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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 8430130000 | - |  | 3597 | 0.00000000 | Weidmüller | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 50 ° C | DIN Rail | Módulo | Corriente Continua | 1 | Transistor | - | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 500mA | - | 24 V | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | TLP785 (D4GH-T6, F | 0.7600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | PS2561Al2-1-A | 0.2364 | | 8281 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2561 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1291 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mera | 3 µs, 5 µs | 70V | 1.2V | 30 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | FODM217CR2 | 0.7200 | | 3 | 0.00000000 | onde | FODM217 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | FODM217 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | VOT8024AB-T | 1.2700 | | 4975 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | VOT8024 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 800 V | 100 mA | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 5 mm | - | ||||||||||||||||
 | PC81710NIP1B | 1.0200 | | 2989 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PC81710 | Corriente Continua | 1 | Transistor | - | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 10 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
 | PS2501L-1-KA | - | | 7214 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | PS2501 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 559-1006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||||||||
 | SFH615A-2X006 | 0.8900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | Opia409ctu | - | | 3870 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1425 | EAR99 | 8541.49.8000 | 170 | 60mera | 40 µs, 10 µs | 300V | 1.2V | 50 Ma | 2500 VRMS | 400% @ 1MA | - | - | 1V | ||||||||||||||||
 | TCET1105 | - | | 6419 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TCET11 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 6 µs, 5 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | Vom453t | 1.4200 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | VOM453 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 5-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 8 MA | - | 25V | 1.4V | 25 Ma | 3750vrms | 20% @ 16MA | 50% @ 16MA | 200ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
| TLP185 (Y, SE | - | | 5524 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP185 (YSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | HCPL-4661-320E | 3.6071 | | 9845 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCPL-4661 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 15 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 15kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| EL4503S1 (TA) -V | 0.7503 | | 4950 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | EL4503 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C170000077 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 19% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 300ns | - | |||||||||||||||
 | PR49MF11NSZF | - | | 9888 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 7 cables | PR49MF | CSA, Ur | 1 | Triac, poder | 8 Dipp | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 50 Ma | 4000 VRMS | 800 V | 900 mA | 50mera | No | 50V/µs | 10 Ma | 100 µs (MAX) | |||||||||||||||||
 | LTV-715FS-TA1 | - | | 5272 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | LTV-715F | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | LTV-715 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600% @ 1MA | 7500% @ 1MA | - | 1V | ||||||||||||||||
| HCPL-543K-100 | 699.7633 | | 5461 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | Junta de 8-smd | HCPL-543 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 4.75V ~ 5.25V | Junta de 8 Dips | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 40mbps | 15ns, 10ns | 1.35V | 10 Ma | 1500VDC | 2/0 | 500V/µs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
| PC81711NIP0X | - | | 2112 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 10 Ma | 5000 VRMS | 120% @ 500 µA | 300% @ 500 µA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| TLP759 (IGM-LF5, J, F | - | | 9136 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP759 (IGM-LF5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | - | - | |||||||||||||||||
 | H11L3SM | 1.2300 | | 612 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11L3 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 3V ~ 15V | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 Ma | 1MHz | 100ns, 100ns | 1.2V | 30mera | 4170vrms | 1/0 | - | 4 µs, 4 µs | |||||||||||||||
| 6N135S1 (TB) | - | | 9810 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | C170000008 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.45V | 25 Ma | 5000 VRMS | 7% @ 16MA | 50% @ 16MA | 350ns, 500ns | - | ||||||||||||||||
 | EL817 (S1) (D) (TB) -V | - | | 9601 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 300% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
| TLP265J (V4T7TR, E (T | - | | 9072 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP265J (V4T7Tre (TTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1mera | No | 500V/µs (topos) | 7 MMA | 100 µs | ||||||||||||||||
| EL817 (S) (B) (TB) | - | | 2780 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 130% @ 5MA | 260% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | TLP191B (U, C, F) | - | | 5785 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 80 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP191 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 24 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 3 ms | - | ||||||||||||||||
 | ACPL-K49T-500E | 3.6800 | | 1220 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.268 ", 6.81 mm de ancho) | ACPL-K49 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 por estirado | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 20 Ma | 5000 VRMS | 32% @ 10mA | 100% @ 10mA | 20 µs, 20 µs (máx) | - | |||||||||||||||
 | CNY17F-3X006 | 0.7100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS2502L-1-F3-A | 1.2300 | | 5491 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 200 MMA | 100 µs, 100 µs | 40V | 1.17V | 80 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 1MA | - | - | 1V | ||||||||||||||||
 | CNY17-1x009T | 0.2688 | | 2411 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | PS9814-1-V-F3-A | - | | 3249 | 0.00000000 | Cela | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 5.5V | 8-ssop | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns |
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