SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max)
TLP105(DHNS-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP105 (DHNS-TPL, F) -
RFQ
ECAD 3482 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP105 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 6-mfsop, 5 Plomo descascar 264-TLP105 (DHNS-TPLF) EAR99 8541.49.8000 1 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 20 Ma 3750vrms 1/0 10 kV/µs 250ns, 250ns
TLP9121A(NCNGBTL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9121A (NCNGBTL, F -
RFQ
ECAD 4176 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9121A (NCNGBTLF EAR99 8541.49.8000 1
TLX9175J(TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLX9175J (TPL, F 4.9500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLX9175 Corriente Continua 1 Mosfet 6-SOP descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 - - - 1.65V 25 Ma 3750vrms - - 200 µs, 200 µs -
TLP2160(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2160 (TP, F) -
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2160 Corriente Continua 2 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 10 Ma 20mbd 15ns, 15ns 1.55V 25 Ma 2500 VRMS 2/0 20kV/µs 40ns, 40ns
TLP701(MBS-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701 (MBS-TP, F) -
RFQ
ECAD 2243 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) TLP701 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 Ala de Gaviota de 6 SDIP descascar 264-TLP701 (MBS-TPF) EAR99 8541.49.8000 1 600 Ma, 600 Ma 600mA 50ns, 50ns 1.55V 20 Ma 5000 VRMS 10 kV/µs 700ns, 700ns - 10V ~ 30V
TLP126(ASAHID,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP126 (Asahid, f) -
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP126 - 1 (ilimitado) 264-TLP126 (Asahidf) EAR99 8541.49.8000 150
TLX9291(TOJGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 (TOJGBTLF (O -
RFQ
ECAD 9696 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLX9291 (TOJGBTLF (O EAR99 8541.49.8000 1
TLP3906(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3906 (E 1.9500
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP3906 Corriente Continua 1 Fotovoltaico 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 30 µA (typ) - 7V 1.65V 30 Ma 3750vrms - - 200 µs, 300 µs -
TLP184(GR-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GR-TPR, SE 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP184(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPR, E) -
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs TLP184 (GB-TPRE) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP185(YL-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (YL-TPR, SE -
RFQ
ECAD 3960 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP185 (YL-TPRSE EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP352F(D4-TP4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F (D4-TP4, S) -
RFQ
ECAD 6364 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tape & Reel (TR) Obsoleto TLP352F - 1 (ilimitado) 264-TLP352F (D4-TP4S) TR EAR99 8541.49.8000 1.500
TLP291(SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (SE 0.5900
RFQ
ECAD 8438 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) TLP291 (SE (T EAR99 8541.49.8000 175 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP531(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531 (LF1, F) -
RFQ
ECAD 3097 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (ilimitado) 264-TLP531 (LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2367(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2367 (E 2.5100
RFQ
ECAD 9738 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2367 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 50mbd 2ns, 1NS 1.6V 15 Ma 3750vrms 1/0 25kV/µs 20ns, 20ns
TLP3910(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 (E 3.3300
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP3910 Corriente Continua 2 Fotovoltaico 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP3910 (E EAR99 8541.49.8000 125 - - 24 V 3.3V 30 Ma 5000 VRMS - - 300 µs, 100 µs -
TLP290(GB-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (GB-TP, SE 0.5100
RFQ
ECAD 7115 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP290(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 (BL-TP, SE 0.5100
RFQ
ECAD 3927 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP290 AC, DC 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP292-4(LGBTR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (LGBTR, E 1.7900
RFQ
ECAD 7026 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 500 µA 600% @ 500 µA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP185(GB-TPR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GB-TPR, E) -
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 5 µs, 9 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 400% @ 5MA 9 µs, 9 µs 300mv
TLP131(GR-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 (GR-TPL, F) -
RFQ
ECAD 3379 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 5 cables TLP131 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-mfsop, 5 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP131 (GR-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2735(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2735 (E 1.8300
RFQ
ECAD 7103 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2735 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 9V ~ 15V 6-SO descascar 1 (ilimitado) 264-TLP2735 (E EAR99 8541.49.8000 125 20 Ma 10Mbps -, 4ns 1.61V 15 Ma 5000 VRMS 1/0 25kV/µs 100ns, 100ns
TLP291(GRL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (GRL-TP, SE 0.6000
RFQ
ECAD 1690 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP109(IGM-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (IGM-TPL, E 1.2600
RFQ
ECAD 4130 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 25% @ 10mA 75% @ 10mA 450ns, 450ns -
TLP184(TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (TPR, SE 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP9118(HITJ-TL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9118 (Hitj-TL, F) -
RFQ
ECAD 7220 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Una granela Obsoleto - 264-TLP9118 (hitj-tlf) EAR99 8541.49.8000 1
TLP385(BL-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (BL-TPR, E 0.5600
RFQ
ECAD 9723 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 200% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
4N26(SHORT-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N26 (Short-LF5, F) -
RFQ
ECAD 9927 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD, Ala de Gaviota 4N26 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SMD descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 4N26 (Short-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2 µs, 2 µs 30V 1.15V 80 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 500mv
TLP184(Y-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (Y-TPL, SE 0.4900
RFQ
ECAD 7881 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP559(IGM,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP559 (IGM, F) -
RFQ
ECAD 1752 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP559 Corriente Continua 1 Transistor 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 20V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 25% @ 10mA 75% @ 10mA 450ns, 450ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock