SIC
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Circuitos Integrados (ICS) (10403)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
N25Q032A13EF840E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF840E -
RFQ
 ECAD 6423 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q032A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 320 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
M25P64-VMF6TP TR Micron Technology Inc. M25P64-VMF6TP TR -
RFQ
 ECAD 8903 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) M25P64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 50 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT53D4D1ARQ-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4D1ARQ-DC TR -
RFQ
 ECAD 3792 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000
MT47H256M4HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H256M4HQ-3: E TR -
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H256M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 256m x 4 Paralelo 15ns
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10IT: A -
RFQ
 ECAD 9330 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
M25P80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
TE28F128P33T85A Micron Technology Inc. TE28F128P33T85A -
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) 28F128P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz No Volátil 128 Mbbit 85 ns Destello 8m x 16 Paralelo 85ns
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR Micron Technology Inc. MT46H64M16LFBF-6 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H64M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 166 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V Morir - Obsoleto 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT53D4DCNZ-DC Micron Technology Inc. MT53D4DCNZ-DC -
RFQ
 ECAD 7674 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.190
MT46H16M32LFCM-6:B TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCM-6: B TR -
RFQ
 ECAD 2315 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT29F1G16ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F 2.9984
RFQ
 ECAD 3809 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G16 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F 8542.32.0071 210 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
MT46H32M32LFJG-6:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6: A -
RFQ
 ECAD 3754 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 166 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 32m x 32 Paralelo 15ns
MT29F128G08CBCABH6-6:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCABH6-6: A -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT61K512M32KPA-14:C Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14: C 25.3500
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA SGRAM - GDDR6 1.3095V ~ 1.3905V 180-FBGA (12x14) - 557-MT61K512M32KPA-14: C 1 7 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 POD_135 -
MTFC128GAPALNA-AIT ES Micron Technology Inc. Mtfc128gapalna-its -
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto MTFC128 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 980
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M32D2DS-046 WT ES: A TR -
RFQ
 ECAD 7790 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Obsoleto 2,000 2.133 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT29F1G08ABAEAH4-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAH4-IT: E -
RFQ
 ECAD 5097 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT41K512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-187E: D -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 512m x 4 Paralelo -
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACBWP-12: C TR -
RFQ
 ECAD 2406 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT25TL512BBA8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25TL512BBA8E12-0AAT TR 13.3950
RFQ
 ECAD 5635 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25TL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT48LC8M32B2P-7 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32B2P-7 IT TR -
RFQ
 ECAD 1046 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC8M32B2 Sdram 3V ~ 3.6V 86-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 143 MHz Volante 256Mbit 6 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 14ns
MT53B4DABNK-DC Micron Technology Inc. MT53B4DABNK-DC -
RFQ
 ECAD 2600 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto Montaje en superficie 366-WFBGA Mt53b4 SDRAM - Mobile LPDDR4 366-WFBGA (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.190 Volante Dracma
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25Qu512ABB8E56-0SIT TR 7.0650
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT25Qu512 Flash - Ni 1.7v ~ 2v - descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT29F512G08CFCBBWP-10:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10: B -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 960 100 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 IT Micron Technology Inc. Mt29c4g48maagbbaks-48 it it it it -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-vfbga MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-vfbga (13x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.140 208 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT49H16M18BM-5:B Micron Technology Inc. MT49H16M18BM-5: B -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 200 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3R: A TR 28.9650
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
M28W640FCT70ZB6E Micron Technology Inc. M28W640FCT70ZB6E -
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M28W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6.39x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 160 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 4m x 16 Paralelo 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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