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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS8502L1-V-AX | - |  | 6679 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Una granela | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 35V | 1.7V | 25 Ma | 5000 VRMS | 15% @ 16MA | - | 220ns, 350ns | - | ||||||||||||||||
 | 4N37300W | - | | 9601 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | 4n37 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4N37300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 30V | 1.18V | 100 mA | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 300mv | |||||||||||||||
 | H11G2300 | - | | 4137 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11G | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11G2300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | - | - | 80V | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 1000% @ 10 Ma | - | 5 µs, 100 µs | 1V | |||||||||||||||
 | Apt1211wa | 1.9700 | | 2417 | 0.00000000 | Panasonic Electric Works | Apto | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Apt1211 | Cur, VDE | 1 | Triac | Ala de Gaviota de 4 Dipas | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 1.21V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 3.5mA | Si | 500V/µs | 10 Ma | 100 µs (MAX) | ||||||||||||||||
 | HCPL3700VM | 8.0900 | | 945 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL3700 | AC, DC | 1 | Darlington | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | HCPL3700VMOS | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 30mera | 45 µs, 0.5 µs | 20V | - | 50 Ma | 5000 VRMS | - | - | 6 µs, 25 µs | - | ||||||||||||||
| MCT2200W | - | | 1523 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | MCT2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MCT2200W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.25V | 100 mA | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 2 µs, 2 µs | 400mv | |||||||||||||||
| TLP785F (GR, F | 0.7200 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP785F (GRF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | TLP385 (D4Y-TPL, E | 0.5600 | | 1433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | FODM8071R2 | 3.2000 | | 1446 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | FODM8071 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 3V ~ 5.5V | 5-Mini-Flat | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 10 Ma | 20Mbps | 5.8ns, 5.3ns | 1.35V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
 | HCPL-0300 | 7.0467 | | 9013 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0300 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.75V ~ 5.25V | 8 Tan Alto | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 516-1067-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 Ma | 5mbd | 40ns, 20ns | 1.3V | 5 Ma (typ) | 3750vrms | 1/0 | 100V/µs | 160ns, 200ns | ||||||||||||||
| H11C2SD | - | | 4557 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11C | Tu | 1 | SCR | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11C2SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 200 V | 300 mA | - | No | 500V/µs | 20 Ma | - | |||||||||||||||
 | S2S4BY0F | - | | 2058 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD | S2S4 | CSA, Ur, VDE | 1 | Triac | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 50 Ma | 3.5mA | Si | 100V/µs | 10 Ma | 50 µs (MAX) | ||||||||||||||||
| Moc3032tm | - | | 7650 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | Moc303 | Ul | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MOC3032TM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.25V | 60 Ma | 4170vrms | 250 V | 400 µA (topos) | Si | 1kV/µs | 10 Ma | - | ||||||||||||||||
 | VO615A-1x001 | 0.4700 | | 2435 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | VO615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 3 µs, 4.7 µs | 70V | 1.43V | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 6 µs, 5 µs | 300mv | ||||||||||||||||
 | MOC3052SR2VM_F132 | - | | 3784 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | Moc305 | Ur, vde | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60 Ma | 4170vrms | 600 V | 220 µA (topos) | No | 1kV/µs | 10 Ma | - | |||||||||||||||||
 | PC12310NSZ0F | - | | 9103 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 425-2071-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 10 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 500 µA | 400% @ 500 µA | - | 200 MV | |||||||||||||||||
 | PC827 | - | | 5916 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tubo | Obsoleto | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 425-1481-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 35V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | ||||||||||||||||
| HCPL-2201-060E | 1.6902 | | 7759 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-2201 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 8 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 Ma | 5mbd | 30ns, 7ns | 1.5V | 10 Ma | 3750vrms | 1/0 | 1kV/µs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
| H11N3-M | - | | 7620 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | H11N | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | - | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50 Ma | 5MHz | - | 1.4V | 10 Ma | 7500 VRMS | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
| Opia800dtu | - | | 1285 | 0.00000000 | TT Electronics/Optek Technology | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 115 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Base de conling de Darlington | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 365-1462 | EAR99 | 8541.49.8000 | 48 | 60mera | - | 7V | 1.5V | 20 Ma | 2500 VRMS | 300% @ 1.6MA | - | 2 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||
 | PS2815-4-F3-A | 3.9600 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | PS2815 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 40mera | 4 µs, 5 µs | 40V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 1MA | 400% @ 1MA | - | 300mv | |||||||||||||||
 | CNY17-4X001 | 0.7100 | | 203 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CNY17 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||||||||||
 | EL3023S1 (TB) -V | - | | 1946 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | EL3023 | CSA, Demko, Fimko, Nemko, Semko, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 3903230015 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 1.18V | 60 Ma | 5000 VRMS | 400 V | 100 mA | 250 µA (topos) | No | 100V/µs (TÍP) | 5 mm | - | |||||||||||||||
| HCPL-5631#100 | 104.1626 | | 5721 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Monte de superficie, articulacia | Junta de 8-smd | HCPL-5631 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 10mbd | 35ns, 35ns | 1.5V | 20 Ma | 1500VDC | 2/0 | 1kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | IL4217 | - | | 3289 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL4217 | BSI, CSA, CUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 1.3V | 60 Ma | 5300 VRMS | 700 V | 300 mA | 200 µA | No | 10 kV/µs | 700 µA (topos) | - | ||||||||||||||||
| H11AA3SVM | - | | 9662 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11A | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.17V | 60 Ma | 7500vpk | 50% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||||||||||
| H11AG1SM | 0.7236 | | 6422 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | H11AG | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2832-H11AG1SM-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.25V | 50 Ma | 4170vrms | 100% @ 1MA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | ||||||||||||||
 | MOC8103 | 1.4200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | MOC8103 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 30V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 108% @ 10mA | 173% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
| H11A2M | - | | 6606 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11A2 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 80V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||
 | PC357N7J000F | - | | 7881 | 0.00000000 | Tecnología Sharp/Sócle | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 80V | 1.2V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV |
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