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Circuitos Integrados (ICS) (10403)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt29c2g24maabahamd-5 it it it | - |  | 8399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 128m x 16 (nand), 64m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
 | Mtfc256gasaons-it | 111.7200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC256 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -791-MTFC256Gasaons-it | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | 52 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | UFS2.1 | - | ||
 | MT46V128M8TG-75: A | - | | 8578 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V128M8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 1 gbit | 750 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT58L256L32FT-10 | 12.5600 | | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L256L32 | Sram - Sincónnico | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Volante | 8mbit | 10 ns | Sram | 256k x 32 | Paralelo | - | ||
 | MT52L768M32D3PU-107 WT: B TR | - | | 6886 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT52L768 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | |||
| MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q | - | | 5161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 168-vfbga | Mt29tzzz8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.008 | 933 MHz | No Volátil, Volátil | 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Flash, ram | 68g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | ||||
 | M45PE40-VMW6TG TR | - | | 1348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M45PE40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||
 | MT49H8M36SJ-25E: B | - | | 3627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1.120 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | ||
| MT58L256L18F1T-8.5ITTR | 4.9900 | | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 100 MHz | Volante | 4mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
| MT46H32M32LFCG-6 IT: A | - | | 4308 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 152-vfbga (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53B384M64D4NK-053 WT: B | - | | 5939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | |||||
 | MT46V32M16FN-6 IT: C TR | - | | 8786 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | Rohs no conforme | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MTFC128GAOAMEA-WT ES TR | - | | 7523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC128 | Flash - nand | - | - | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT41DC11TW-V88A | - | | 4776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT41DC | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||
 | MT40A256M16TB-062E: G | - | | 2992 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT40A256M16TB-062E: G | Obsoleto | 1.080 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT62F1G32D2DS-026 WT: B TR | 22.8450 | | 1853 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-026WT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MTFC8GLZDM-1M WT | - | | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MTFC8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | |||||
| Edb4416bbbh-1dit-frr | - | | 2799 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-WFBGA | Edb4416 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
 | M25P64-VMF6TPBA TR | - | | 1924 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | M25P64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 75 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT46H16M16LFBF-5: H | - | | 9064 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H16M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT41K128M16JT-125 IT: K | - | | 9755 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT29F32G08ABCABH1-10: A TR | - | | 3849 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT46V64M4FG-75: G | - | | 8093 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-FBGA | Mt46v64m4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 64m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | M25PX16-VMP6TG TR | - | | 7057 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PX16 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
| MT46H256M32L4JV-5 IT: B | - | | 5614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 8 gbit | 5 ns | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | M29W256GSL70ZS6E | - | | 9514 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | M29W256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -M29W256GSL70ZS6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MT42L16M32D1LG-25 FAAT: A | - | | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT42L16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F2G08ABAGAH4-AATES: G TR | 5.3168 | | 2866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F2G08ABAGAH4-AATES: GTR | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mtfc16gjgef-it z tr | - | | 5925 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-TFBGA | Mtfc16g | Flash - nand | 1.65V ~ 3.6V | 169-TFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT29F256G08AUCDBJ6-6: D | - | | 6885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 166 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - |
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