SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP293-4(GB-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (GB-TP, E 1.6000
RFQ
ECAD 4016 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP331(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP331 (BV-LF2, F) -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP331 - 1 (ilimitado) 264-TLP331 (BV-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP127(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (f) -
RFQ
ECAD 4433 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP127 - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (f) EAR99 8541.49.8000 150
TLP785(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (y, f) 0.6400
RFQ
ECAD 90 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP620-4(GB-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (GB-LF5, F) -
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 4 Transistor 16 Dipp descascar 264-TLP620-4 (GB-LF5F) EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP385(D4YH-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4YH-TL, E 0.5600
RFQ
ECAD 6568 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP161J(T7TL,U,C,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J (T7TL, U, C, F -
RFQ
ECAD 8555 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (ilimitado) 264-TLP161J (T7TLUCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
TLP785(D4GH-T6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (D4GH-T6, F 0.7600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.49.8000 4.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP185(Y,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (Y, SE -
RFQ
ECAD 5524 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP185 (YSE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP759(IGM-LF5,J,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP759 (IGM-LF5, J, F -
RFQ
ECAD 9136 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota TLP759 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-SMD descascar 264-TLP759 (IGM-LF5JF EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 25% @ 10mA 75% @ 10mA - -
TLP265J(V4T7TR,E(T Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (V4T7TR, E (T -
RFQ
ECAD 9072 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP265 CQC, CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6-SOP - 1 (ilimitado) 264-TLP265J (V4T7Tre (TTR EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 50 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 1mera No 500V/µs (topos) 7 MMA 100 µs
TLP191B(U,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP191B (U, C, F) -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 80 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP191 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 150 24 µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 3 ms -
TLP5832(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 (E 2.8300
RFQ
ECAD 4832 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 8-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP5832 (E EAR99 8541.49.8000 75 - 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 200ns, 200ns
TLP620-2(D4GB-T4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-2 (D4GB-T4, F -
RFQ
ECAD 7252 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) AC, DC 2 Transistor 8 Dipp descascar 264-TLP620-2 (D4GB-T4F EAR99 8541.49.8000 1 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP732(GR-LF4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GR-LF4, F) -
RFQ
ECAD 4249 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (GR-LF4F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP383(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP383 (GB, E -
RFQ
ECAD 4061 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP383 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar 1 (ilimitado) 264-TLP383 (GBE EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2066(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2066 (TPR, F) -
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP2066 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 3.6V 6-mfsop, 5 Plomo - 264-TLP2066 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 1 10 Ma 20Mbps 5ns, 4ns 1.6V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP127(FJDK-TL,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 (FJDK-TL, U, F -
RFQ
ECAD 8745 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo - 1 (ilimitado) 264-TLP127 (FJDK-TLUF EAR99 8541.49.8000 1 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP734F(D4-LF4,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-LF4, M, F -
RFQ
ECAD 1623 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (ilimitado) 264-TLP734F (D4-LF4MF EAR99 8541.49.8000 50
TLP3083(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083 (TP1, F 1.9500
RFQ
ECAD 670 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota TLP3083 CQC, CSA, CUL, UL 1 Triac 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 600 µA (topos) Si 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP190B(OMT-TLUC,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP190B (OMT-TLUC, F -
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP190 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-mfsop, 4 Plomo descascar 264-TLP190B (OMT-TLUCF EAR99 8541.49.8000 1 12 µA - 8V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 1 ms -
TLP124(BV-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP124 (BV-TPL, F) -
RFQ
ECAD 2336 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP124 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP124 (BV-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 200% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP2958(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (D4-TP1, F) -
RFQ
ECAD 1964 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8-SMD descascar 264-TLP2958 (D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
TLP137(TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (TPR, F) -
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP137 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP137 (TPRF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP2404(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2404 (f) -
RFQ
ECAD 4058 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2404 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 30V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2404F EAR99 8541.49.8000 100 15 Ma 1Mbps - 1.57V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 550ns, 400ns
TLP266J(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266J (V4-TPR, E 0.9300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento TLP Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP266 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 1.27V 30 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 600 µA (topos) Si 200V/µs 10 Ma 30 µs
TLP385(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (E 0.5500
RFQ
ECAD 3352 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP732(GB-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP732 (GB-LF2, F) -
RFQ
ECAD 1724 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP732 - 1 (ilimitado) 264-TLP732 (GB-LF2F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2362(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (TPR, E 1.0500
RFQ
ECAD 8277 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2362 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP2355(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2355 (TPR, E 1.0200
RFQ
ECAD 4732 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2355 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma - 15ns, 12ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock