SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
FODM214 onsemi FODM214 0.7400
RFQ
ECAD 674 0.00000000 onde FODM214 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) FODM214 AC, DC 1 Transistor 4-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 3 µs, 3 µs 80V 1.2V 50 Ma 3750vrms 20% @ 1MA 400% @ 1MA 3 µs, 3 µs 400mv
HCPL0600R1 onsemi HCPL0600R1 -
RFQ
ECAD 5548 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
FOD817D onsemi FOD817D 0.4400
RFQ
ECAD 5772 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) FOD817 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado 2156-FOD817D-488 EAR99 8541.49.8000 100 50mera 4 µs, 3 µs 70V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 300% @ 5MA 600% @ 5MA - 200 MV
HCPL0611R1 onsemi HCPL0611R1 -
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.75V (Max) 50mera 3750vrms 1/0 15kV/µs 75ns, 75ns
MCT5200SD onsemi MCT5200SD -
RFQ
ECAD 6538 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota MCT5 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MCT5200SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1.3 µs, 16 µs 30V 1.25V 50 Ma 5300 VRMS 75% @ 10mA - 1.6 µs, 18 µs 400mv
H11D2VM onsemi H11D2VM -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11d Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 300V 1.15V 80 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 5 µs, 5 µs 400mv
CNY17F33S onsemi CNY17F33S -
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota CNY17 Corriente Continua 1 Transistor 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY17F33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 100% @ 10mA 200% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
HCPL0638R2 onsemi HCPL0638R2 3.7500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL0638 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 2.500 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
HCPL2601SV onsemi HCPL2601SV -
RFQ
ECAD 9996 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL26 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 10Mbps 50ns, 12ns 1.4V 50mera 2500 VRMS 1/0 5kV/µs 75ns, 75ns
MOCD223R1VM onsemi MOCD223R1VM -
RFQ
ECAD 2764 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mocd22 Corriente Continua 2 Darlington 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma 1 µs, 2 µs 30V 1.25V 60 Ma 2500 VRMS 500% @ 1MA - 3.5 µs, 95 µs 1V
CNY174W onsemi CNY174W -
RFQ
ECAD 1430 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY174 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNY174W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 1 µs, 2 µs 70V 1.35V 100 mA 5300 VRMS 160% @ 10mA 320% @ 10mA 2 µs, 3 µs 300mv
FODM8061V onsemi Fodm8061v 3.0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables Fodm80 Corriente Continua 1 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 3V ~ 5.5V 5-Mini-Flat descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 100 50 Ma 10Mbps 20ns, 10ns 1.45V 50mera 3750vrms 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
CNY172TVM onsemi CNY172TVM 0.7600
RFQ
ECAD 6855 0.00000000 onde - Una granela Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNY172 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado CNY172TVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 50mera 4 µs, 3.5 µs (MAX) 70V 1.35V 60 Ma 4170vrms 63% @ 10mA 125% @ 10mA 2 µs, 3 µs 400mv
HCPL2731M onsemi HCPL2731M 2.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onde - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) HCPL2731 Corriente Continua 2 Darlington 8 Dipp descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 60mera - 18V 1.3V 20 Ma 5000 VRMS 500% @ 1.6MA - - -
MOC8111M onsemi MOC8111M -
RFQ
ECAD 9705 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - 2 µs, 11 µs 70V 1.15V 90 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 3 µs, 18 µs 400mv
H11L3TM onsemi H11L3TM -
RFQ
ECAD 2877 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11L Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 3V ~ 15V 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 50 Ma 1MHz 100ns, 100ns 1.2V 30mera 4170vrms 1/0 - 4 µs, 4 µs
H11A3VM onsemi H11A3VM -
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 20% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
H11C33S onsemi H11C33S -
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota H11C Ur, vde 1 SCR 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
FOD852S onsemi FOD852S 1.2200
RFQ
ECAD 5174 0.00000000 onde - Tubo Activo -30 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FOD852 Corriente Continua 1 Darlington 4-SMD descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 96 150 Ma 100 µs, 20 µs 300V 1.2V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA 15000% @ 1MA - 1.2V
4N31SD onsemi 4N31SD -
RFQ
ECAD 5987 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N31 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 6-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 4N31SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 150 Ma - 30V 1.2V 80 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 5 µs, 40 µs (máx) 1.2V
FODM3063R1 onsemi FODM3063R1 -
RFQ
ECAD 6591 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM30 Cul, UL 1 Triac 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 1.5V (Máximo) 60 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 300 µA (topos) Si 600V/µs 5 mm -
MOC8112300W onsemi MOC8112300W -
RFQ
ECAD 1655 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) MOC811 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado MOC8112300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 - 3 µs, 14 µs 70V 1.15V 90 Ma 5300 VRMS 50% @ 10mA - 4.2 µs, 23 µs 400mv
FODM121BR1V onsemi FODM121BR1V -
RFQ
ECAD 8603 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota FODM12 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA - 400mv
CNX36U300W onsemi CNX36U300W -
RFQ
ECAD 1102 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNX36 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado CNX36U300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 100mA - 30V 1.15V 100 mA 5300 VRMS 80% @ 10mA 200% @ 10mA 20 µs, 20 µs 400mv
HMA121 onsemi HMA121 -
RFQ
ECAD 2224 0.00000000 onde - Caja Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota HMA121 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera 3 µs, 3 µs 80V 1.3V (Max) 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA - 400mv
H11C3300W onsemi H11C3300W -
RFQ
ECAD 4675 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm) H11C Ur, vde 1 SCR 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado H11C3300W-NDR EAR99 8541.49.8000 1,000 1.2V 60 Ma 5300 VRMS 200 V 300 mA - No 500V/µs 30mera -
HCPL2530SDV onsemi HCPL2530SDV -
RFQ
ECAD 2753 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SMD, Ala de Gaviota HCPL25 Corriente Continua 2 Transistor 8-SMD descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 8 MA - 20V 1.45V 25 Ma 2500 VRMS 7% @ 16MA 50% @ 16MA 450ns, 500ns -
HCPL0638R1 onsemi HCPL0638R1 -
RFQ
ECAD 6229 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) HCPL06 Corriente Continua 2 Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado 4.5V ~ 5.5V 8-Soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 500 15 Ma 10Mbps 17ns, 5ns 1.75V (Max) - 3750vrms 2/0 10 kV/µs 75ns, 75ns
H11A5VM onsemi H11A5VM -
RFQ
ECAD 8443 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) H11A Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 1,000 - - 30V 1.18V 60 Ma 7500vpk 30% @ 10mA - 2 µs, 2 µs 400mv
CNW4502300 onsemi CNW4502300 -
RFQ
ECAD 4788 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero 8-DIP (0.400 ", 10.16 mm) CNW45 Corriente Continua 1 Base de transistor 8 Dipp descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.49.8000 40 10 Ma - 20V - 100 mA 5000 VRMS 19% @ 16MA - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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