SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo Calificante Calificante
SFH615AGR Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AGR 0.7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) SFH615 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50mera - 70V 1.25V 60 Ma 5300 VRMS 100% @ 5MA 300% @ 5MA 2 µs, 25 µs 400mv
ACPL-M71T-500E Broadcom Limited ACPL-M71T-500E 4.7000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Broadcom Limited R²Coupler ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables ACPL-M71 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 5.5V 5-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1.500 - 10ns, 10ns 1.5V 20 Ma 4000 VRMS 1/0 15kV/µs 35ns, 35ns Automotor AEC-Q100
HCPL2630V Fairchild Semiconductor HCPL2630V 1.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar EAR99 8541.49.8000 229 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 30mera 2500 VRMS 2/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
PS9817A-1-V-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS9817A-1-V-F3-AX 4.0800
RFQ
ECAD 8694 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) PS9817 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1.500 25 Ma 10Mbps 20ns, 5ns 1.65V 20 Ma 2500 VRMS 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
PS2815-4-F3-L-A CEL PS2815-4-F3-LA -
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 Cela NEPOC Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) AC, DC 4 Transistor 16-ssop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 40mera 4 µs, 5 µs 40V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 1MA 400% @ 1MA - 300mv
HMA121CR2V onsemi HMA121CR2V -
RFQ
ECAD 4422 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 400mv
MCT271300 onsemi MCT271300 -
RFQ
ECAD 9647 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MCT2 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT271300-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.25V 100 mA 5300 VRMS 45% @ 10mA 90% @ 10mA 1 µs, 48 µs 400mv
H11L1S(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11L1S (TB) -
RFQ
ECAD 3693 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11L1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 16V 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.15V 60mera 5000 VRMS 1/0 - 4 µs, 4 µs
TLP5705H(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H (D4, E 1.9300
RFQ
ECAD 8018 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 - 37ns, 50ns 1.65V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP291-4(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291-4 (TP, E) 1.4600
RFQ
ECAD 2543 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 2500 VRMS 50% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
ACPL-827-560E Broadcom Limited ACPL-827-560E 0.3711
RFQ
ECAD 8891 0.00000000 Broadcom Limited - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota ACPL-827 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
HCPL-6531 Broadcom Limited HCPL-6531 108.7900
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Broadcom Limited - Una granela Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 20-Clcc HCPL-6531 Corriente Continua 2 Base de transistor 20-LCCC (8.89x8.89) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 20V 1.55V 20 Ma 1500VDC 9% @ 16MA - 400ns, 1 µs -
PC12310NSZ0X SHARP/Socle Technology PC12310NSZ0X -
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 Tecnología Sharp/Sócle - Tubo Descontinuado en sic -30 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 10 Ma 5000 VRMS 50% @ 500 µA 400% @ 500 µA - 200 MV
QTM452T1 QT Brightek (QTB) QTM452T1 1.1773
RFQ
ECAD 9995 0.00000000 Qt Brillek (QTB) Optoacoplero Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables QTM452 Corriente Continua 1 Transistor 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 3750vrms 20% @ 16MA 50% @ 16MA 350ns, 300ns -
TLP250H(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP250H (D4, F) 1.7400
RFQ
ECAD 88 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP250 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 10V ~ 30V 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP250H (D4F) EAR99 8541.49.8000 50 2.5 A - 50ns, 50ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 40kV/µs 500ns, 500ns
OLI300 Isolink, Inc. OLI300 51.9800
RFQ
ECAD 427 0.00000000 Isolink, Inc. - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-clcc Corriente Continua 1 Base de transistor 6-CLCC (2.79x2.54) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - - 1.8V 40 Ma 1500VDC 15% @ 10mA - 300ns, 500ns -
EL3052M Everlight Electronics Co Ltd EL3052M -
RFQ
ECAD 5709 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) EL3052 CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3903520001 EAR99 8541.49.8000 65 1.18V 60 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 250 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
PS9513L3-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9513L3-V-AX 4.3700
RFQ
ECAD 4358 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota PS9513 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 20V 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 559-PS9513L3-V-AX EAR99 8541.49.8000 50 15 Ma 1Mbps - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 15kV/µs 750ns, 500ns
EL816(X)-V Everlight Electronics Co Ltd El816 (x) -v -
RFQ
ECAD 2177 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) EL816 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 4 µs, 3 µs 80V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 MV
H11A3X Isocom Components 2004 LTD H11A3X 0.5600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Isocom Components 2004 Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A3 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 65 50mera 2 µs, 2 µs 30V 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
EL3H7(E )(EA)(ICM-1)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7 (E) (EA) (ICM -1) -vg 0.1752
RFQ
ECAD 2134 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd EL3H7-G Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) Corriente Continua 1 Transistor 4-ssop - 1080-el3H7 (e) (ea) (ICM-1) -vgtr EAR99 8541.41.0000 5,000 50mera 5 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA - 200 MV
FOD260LS Fairchild Semiconductor FOD260LS 1.0000
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD260 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 8-SMD descascar EAR99 8541.49.8000 1 50 Ma 10Mbps 22ns, 3ns 1.4V 50mera 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 90ns, 75ns
HCPL0601R2 Fairchild Semiconductor HCPL0601R2 1.3500
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar EAR99 8541.49.8000 241 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
TLP2761(D4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (D4, E 1.1800
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2761 (D4E EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
ACPL-W21L-060E Broadcom Limited ACPL-W21L-060E 1.3101
RFQ
ECAD 2776 0.00000000 Broadcom Limited - Tubo Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) ACPL-W21 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 10 Ma 5mbd 11ns, 11ns 1.5V 8 MA 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 250ns, 250ns
FODM3023-NF098 onsemi FODM3023-NF098 1.5700
RFQ
ECAD 2534 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 5 mm -
TLP781F(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F (D4, F) -
RFQ
ECAD 6927 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP781F Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781F (D4F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
RV1S9960ACCSP-10YV#SC0 Renesas Electronics America Inc RV1S9960ACCSP-10YV#SC0 11.5500
RFQ
ECAD 585 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Banda Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.543 ", 13.80 mm de ancho) RV1S9960 - 1 CMOS 2.7V ~ 5.5V 8-LSDIP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -1161-RV1S9960ACCSP-10YV#SC0 EAR99 8541.49.8000 10 10 Ma 15Mbps 5ns, 5ns 1.55V 6mA 7500 VRMS 1/0 50kV/µs 60ns, 60ns
4N31-V Everlight Electronics Co Ltd 4N31-V -
RFQ
ECAD 7756 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3907150040 EAR99 8541.49.8000 65 - - 55V 1.2V 60 Ma 5000 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
CNY17F2 onsemi CNY17F2 -
RFQ
ECAD 1148 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F2FS EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock