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Optoisoladores (15749)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Moc205m | 0.7400 |  | 4474 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Moc205 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150 Ma | 3.2 µs, 4.7 µs | 30V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 7.5 µs, 5.7 µs | 400mv | |||||||
 | FOD2711SV | - | | 9047 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | FOD271 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | |||||||||
 | HCNR201-500E | 6.4700 | | 6 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | HCNR201 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico, Linealizado | Ala de la Gaviota de 8 Dipas | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | - | - | - | 1.6V | 25 Ma | 5000 VRMS | 0.36% @ 10mA | 0.72% @ 10 MMA | - | - | |||||||
 | PS2561B-1-QA | - | | 6817 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.17V | 40 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | - | 300mv | ||||||||
 | FOD2741As | 0.7600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 397 | 50mera | - | 30V | 1.5V (Máximo) | 5000 VRMS | 100% @ 10mA | 200% @ 10mA | - | 400mv | ||||||||||||
 | HMA124R4 | - | | 6183 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | HMA124 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80mera | 3 µs, 3 µs | 80V | 1.3V (Max) | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | - | 400mv | ||||||||
| HCPL-817-060E | 0.1572 | | 9522 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -30 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | HCPL-817 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||
 | IL755-1x001 | 2.0000 | | 1481 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IL755 | AC, DC | 1 | Base de conling de Darlington | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 50 µs, 50 µs | 60V | 1.2V | 60 Ma | 5300 VRMS | 750% @ 2mA | - | - | 1V | ||||||||
 | TCDT1122G | 0.7200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TCDT1122 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | - | 70V | 1.25V | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | - | 300mv | |||||||
 | TLP130 (GB-TPR, F) | - | | 9661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | TLP130 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6-mfsop, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||
 | TLP785 (TP6, F) | 0.6400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||
 | CNY117F-1x007T | 0.2997 | | 7650 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | CNY117 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.39V | 60 Ma | 5000 VRMS | 40% @ 10mA | 80% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||
 | PS2811-4-A | - | | 5848 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 40mera | 4 µs, 5 µs | 40V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 1MA | 400% @ 1MA | - | 300mv | ||||||||
| TLP250H (TP5, F) | - | | 9916 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP250 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 8-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP250H (TP5F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2 A | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 40kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||
| FOD817SD | - | | 3051 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 4 µs, 3 µs | 70V | 1.2V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | - | 200 MV | |||||||||||
 | HCPL-0600-000E | 2.4900 | | 13 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0600 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8 Tan Alto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50 Ma | 10mbd | 24ns, 10ns | 1.5V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 5kV/µs | 100ns, 100ns | |||||||
| HCPL-0453-000E | 2.4400 | | 6 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | HCPL-0453 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 8 MA | - | 20V | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 15% @ 16MA | - | 1 µs, 1 µs (max) | - | |||||||
 | SL5501300W | - | | 3673 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | SL5501 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SL5501300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 30V | 1.23V | 100 mA | 5300 VRMS | 25% @ 10mA | 400% @ 10mA | 20 µs, 50 µs (máx) | 400mv | |||||||
| H11d1m | - | | 7592 | 0.00000000 | Lite-on Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11d | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 5 µs, 5 µs | 300V | 1.2V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 400mv | ||||||||
| 4N26-X017 | 0.2365 | | 7770 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD, Ala de Gaviota | 4N26 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.36V | 60 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 500mv | ||||||||
 | PS9124-F3-AX | 1.8100 | | 5500 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables | PS9124 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 5-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 Ma | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1.55V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||
 | ILQ55 | 3.9300 | | 898 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ILQ55 | Corriente Continua | 4 | Darlington | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 125 Ma | 10 µs, 35 µs | 55V | 1.25V | 60 Ma | 5300 VRMS | 100% @ 10mA | - | - | 1V | ||||||||
 | SFH615A-4X016 | 0.9900 | | 9763 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | SFH615 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 2 µs | 70V | 1.35V | 60 Ma | 5300 VRMS | 160% @ 10mA | 320% @ 10mA | 3 µs, 2.3 µs | 400mv | |||||||
 | TLP2368 (TPL, E | 1.8100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2368 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | 20mbd | 30ns, 30ns | 1.55V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||
 | PS2561DL1-1Y-F3-LA | 0.2163 | | 3346 | 0.00000000 | Cela | NEPOC | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | PS2561 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 3 µs, 5 µs | 80V | 1.2V | 40 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | - | 300mv | |||||||
| EL1112 (TA) -G | - | | 7091 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho), 5 cables | EL1112 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 5-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.5V (Máximo) | 60 Ma | 5000 VRMS | 63% @ 10mA | 125% @ 10mA | 4 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||
| H11D1300W | - | | 7258 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | H11d | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | H11D1300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 100mA | - | 300V | 1.15V | 80 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | - | 5 µs, 5 µs | 400mv | |||||||
 | PC3H510NIP0F | - | | 1550 | 0.00000000 | Microelectónica afilada | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-Mini-Flat | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80mera | 60 µs, 53 µs | 35V | 1.2V | 10 Ma | 2500 VRMS | 600% @ 500 µA | - | - | 1V | |||||||||
| Isq1x | 1.9700 | | 9 | 0.00000000 | Isocom Components 2004 Ltd | - | Tubo | Activo | -25 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ISQ1 | Corriente Continua | 4 | Transistor | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mera | 2.6 µs, 2.2 µs | 50V | 1.2V | 50 Ma | 5300 VRMS | 20% @ 10mA | 300% @ 10mA | - | - | |||||||
 | SFH6319T | 1.8200 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Semiconductor Opto Division | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SFH6319 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 60mera | - | 18V | 1.4V | 20 Ma | 4000 VRMS | 500% @ 1.6MA | 2600% @ 1.6MA | 600ns, 1.5 µs | - |
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