SIC
close

Aisladores (2050)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP360J(D4-CANO) Toshiba Semiconductor and Storage TLP360J (D4-Cano) -
RFQ
 ECAD 8335 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP360 CQC, CUL, UL, VDE 1 Triac 4 Dipp - 264-TLP360J (D4-Cano) EAR99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 600 V 100 mA 1mera No 500V/µs (topos) 10 Ma 30 µs
TLP127TPRUF Toshiba Semiconductor and Storage Tlp127tpruf -
RFQ
 ECAD 7557 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP127 Corriente Continua 1 Darlington 6-mfsop, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP525GF Toshiba Semiconductor and Storage TLP525GF 1.1600
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP525 Tu 1 Triac 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP525G (f) EAR99 8541.49.8000 100 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 400 V 100 mA 200 µA (typ) No 200V/µs 10 Ma -
TLP187(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP187 (TPL, E 1.0300
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP187 Corriente Continua 1 Darlington 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 150 Ma 40 µs, 15 µs 300V 1.25V 50 Ma 3750vrms 1000% @ 1MA - 50 µs, 15 µs 1.2V
TLP624-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP624-2 (f) -
RFQ
 ECAD 3253 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP624 Corriente Continua 2 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP719F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F (f) -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP719 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-sdip - 264-TLP719F (f) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - - 1.65V 25 Ma 5000 VRMS 20% @ 16MA - - -
TLP185(GRL-TL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRL-TL, SE 0.6000
RFQ
 ECAD 4835 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP121(BL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (BL-TPL, F) -
RFQ
 ECAD 1068 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (BL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP293-4(4LGBTRE Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4 (4LGBTRE 1.6300
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP181(GR,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP181 (GR, T) -
RFQ
 ECAD 1568 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP181 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2303(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (TPL, E 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2303 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera - 18V - 20 Ma 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP631(LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 (LF5, F) -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP631 - 1 (ilimitado) 264-TLP631 (LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP5702H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H (TP, E 1.7100
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP5702 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 15V ~ 30V 6-SO descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 - 37ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 1/0 50kV/µs 200ns, 200ns
TLP2531(TOSYK,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 (Tosyk, F) -
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) Corriente Continua 2 Base de transistor 8 Dipp descascar 264-TLP2531 (TOSYKF) EAR99 8541.49.8000 1 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 19% @ 16MA - - -
TLP626-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626-2 (f) -
RFQ
 ECAD 5043 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP626 AC, DC 2 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 50mera 8 µs, 8 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP591B(C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP591B (C, F) 3.2100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables TLP591 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-dip, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 24 µA - 7V 1.4V 50 Ma 2500 VRMS - - 200 µs, 3 ms -
TLP733(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 (D4-C172, F) -
RFQ
 ECAD 3338 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP733 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP733 (D4-C172F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 4000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J (E 0.8200
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP265 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 1.27V 50 Ma 3750vrms 600 V 70 Ma 1 ma (typ) No 500V/µs (topos) 10 Ma 20 µs
TLP185(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPR, SE 0.5900
RFQ
 ECAD 3461 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP292-4(V4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (V4-TP, E 1.7900
RFQ
 ECAD 1944 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP137(TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP137 (TPL, F) -
RFQ
 ECAD 4538 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP137 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP137 (TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 8 µs, 8 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 100% @ 1MA 1200% @ 1MA 10 µs, 8 µs 400mv
TLP504A-2(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A-2 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP504 Corriente Continua 4 Transistor 16 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 2500 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2403(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2403 (f) -
RFQ
 ECAD 3046 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2403 Corriente Continua 1 Base de conling de Darlington 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2403F EAR99 8541.49.8000 100 60mera - 18V 1.45V 20 Ma 3750vrms 500% @ 1.6MA - 300ns, 1 µs -
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362 (V4-TPL, E 1.0500
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C - - TLP2362 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V - descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10mbd 30ns, 30ns 1.55V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 100ns, 100ns
TLP292(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292 (E 0.5600
RFQ
 ECAD 8892 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 175 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP620-4(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP620-4 (GB, F) -
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP620 AC, DC 4 Transistor 16 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 25 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP550(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP550 (f) -
RFQ
 ECAD 6265 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP550 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 10% @ 16MA - 300ns, 1 µs -
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 (MAT, F) -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP552 - 1 (ilimitado) 264-TLP552 (MATF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP3073(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 (TP1, F 2.0100
RFQ
 ECAD 2537 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota TLP3073 CQC, CUR, UR 1 Triac 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 1.500 1.15V 50 Ma 5000 VRMS 800 V 100 mA 1 ma (typ) No 2kV/µs (topos) 5 mm -
TLP2958(D4-MBT1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2958 (D4-MBT1, F) -
RFQ
 ECAD 1956 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP2958 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 3V ~ 20V 8 Dipp descascar 264-TLP2958 (D4-MBT1F) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 15ns, 10ns 1.55V 25 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 250ns, 250ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

Lista de RFQ (0 elementos)
Lista de carritos (0 elementos)
WishlistLista de deseos (0 elementos)
SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

Compare la lista (0 elementos)
Presione Enter para buscar o ESC para cerrar