SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F4G08ABADAH4-E:D Micron Technology Inc. Mt29f4g08abadah4-e: D -
RFQ
ECAD 8240 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT29F4G16AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G16AACWC: C TR -
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBJ4-3RES: B TR -
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
N25Q128A11E1240E Micron Technology Inc. N25Q128A11E1240E -
RFQ
ECAD 9499 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q128A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-1558 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
M29W320DT70N6E Micron Technology Inc. M29W320DT70N6E -
RFQ
ECAD 8390 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -M29W320DT70N6E 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc. Mt29f2g08abbfah4-it: f tr -
RFQ
ECAD 9556 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT47H32M16HR-25E L:G Micron Technology Inc. Mt47h32m16hr-25e l: g -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
EDF8132A3PF-GD-F-D Micron Technology Inc. EDF8132A3PF-GD-FD -
RFQ
ECAD 4893 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - EDF8132 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.680 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 Paralelo -
MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08EECDBJ4-5M: D TR -
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F2G16ABAFAWP:F Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAFAWP: F -
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) MT29F2G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT53E1G64D4HJ-046 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4HJ-046 AIT: A TR 57.3900
RFQ
ECAD 7772 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT53E1G64D4HJ-046AIT: ATR 2,000
M58LR128KB70ZB5F TR Micron Technology Inc. M58LR128KB70ZB5F TR -
RFQ
ECAD 7105 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-vfbga M58LR128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-vfbga (7.7x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 66 MHz No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 8m x 16 Paralelo 70ns
N25Q128A13EF8A0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13EF8A0F TR -
RFQ
ECAD 9470 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc. MT29F4G08ABAFAWP-AISES: F -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT48LC4M16A2P-7E IT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-7E IT: J TR -
RFQ
ECAD 8151 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 14ns
MT53D4DBNY-DC Micron Technology Inc. Mt53d4dbny-dc -
RFQ
ECAD 9607 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo - - MT53D4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.360 Volante Dracma
JS28F512M29EWH0 Micron Technology Inc. JS28F512M29EWH0 -
RFQ
ECAD 3576 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F512M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0051 96 No Volátil 512Mbit 110 ns Destello 64m x 8, 32m x 16 Paralelo 110ns
PN28F256M29EWHA Micron Technology Inc. Pn28f256m29ewha -
RFQ
ECAD 3492 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - PN28F256M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.560 No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 100ns
MT28F400B5WP-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B5WP-8 T -
RFQ
ECAD 2796 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F400B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
MTFC8GLVEA-1M WT TR Micron Technology Inc. MTFC8GLVEA-1M WT TR -
RFQ
ECAD 3563 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-WFBGA MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-WFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT62F768M64D4EK-026 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-026 WT ES: B TR 51.0300
RFQ
ECAD 8919 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-026WTES: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
M25PX16-VMW6G Micron Technology Inc. M25PX16-VMW6G -
RFQ
ECAD 9803 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) M25PX16 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.800 75 MHz No Volátil 16mbit Destello 2m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
EDB8164B4PK-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB8164B4PK-1D-FR TR -
RFQ
ECAD 4833 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT46H4M32LFB5-5 IT:K TR Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-5 IT: K TR -
RFQ
ECAD 7532 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H4M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 200 MHz Volante 128 Mbbit 5 ns Dracma 4m x 32 Paralelo 15ns
MT61M256M32JE-10 AAT:A TR Micron Technology Inc. MT61M256M32JE-10 AAT: A TR -
RFQ
ECAD 4270 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 180-TFBGA MT61M256 SGRAM - GDDR6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) descascar 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 1.25 GHz Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT53D4DARN-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DARN-DC TR -
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000
MTFC128GAOANEA-WT ES Micron Technology Inc. MTFC128GAOANEA-WT ES -
RFQ
ECAD 8133 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Caja Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC128 Flash - nand - - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
MT41J128M16HA-125G:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-125G: D -
RFQ
ECAD 3398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
M29W160ET70N3E Micron Technology Inc. M29W160ET70N3E -
RFQ
ECAD 8751 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -M29W160ET70N3E EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 16mbit 70 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 70ns
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT: B TR -
RFQ
ECAD 8792 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock