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Circuitos Integrados (ICS) (5782)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS49RL18320-125FBLI | - |  | 6967 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL18320-125FBLI | Obsoleto | 1 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
 | IS43LD16128C-18BLI-TR | 9.8250 | | 4995 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LD16128C-18BLI-TR | 2,000 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||
| IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 2.1457 | | 2540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 3.000 | 104 MHz | Volante | 16mbit | 7 ns | Psram | 2m x 8 | SPI, QPI | - | ||||
| IS25LP512MG-JLLE-TR | 4.2584 | | 9923 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP512MG-JLLE-TR | 4.000 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 4ms | ||||
| IS43LQ32128AL-062TBLI-TR | 11.7306 | | 5703 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32128Al-062TBLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | - | |||||
| IS46TR16128C-125KBLA25 | 7.0633 | | 4324 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25 | 190 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
| IS46LQ16128Al-062TBLA2 | 11.6916 | | 6895 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128Al-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||
| IS25LP032D-JTLA3-TR | 1.1525 | | 8519 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-Uson (4x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP032D-JTLA3-TR | 5,000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 7 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS61WV6416EEBLL-8TLI | 2.3255 | | 6337 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI | 135 | Volante | 1 mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 8ns | |||||
| IS25LP040E-JNLA3 | 0.5163 | | 5187 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP040E-JNLA3 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 8 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 40 µs, 1.2 ms | ||||
| IS46LQ16128Al-062BLA1-TR | - | | 5001 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128Al-062BLA1-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||
| IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR | 2.1576 | | 6089 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR | 1,000 | Volante | 1 mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 8ns | |||||
| IS46LQ16128Al-062BLA2 | - | | 4289 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128Al-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||
| IS25WP128F-JLLE | 2.1987 | | 1451 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 1.95V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP128F-JLLE | 480 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS22TF64G-JQLA1-TR | 50.4735 | | 4208 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100-LFBGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS22TF64G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||
| IS25LP512MH-JLLE | 6.7057 | | 8288 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP512MH-JLLE | 480 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||||
| IS34ML01G084-BLI-TR | 2.7803 | | 1951 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS34ML01G084-BLI-TR | 2.500 | No Volátil | 1 gbit | 20 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | Sin verificado | |||
| IS25LP128F-RHLA3 | 2.6234 | | 5422 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP128F-RHLA3 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6.5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS43TR82560D-107MBL-TR | 4.0485 | | 7575 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR82560D-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| IS43LD32128B-25BLI-TR | 10.6400 | | 9035 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD32128B-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | 5.5 ns | Dracma | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
| IS43LQ32128Al-062BLI | - | | 5701 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32128Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | - | |||||
| IS64WV204816BLL-12CTLA3-TR | 32.5850 | | 2704 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64WV204816BLL-12CTLA3-TR | 1.500 | Volante | 32Mbit | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Paralelo | 12ns | |||||
| IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR | 17.6890 | | 8400 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR | 2,000 | 117 MHz | Volante | 9 MBIT | 7.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
| IS43R16320F-5TL | 3.2303 | | 1430 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43R16320F-5TL | 108 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | ||||
| IS46TR16512BL-107MBLA1-TR | 22.7164 | | 3531 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16512BL-107MBLA1-TR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
| IS46LQ32640Al-062BLA2 | - | | 7473 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32640Al-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | ||||
| IS46LQ16256A-062TBLA1 | 14.3129 | | 7071 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | |||||
| IS46LQ32640Al-062TBLA2 | - | | 7726 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32640Al-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 64m x 32 | Lvstl | 18ns | ||||
| IS64WV6416EEBLL-10BLA3-TR | 3.7550 | | 6444 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64WV6416EEBLL-10BLA3-TR | 2.500 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 10ns | |||||
| IS61WV102416Edall-10bli | - | | 7546 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV102416Edall-10bli | 480 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 10ns |
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