilitar Positivo 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300mA 70dB (1kHz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TD62084AFG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62084AFG, N -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 18-SOICO (0.276 ", 7.00 mm de ancho) Conductor TD62084 6V ~ 15V 18-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 40 - 8/0 - -
74VHC4052AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4052Aft 0.5100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-TSOP (0.173 ", 4.40 mm de ancho) 74VHC4052 2 16-tsopb descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 230MHz Sp4t 4: 1 37ohm 5ohm 2V ~ 5.5V - 12ns, 12ns - 0.5pf, 13.1pf 100na -45DB @ 1MHz
74LCX573FT Toshiba Semiconductor and Storage 74lcx573ft 0.5700
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74LCX Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 20-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) 74LCX573 Tri-estatal 1.65V ~ 3.6V 20-tssopb descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 Pestillo de Tipo D 24 Ma, 24 Ma 8: 8 1 8ns
TC74AC04FN(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC04FN (F, M) -
RFQ
 ECAD 2563 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TC74AC Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 14-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) - 74ac04 6 2V ~ 5.5V 14-sol descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 50 Inversor 24 Ma, 24 Ma 4 µA 1 6.6ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP, 6FNCF (J -
RFQ
 ECAD 4631 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO TA78L015 35V Fijado LSTM descascar 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - Positivo 150 Ma 15V - 1 1.7V @ 40MA (typ) 40dB (120Hz) Sobre La Corriente, Sobre la temperatura
TBD62004APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004APG 1.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) - TBD62004 Invertido N-canal 1: 1 16 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TBD62004APG (Z, Hz) EAR99 8542.39.0001 25 Sin requerido Encendido/apaguado 7 - Lado Bajo - 50V (Máximo) Propósito general 500mA
TCR2LN30,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN30, LSF (SE 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Tcr2ln Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición 4-xfdfn 5.5V Fijado 4-SDFN (0.8x0.8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 10,000 2 µA Permiso Positivo 200 MMA 3V - 1 0.28V @ 150MA - SOBRE LA CORRIENTE
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L1.5, F) -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano TB7101 5.5V Fijado PS-8 (2.9x2.4) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Atropellado 1 Dólar 1MHz Positivo Si 1A 1.5V - 2.7V
TC7SET34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET34FU, LJ (CT 0.3300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Conjunto TC7 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Tc7set34 - Empuje 4.5V ~ 5.5V 5-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 3.000 Búfer, sin inversor 1 1 8 ma, 8 ma
74VHC21FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC21ft 0.4100
RFQ
 ECAD 8146 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento 74 VHC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 14-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) - 74VHC21 2 2V ~ 5.5V 14-TSOPB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8542.39.0001 2.500 Y Puerta 8 ma, 8 ma 2 µA 4 7ns @ 5V, 50pf 0.5V ~ 1.65V 1.5V ~ 3.85V
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tb6605ftg, el 2.8700
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Propósito general Montaje en superficie 36-vfqfn almohadilla exposición TB6605 Bi-CMOS 9V ~ 28V 36-vqfn (5x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.39.0001 2,000 Controlador: Conmutacia, Gestión de Dirección Paralelo Pre -conductor - Medio Puente (3) - - - DC Sin Escobillas (BLDC) -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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