SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-053 WT ES: E -
RFQ
 ECAD 8720 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT29F32G08CBACAWP-ITZ:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAWP-ITZ: C TR -
RFQ
 ECAD 2000 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1024M32D4NQ-046 AIT ES: D -
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT49H8M36BM-33:B Micron Technology Inc. MT49H8M36BM-33: B -
RFQ
 ECAD 1454 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H8M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 8m x 36 Paralelo -
MT62F2G32D4DS-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AAT: B TR 63.8550
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-023AAT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 Paralelo -
MT58V1MV18FT-7 Micron Technology Inc. MT58V1MV18FT-7 23.5000
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volante 18mbit Sram 1m x 18 Paralelo -
PC48F4400P0VB0EE Micron Technology Inc. PC48F4400P0VB0EE -
RFQ
 ECAD 6073 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64 lbGa PC48F4400 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 512Mbit 100 ns Destello 32m x 16 Paralelo 100ns
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D Micron Technology Inc. MT53B512M64D4NZ-062 WT: D -
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MTFC64GJTDN-4M IT Micron Technology Inc. Mtfc64gjtdn-4m it -
RFQ
 ECAD 5378 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - MTFC64 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
EDF8164A3MD-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FR -
RFQ
 ECAD 1529 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT53E256M16D1FW-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M16D1FW-046 AAT: B TR 9.3900
RFQ
 ECAD 3436 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E256M16D1FW-046AAT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 4 gbit 3.5 ns Dracma 256m x 16 Paralelo 18ns
M29W128GSH70ZS6F TR Micron Technology Inc. M29W128GSH70ZS6F TR -
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MTFC8GLVEA-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc8glvea-it tr -
RFQ
 ECAD 1604 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MTFC64GJDDN-3M WT TR Micron Technology Inc. Mtfc64gjddn-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 1330 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC64 Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 169-LFBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 512 kbit Destello 64k x 8 MMC -
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-5 IT: C TR 6.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MTFC8GLWDM-3L AAT Z Micron Technology Inc. MTFC8GLWDM-3L AAT Z -
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT46H16M16LFBF-6:H TR Micron Technology Inc. MT46H16M16LFBF-6: H TR -
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H16M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAYAMD-5 IT TR -
RFQ
 ECAD 8419 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
EDB8164B4PR-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PR-1D-FD -
RFQ
 ECAD 9850 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.680 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MTFC16GANALEA-WT TR Micron Technology Inc. MTFC16GANALEA-WT TR -
RFQ
 ECAD 9772 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MTFC16 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1,000
M58LR256KT70ZC5E Micron Technology Inc. M58LR256KT70ZC5E -
RFQ
 ECAD 4292 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 79-vfbga M58LR256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 79-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0051 1.740 66 MHz No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 16m x 16 Paralelo 70ns
MT40A512M8RH-083E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E IT: B TR -
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37ES: B TR -
RFQ
 ECAD 7722 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F384G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 384 GBIT Destello 48g x 8 Paralelo -
M25P40-VMN6TPB TR Micron Technology Inc. M25P40-VMN6TPB TR -
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P40 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
NAND512R3A2SZAXE Micron Technology Inc. Nand512r3a2szaxe -
RFQ
 ECAD 8535 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-TFBGA Nand512 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 512Mbit 50 ns Destello 64m x 8 Paralelo 50ns
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 FAAT: A -
RFQ
 ECAD 5463 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 134-vfbga MT42L32M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-vfbga (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit Dracma 32m x 32 Paralelo -
MT29F256G08CKCABH2-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CKCABH2-12Z: A -
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F8G08ABABAWP-ITX:B Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-ITX: B -
RFQ
 ECAD 9421 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT29F64G08CFACBWP-12:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACBWP-12: C -
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT46H1DAMA-DC Micron Technology Inc. MT46H1Dama-DC -
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto MT46H1D - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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