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Circuitos Integrados (ICS) (5782)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo lógico | Número de elementos | Número de bits por elemento | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | FRECUENCIA DE RELOJ | Número de Salidas | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Interruptor interno (s) | Topología | Voltaje - Suministro (Max) | Atenuación | Voltaje - Suministro (min) | Voltaje - Salida |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS34ML02G084-BLI | 5.0397 |  | 6929 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS34ML02G084-BLI | 220 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||||||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBL-TR | 2.4369 | | 4670 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43DR86400E-3DBL-TR | 2,000 | 333 MHz | Volante | 512Mbit | 450 ps | Dracma | 64m x 8 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||||||||||||||||
| IS43LQ16128Al-062TBLI | 9.7726 | | 2995 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16128Al-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||||||||||||||||||
| IS43LQ16256Al-062TBLI | 13.0470 | | 7843 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16256AL-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | |||||||||||||||||||||||
| IS43LQ16256Al-062BLI | - | | 5085 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ16256Al-062BLI | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | - | |||||||||||||||||||||||
| IS64WV204816BLL-12CTLA3 | 33.7645 | | 1622 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64WV204816BLL-12CTLA3 | 96 | Volante | 32Mbit | 12 ns | Sram | 2m x 16 | Paralelo | 12ns | |||||||||||||||||||||||
| IS43LR32640B-6BLI | 9.7484 | | 6941 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR32640B-6BLI | 240 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||||||||||||||||||||||
| IS64LF25636B-7.5B3LA3 | 19.4937 | | 4730 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS64LF25636B-7.5B3LA3 | 144 | 117 MHz | Volante | 9 MBIT | 7.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||||||||||||||||||||
| IS43DR16320E-3DBL-TR | 2.2990 | | 1458 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43DR16320E-3DBL-TR | 2.500 | 333 MHz | Volante | 512Mbit | 450 ps | Dracma | 32m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||||||||||||||||
| IS43LQ32256A-062BLI-TR | 19.8968 | | 5145 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LQ32256A-062BLI-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Lvstl | 18ns | ||||||||||||||||||||||
| IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR | 2.8969 | | 8236 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR | 1,000 | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 10ns | |||||||||||||||||||||||
| IS29GL256-70flet-TR | 5.0853 | | 7391 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | Flash - Nor (SLC) | 3V ~ 3.6V | 64-LFBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS29GL256-70flet-TR | 2,000 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8 | CFI | 70ns, 200 µs | |||||||||||||||||||||||
| IS29GL256-70LEB-TR | 4.8235 | | 6616 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | Flash - Nor (SLC) | 3V ~ 3.6V | 64-LFBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS29GL256-70LEBLEB-TR | 2.500 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8 | CFI | 70ns, 200 µs | |||||||||||||||||||||||
| IS31BL3506A-STLS2-TR | 0.4213 | | 9066 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Iluminar desde el fondo | Montaje en superficie | Sot-23-6 | Regulador de DC DC | 1MHz | Sot-23-6 | descascar | 3 (168 Horas) | 3.000 | 2.2a | 1 | Si | Agudo (Impulso) | 5.5V | PWM | 2.7V | - | |||||||||||||||||||||||
| IS31CG1110-QFLS2 | 1.4630 | | 1406 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 20-vfqfn almohadilla exposición | - | Sin invertido | 10V ~ 13.2V | 20-Qfn (4x4) | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.39.0001 | 250 | Búfer, sin inversor | 2 | 2 | - | |||||||||||||||||||||||||
| IS31FL3719-TQLS4-TR | - | | 6820 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Propósito general | Montaje en superficie | 32-tqfp exposición | Lineal | - | 32-ETQFP (7x7) | descascar | 3 (168 Horas) | 2.500 | - | 9 | No | Corriente Constante | 5.5V | I²C | 2.7V | - | |||||||||||||||||||||||
 | IS46LD32640B-25BLA1-TR | - | | 8659 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46LD32640B-25BLA1-TR | 1 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||||||||||
| IS46LD32640B-25BLA2 | - | | 5178 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46LD32640B-25BLA2 | 1 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||||||||||
 | IS43R16160B-5TLI | - | | 4141 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||||||||||||||||
 | IS45S16400F-6TLA1-TR | - | | 1528 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | - | |||||||||||||||||||
 | IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR | 15.6750 | | 8679 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS64WV10248 | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 8mbit | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 10ns | ||||||||||||||||||||
 | IS42S32800B-7TL | - | | 3731 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S32800 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | - | |||||||||||||||||||
 | IS61LV12816L-10BLI | - | | 8205 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS61LV12816 | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 2 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||||||||||||||||||
| IS61LV5128Al-10tli | 4.4000 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS61LV5128 | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 10ns | ||||||||||||||||||||
| IS61LV6416-10TL | - | | 3625 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS61LV6416 | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||||||||||||||||||
 | IS62WV1288BLL-55HLI | 2.2900 | | 913 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) | IS62WV1288 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 32-Stsop I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||||||||||||||||||
| IS62WV51216BLL-55TLI | 7.4900 | | 79 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS62WV51216 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||||||||||||||||
 | IS42S16100C1-7T-TR | - | | 4523 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 50-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | Volante | 16mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | |||||||||||||||||||
| IS63WV1024BLL-12HLI | 1.8965 | | 5670 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) | IS63WV1024 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-Stsop I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 234 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||||||||||||||||||
| IS42S16800D-6T-TR | - | | 6627 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S16800 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | - |
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