SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche TUPO Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tipo de Canal Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Poder aislado Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
NCIV9301R2 onsemi NCIV9301R2 6.4200
RFQ
ECAD 2439 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) I²C, SPI Acoplamiento Capacitivo 3 2.5V ~ 5.5V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 750 15Mbps Unidireccional 3.9ns, 2.3ns 5000 VRMS Si 3/0 100kV/µs 170ns, 170ns 70ns
NCIV9200 onsemi NCIV9200 5.8900
RFQ
ECAD 3380 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q100 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) I²C, SPI Acoplamiento Capacitivo 2 2.5V ~ 5.5V 16-soico - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NCIV9200 1,000 20Mbps Unidireccional 2.7ns, 2.3ns 5000 VRMS Si 2/0 100kV/µs 140ns, 140ns 60ns
NCIV9410 onsemi NCIV9410 6.2500
RFQ
ECAD 6609 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q100 Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) I²C, SPI Acoplamiento Capacitivo 4 2.5V ~ 5.5V 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-NCIV9410 1,000 10Mbps Bidireccional 3ns, 2ns 5000 VRMS No 3/1 100kV/µs 200ns, 200ns 80NS
FOD2741BSV onsemi FOD2741BSV 1.8600
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota FOD2741 Corriente Continua 1 Transistor 8-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 5000 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
FODM214R2 onsemi FODM214R2 0.7200
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 onde FODM214 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM214 AC, DC 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA 3 µs, 3 µs 400mv
FODM217AR2V onsemi Fodm217ar2v 0.9800
RFQ
ECAD 844 0.00000000 onde FODM217 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 80% @ 5MA 160% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
FODM217CR2V onsemi FODM217CR2V 0.3099
RFQ
ECAD 7688 0.00000000 onde FODM217 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM217 Corriente Continua 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 400% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
MOCD217R2VM onsemi MOCD217R2VM 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MOCD21 Corriente Continua 2 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 60 Ma 2500 VRMS 100% @ 1MA - 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
FOD817C3S onsemi FOD817C3S 0.5000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FOD817C3S EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5MA - 200 MV
FODM3011R2_NF098 onsemi FODM3011R2_NF098 -
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cur, eres 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 1.2V 60 Ma 3750vrms 250 V 70 Ma 300 µA (topos) No 10V/µs (topos) 10 Ma -
NCV57252DWR2G onsemi NCV57252DWR2G 7.0900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) NCV57252 Acoplamiento Capacitivo VDE 2 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1,000 6.5a, 6.5a 6.5a 12ns, 10ns - 5000 VRMS 100kV/µs 80ns, 80ns 10ns 32V
FOD617B300W onsemi FOD617B300W -
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) FOD617 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.35V 50 Ma 5000 VRMS 63% @ 10mA 125% @ 10mA - 400mv
H11B1SD onsemi H11B1SD -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11B Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11B1SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 25V 1.2V 100 mA 5300 VRMS 500% @ 1MA - 25 µs, 18 µs 1V
FOD8173T onsemi FOD8173T 3.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) FOD8173 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 5.5V 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Fod8173tos EAR99 8541.49.8000 2,000 10 Ma 20Mbps 7ns, 7ns 1.35V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 55ns, 55ns
4N333SD onsemi 4N333SD -
RFQ
ECAD 2054 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N33 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N333SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 500% @ 10mA - 5 µs, 100 µs (máx) 1V
MOC3033TM onsemi Moc3033tm -
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc303 Ul 1 Triac 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC3033TM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.25V 60 Ma 4170vrms 250 V 400 µA (topos) Si 1kV/µs 5 mm -
FOD2200V onsemi FOD2200V -
RFQ
ECAD 7984 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD2200 Corriente Continua 1 Tri-estatal 4.5V ~ 20V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 25 Ma 2.5mbd 80ns, 25ns 1.4V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 10 kV/µs 300ns, 300ns
FODM121AV onsemi Fodm121av 0.2104
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA - 400mv
H11F3300W onsemi H11F3300W -
RFQ
ECAD 8815 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11F Corriente Continua 1 Mosfet 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11F3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 15V 1.3V 60 Ma 5300 VRMS - - 25 µs, 25 µs (MAX) -
HCPL2531V onsemi HCPL2531V 1.9300
RFQ
ECAD 387 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL2531 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 300ns -
MOC3052TVM onsemi MOC3052TVM 1.1200
RFQ
ECAD 492 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) Moc305 Ur, vde 1 Triac 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado MOC3052TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.18V 60 Ma 4170vrms 600 V 220 µA (topos) No 1kV/µs 10 Ma -
FOD817D3SD onsemi FOD817D3SD 0.6400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
FOD2712AR2 onsemi FOD2712AR2 1.6700
RFQ
ECAD 758 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FOD2712 Corriente Continua 1 Transistor 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera - 30V 1.5V (Máximo) 2500 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA - 400mv
H11A1FR2VM onsemi H11A1FR2VM -
RFQ
ECAD 2607 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11A1FR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
6N139SD onsemi 6N139SD -
RFQ
ECAD 5004 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota 6N139 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 2500 VRMS 500% @ 1.6MA - 1,5 µs, 7 µs -
MOC205VM onsemi Moc205vm -
RFQ
ECAD 4775 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Moc205 Corriente Continua 1 Base de transistor 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 3.2 µs, 4.7 µs 30V 1.15V 60 Ma 2500 VRMS 40% @ 10mA 80% @ 10mA 7.5 µs, 5.7 µs 400mv
H11AA3SR2VM onsemi H11AA3SR2VM -
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11A AC, DC 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera - 30V 1.17V 60 Ma 7500vpk 50% @ 10mA - - 400mv
6N137VM onsemi 6N137VM 1.8400
RFQ
ECAD 551 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 6N137 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 50 50 Ma 10Mbps 30ns, 10ns 1.45V 50mera 5000 VRMS 1/0 10kV/µs (TÍP) 75ns, 75ns
MOC8108SD onsemi MOC8108SD -
RFQ
ECAD 6003 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MOC810 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8108SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 250% @ 10mA 600% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
H11N1VM onsemi H11N1VM 7.3700
RFQ
ECAD 810 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11N1 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4V ~ 15V 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 5MHz 7.5ns, 12ns 1.4V 30mera 4170vrms 1/0 - 330ns, 330ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock