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Circuitos Integrados (ICS) (5782)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS49NLC96400A-25WBLI | 51.8860 |  | 6386 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC96400A-25WBLI | 104 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 9 | Hstl | - | ||
| IS61WV6416EEBLL-10KLI | 2.3255 | | 9989 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 36-SOJ | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI | 16 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
| IS66WVQ4M4DBLL-133BLI-TR | 2.2990 | | 4137 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS66WVQ4M4DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Volante | 16mbit | Psram | 4m x 4 | SPI - Quad I/O | 37.5ns | |||
| IS46LQ32256A-062BLA1 | 22.5750 | | 8978 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32256A-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Lvstl | 18ns | |||
| IS43QR16256B-075UBLI | 10.6788 | | 3663 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-TWBGA (7.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43QR16256B-075UBLI | 198 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns | |||
| IS46TR16128DL-107MBLA1 | 5.6821 | | 9504 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS49NLC36160A-25WBLI | 51.8860 | | 8628 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC36160A-25WBLI | 104 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 36 | Hstl | - | ||
| IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR | 33.1569 | | 7883 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-LWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR | 2,000 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS46QR16512A-075VBLA2-TR | 21.5460 | | 8851 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46QR16512A-075VBLA2-TR | 2,000 | 1.333 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS43TR16512B-125KBL-TR | 17.1038 | | 4450 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512B-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS46LQ32128Al-062TBLA2 | - | | 5854 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32128Al-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | 18ns | |||
| IS49NLC36160A-25EWBLI | 54.4856 | | 6084 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC36160A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 15 ns | Dracma | 16m x 36 | Hstl | - | ||
| IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR | 3.0653 | | 1684 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR | 2.500 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 40 ns | Psram | 8m x 8 | Hiperbus | 400ns | |||
| IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR | 11.9035 | | 8248 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR | 2.500 | Volante | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
| IS61WV20488FBLL-10BLI-TR | 8.5785 | | 5739 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV20488FBLL-10BLI-TR | 2.500 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Paralelo | 10ns | ||||
| IS46TR16640ED-15HBLA3 | - | | 3928 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16640ED-15HBLA3 | 190 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||
| IS61WV25616FBLL-10BLI-TR | 2.8201 | | 9229 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV25616FBLL-10BLI-TR | 2.500 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
| IS62WV25616ECLL-35TLI-TR | 3.8263 | | 5395 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.465V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV25616ECLL-35TLI-TR | 1,000 | Volante | 4mbit | 35 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||
| IS66WVQ2M4DBLL-133BLI-TR | 2.0139 | | 5134 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS66WVQ2M4DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Volante | 8mbit | Psram | 2m x 4 | SPI - Quad I/O | 37.5ns | |||
| IS49RL18640-107EBLI | 120.0345 | | 7896 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168 lbga | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-FBGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49RL18640-107EBLI | 119 | 933 MHz | Volante | 1.152gbit | 8 ns | Dracma | 64m x 18 | Paralelo | - | ||
| IS46LQ32128Al-062TBLA1 | - | | 7420 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32128Al-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | 18ns | |||
| IS43LR16640C-6BLI-TR | 7.1820 | | 5302 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16640C-6BLI-TR | 2,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS43QR85120B-083RBLI | 10.6342 | | 8798 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43QR85120B-083RBLI | 136 | 1.2 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 8 | Vana | 15ns | |||
| IS43TR81024B-107MBL | 21.5163 | | 4465 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR81024B-107MBL | 136 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| IS49NLC93200A-25EWBLI | 31.9177 | | 4963 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC93200A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 32m x 9 | Hstl | - | ||
| IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR | 4.4904 | | 5826 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | Psram | 32m x 8 | SPI - E/S Octal | 37.5ns | ||||
| IS43LR16160H-6BLI-TR | 4.6615 | | 6756 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16160H-6BLI-TR | 2,000 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS43QR16512A-075VBLI-TR | 17.8087 | | 1163 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43QR16512A-075VBLI-TR | 2,000 | 1.333 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS46LQ16128Al-062TBLA1 | 10.6342 | | 7913 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16128Al-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | |||
| IS49NLC18160A-18WBL | 30.4983 | | 8997 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS49NLC18160A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 16m x 18 | Hstl | - |
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