SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53E1536M32DDNQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1536M32DDNQ-046 WT: A 25.3950
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT53E1536M32DDNQ-046WT: A 1.360
EDB4432BBBH-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB4432BBBH-1D-FD -
RFQ
 ECAD 1112 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 134-WFBGA Edb4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.680 533 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
N25Q128A11EF740E Micron Technology Inc. N25Q128A11EF740E -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q128A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 8-vdfpn (6x5) (MLP8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F2G01AAAEDH4:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4: E TR -
RFQ
 ECAD 4102 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
M25PX16-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25PX16-VMN6TPBA TR -
RFQ
 ECAD 8238 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25PX16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT29F4G08ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCHC: C TR -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT46H32M32LFT68MWC2 Micron Technology Inc. MT46H32M32LFT68MWC2 -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V - Obsoleto 0000.00.0000 1 Volante 1 gbit Dracma 32m x 32 Paralelo
EDW2032BBBG-7A-F-R TR Micron Technology Inc. EDW2032BBBG-7A-FR TR -
RFQ
 ECAD 9499 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA Edw2032 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.65V 170-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 2,000 1.75 GHz Volante 2 GBIT RAM 64m x 32 Paralelo -
M29W064FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W064FT70N3F TR -
RFQ
 ECAD 8198 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W064 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29F64G08CBCABH1-12Z:A Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCABH1-12Z: A -
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT25QL128ABA8ESF-0SIT Micron Technology Inc. Mt25ql128aba8esf-0sit 4.4800
RFQ
 ECAD 835 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT41K128M16JT-125 M AIT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M AIT: K TR -
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MTFC16GAKAECN-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-5M AIT TR -
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga MTFC16 Flash - nand 1.7V ~ 1.9V 153-vfbga (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
MT41J256M8DA-093:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-093: K -
RFQ
 ECAD 7356 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.440 1.066 GHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT29F1G08ABBEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4: E -
RFQ
 ECAD 8265 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT29F1G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAH4: D -
RFQ
 ECAD 8300 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT47H64M8CF-25E IT:G TR Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E IT: G TR -
RFQ
 ECAD 4475 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
EDB4064B3PD-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB4064B3PD-8D-FD -
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 240 WFBGA Edb4064 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 240-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 100 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 64m x 64 Paralelo -
EDFA364A3PD-JDTJ-F-R Micron Technology Inc. Edfa364a3pd-jdtj-frr -
RFQ
 ECAD 8380 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - Edfa364 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
MT46H64M16LFBF-5 AAT:B Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-5 AAT: B -
RFQ
 ECAD 9716 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H64M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1.782 200 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D1024M64D8NW-053 WT ES: D TR -
RFQ
 ECAD 6850 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53D1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1,000 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT41J256M8DA-107:K TR Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-107: K TR -
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 2 GBIT 20 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc. Mt29c4g48mazbaakq-5 wt -
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCBBH7-6ITR: B -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29F2T08GELCEJ4-QB:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QB: C 39.0600
RFQ
 ECAD 1867 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QB: C 1
MTFC8GLDEA-4M IT Micron Technology Inc. Mtfc8gldea-4m it -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 1.520 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT40A2G16SKL-062E:B TR Micron Technology Inc. MT40A2G16SKL-062E: B TR -
RFQ
 ECAD 6819 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A2G16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (10.5x13) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 557-MT40A2G16SKL-062E: BTR Obsoleto 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz No Volátil 32 GBIT 13.75 ns Dracma 2G x 16 Paralelo -
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-062 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D2048 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT29F2G01ABBGD12-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G01ABBGD12-AATES: G 5.5736
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT29F2G01 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 1.122 83 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 2G x 1 SPI -
MT62F1G64D4EK-023 AAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G64D4EK-023 AAT: C 63.8550
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT62F1G64D4EK-023AAT: C 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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