SIC
close
Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tipo de Canal Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Poder aislado Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
HCPL4503M onsemi HCPL4503M 2.4200
RFQ
ECAD 7985 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL4503 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
MOC3052SR2M_F132 onsemi MOC3052SR2M_F132 -
RFQ
ECAD 5284 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc305 Tu 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
H11A2SR2VM onsemi H11A2SR2VM -
RFQ
ECAD 2767 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
HCPL3700SDV onsemi HCPL3700SDV -
RFQ
ECAD 4423 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL3700 AC, DC 1 Darlington 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 30mera 45 µs, 0.5 µs 20V - 2500 VRMS - - 6 µs, 25 µs -
FODM2701 onsemi FODM2701 0.7900
RFQ
ECAD 6904 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM27 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 80mera 3 µs, 3 µs 40V 1.4V (Máximo) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 300% @ 5MA - 300mv
HCPL2531SDM onsemi HCPL2531SDM 1.9800
RFQ
ECAD 8298 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL2531 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 5000 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 250ns, 260ns -
FOD410SV onsemi FOD410SV 2.0929
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 onde - Una granela Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota FOD410 CSA, UL, VDE 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 30 Ma 5000 VRMS 600 V 500 µA Si 10 kV/µs 2mera 60 µs
HCPL2731SV onsemi HCPL2731SV -
RFQ
ECAD 8985 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL27 Corriente Continua 2 Darlington 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 300ns, 5 µs -
FOD785B onsemi FOD785B 0.1590
RFQ
ECAD 9586 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 1 Transistor 4-PDIP descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 488-FOD785BTR EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 18 µs, 18 µs (máx) 80V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 200 MV
FOD3120SD onsemi FOD3120SD 2.6800
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD3120 Acoplamiento óptico Ul 1 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 2a, 2a 3A 60ns, 60ns 1.5V 25 Ma 5000 VRMS 35kV/µs 400ns, 400ns 100ns 15V ~ 30V
HMHA2801B onsemi HMHA2801B 1.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA2801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 150 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 130% @ 5MA 260% @ 5MA - 300mv
MOC8113300W onsemi MOC8113300W -
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8113300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 100% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
FODM3022R2-NF098 onsemi FODM3022R2-NF098 1.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 400 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
FODM217DR2V onsemi FODM217DR2V 0.9900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde FODM217 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 300% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
H11A3TM onsemi H11A3TM -
RFQ
ECAD 9655 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
FOD8143SD onsemi FOD8143SD 0.7600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD814 AC, DC 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 20% @ 1MA 300% @ 1MA - 200 MV
SL5504300W onsemi SL5504300W -
RFQ
ECAD 4827 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) SL5504 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SL5504300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 80V 1.23V 100 mA 5300 VRMS 25% @ 10mA 400% @ 10mA 50 µs, 150 µs (MAX) 400mv
CNY17F4SR2VM_F132 onsemi CNY17F4SR2VM_F132 -
RFQ
ECAD 5881 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
FODM8801A onsemi FODM8801A 1.6900
RFQ
ECAD 6894 0.00000000 onde Optohit ™ Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM8801 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado FODM8801AFS EAR99 8541.49.8000 150 30mera 5 µs, 5.5 µs 75V 1.35V 20 Ma 3750vrms 80% @ 1MA 160% @ 1MA 6 µs, 6 µs 400mv
FODM3011R4V onsemi FODM3011R4V -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 BSI, CSA, UL, VDE 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
NCIV9301 onsemi NCIV9301 6.4200
RFQ
ECAD 6362 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q100 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) I²C, SPI Acoplamiento Capacitivo 3 2.5V ~ 5.5V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NCIV9301 1,000 15Mbps Unidireccional 3.9ns, 2.3ns 5000 VRMS Si 3/0 100kV/µs 170ns, 170ns 70ns
MOC3073SR2M onsemi MOC3073SR2M 1.7700
RFQ
ECAD 3042 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc307 Ul 1 Triac 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 800 V 540 µA (topos) No 1kV/µs 6mA -
FOD260LT onsemi Fod260lt -
RFQ
ECAD 6068 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD260 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 8 mdip descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 22ns, 3ns 1.4V 50mera 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 90ns, 75ns
HMHA281R4 onsemi HMHA281R4 -
RFQ
ECAD 1413 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) HMHA28 Corriente Continua 1 Transistor 4-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
MOC3163FR2M onsemi MOC3163FR2M -
RFQ
ECAD 9572 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota Moc316 - 1 Triac 6-SMD - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3163FR2M-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 60 Ma 7500vpk 600 V 500 µA (topos) Si - 5 mm -
CNX36USD onsemi CNX36USD -
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNX36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX36USD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 80% @ 10mA 200% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
4N31 onsemi 4N31 -
RFQ
ECAD 9688 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4N31 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
MOC256VM onsemi Moc256vm -
RFQ
ECAD 2514 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc256 AC, DC 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma - 30V 1.2V 60 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 400mv
MOCD223VM onsemi Mocd223vm 2.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD223 Corriente Continua 2 Darlington 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 150 Ma 8 µs, 110 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 10 µs, 125 µs 1V
H11AA4SM onsemi H11AA4SM 0.9300
RFQ
ECAD 59 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11AA AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 4170vrms 100% @ 10mA - - 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock