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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP385 (D4BL-TL, E | 0.5600 |  | 8553 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP266J (T7-TPL, E | 0.9000 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | TLP | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP266 | Cul, UL | 1 | Triac | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 30 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP293 (BL-TPL, E | 0.5100 | | 7531 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP627MF (D4-T4, E | 0.9200 | | 2046 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||||
| TLP630 (MBS-H, F) | - | | 5139 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP630 | AC, DC | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | 264-TLP630 (MBS-HF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | TLP781F (GB-TP7, F) | - | | 1387 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (GB-TP7F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP627MF (TP4, E | 0.3090 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1,000 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | ||||||||||||||||||||
| TLP785F (GB-LF7, F | - | | 8031 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GB-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP2367 (TPL, E | 0.9641 | | 4672 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2367 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2367 (tple | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 50mbd | 2ns, 1NS | 1.6V | 15 Ma | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 20ns, 20ns | |||||||||||||||||||
| TLP531 (GRL, F) | - | | 5523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (GRLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (LF7, F) | - | | 4839 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP2261 (D4-TP4, E | 1.2038 | | 9681 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | TLP2261 | Corriente Continua | 2 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 8-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | TLP2261 (D4-TP4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 Ma | 15mbd | 3ns, 3ns | 1.5V | 10 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | ||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4GR-TL, E | 0.5600 | | 4079 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP9121A (CK-GBTL, F | - | | 3632 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (CK-GBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5212 (TP, E | 5.4900 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5212 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2a, 2a | 2.5a | 57ns, 56ns | 1.67V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25kV/µs | 250ns, 250ns | 50ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||||
| TLP9121A (KBDGBTL, F | - | | 9340 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Una granela | Obsoleto | - | 264-TLP9121A (KBDGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F (D4GBT7, F | - | | 3830 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4GBT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP2363 (V4, E | 1.0300 | | 25 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2363 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 25 Ma | 10Mbps | 23ns, 7ns | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||
| TLP2367 (TPR, E | 2.5600 | | 21 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2367 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 50mbd | 2ns, 1NS | 1.6V | 15 Ma | 3750vrms | 1/0 | 25kV/µs | 20ns, 20ns | ||||||||||||||||||||
| TLP385 (D4GH-TR, E | 0.5600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP372 (f) | - | | 1179 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP372 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP372F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | |||||||||||||||||||
| TLP116A (TPL, E | 1.5200 | | 13 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP116 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 Ma | 20mbd | 15ns, 15ns | 1.58V | 20 Ma | 3750vrms | 1/0 | 10 kV/µs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||||||
| TLP715F (f) | - | | 4992 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP715 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 4.5V ~ 20V | 6-sdip | descascar | 264-TLP715F (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 Ma | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1.6V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 10 kV/µs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP3924 (TP15, F) | 4.0800 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 4-smd, planos de cables | TLP3924 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 4-ssop | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 4 µA | - | 30V | 1.3V | 30 Ma | 1500 VRMS | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
| TLP383 (E | - | | 7187 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP2662 (f) | 1.8400 | | 980 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP2662 | Corriente Continua | 2 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP2662F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 Ma | 10mbd | 12ns, 3ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 2/0 | 20kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||||
 | TLP126 (f) | - | | 6421 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP126 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 80V | 1.15V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP531 (HIT-L1, F | - | | 1481 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (HIT-L1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP759 (LF1, J, F) | - | | 6163 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | TLP759 (LF1JF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 MA | - | 20V | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20% @ 16MA | - | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||
 | TLP351A (f) | 1.6000 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP351 | Acoplamiento óptico | cur, ur, vde | 1 | 8 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 400 Ma, 400 Ma | 600mA | 50ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 350ns | 10V ~ 30V |
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