SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F4G08ABCWC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCWC-ET: C TR -
RFQ
 ECAD 9872 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H32M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 AIT: B TR -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT25QL02GCBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0AAT 41.3700
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL02 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT58L128L32P1T-10 Micron Technology Inc. MT58L128L32P1T-10 7.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz Volante 4mbit 5 ns Sram 128k x 32 Paralelo -
NAND512W3A2SZA6F TR Micron Technology Inc. Nand512w3a2sza6f tr -
RFQ
 ECAD 3465 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-TFBGA Nand512 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 No Volátil 512Mbit 50 ns Destello 64m x 8 Paralelo 50ns
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M Micron Technology Inc. MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M -
RFQ
 ECAD 8865 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.520
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3R: A TR -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F16T08GSLCEM9-QB:C Micron Technology Inc. MT29F16T08GSLCEM9-QB: C 312.5850
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F16T08GSLCEM9-QB: C 1
MTFC32GAMALAM-WT ES TR Micron Technology Inc. Mtfc32gamalam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - Mtfc32g Flash - nand - - - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT47H128M4CF-25E:G TR Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E: G TR -
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABK3-10Z: A TR -
RFQ
 ECAD 8289 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT25QL128ABB8ESF-0AUT Micron Technology Inc. Mt25ql128abb8esf-0aut 5.8900
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25ql128abb8esf-0aut 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT: C TR 51.3600
RFQ
 ECAD 2435 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT: CTR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 32 Paralelo 18ns
M29W800FT70N3F TR Micron Technology Inc. M29W800FT70N3F TR -
RFQ
 ECAD 2543 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT29F256G08AUCABH3-10:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10: A -
RFQ
 ECAD 3790 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT47H64M8CF-25E AIT:G Micron Technology Inc. MT47H64M8CF-25E AIT: G -
RFQ
 ECAD 6431 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR Micron Technology Inc. MT46H8M32LFB5-75 IT: A TR -
RFQ
 ECAD 1784 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H8M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 6 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT62F2G32D4DS-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-026 AIT: B 58.0650
RFQ
 ECAD 3456 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo - Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F2G32D4DS-026AIT: B 1 3.2 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 Paralelo -
M28W320FCT70N6F TR Micron Technology Inc. M28W320FCT70N6F TRA -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M28W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 2m x 16 Paralelo 70ns
MT29F256G08CECBBH6-6ITR:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CECBBH6-6ITR: B -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F1T08CPCABH8-6:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCABH8-6: A TR -
RFQ
 ECAD 6360 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F1T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT53E384M32D2DS-046 AUT:E Micron Technology Inc. MT53E384M32D2DS-046 AUT: E 18.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E384M32D2DS-046AUT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT49H16M36SJ-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M36SJ-25: B -
RFQ
 ECAD 4789 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1.120 400 MHz Volante 576Mbit 20 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
EDB8164B4PK-1D-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FD -
RFQ
 ECAD 4276 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT60B1G16HC-52B IT:G TR Micron Technology Inc. MT60B1G16HC-52B IT: G TR 18.2400
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT60B1G16HC-52bit: GTR 3.000
MT40A1G8WE-075E:D Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E: D -
RFQ
 ECAD 1954 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.140 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
MTFC4GACAAAM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC4GACAAAM-1M WT -
RFQ
 ECAD 2517 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto Mtfc4 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 1.520
RC48F4400P0VB00A Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB00A -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA RC48F4400 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (8x10) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz No Volátil 512Mbit 85 ns Destello 32m x 16 Paralelo 85ns
MT53E768M32D2FW-046 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 WT ES: C TR 24.0600
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT53E768M32D2FW-046WTES: CTR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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