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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP185 (BLL-TL, SE | 0.6000 |  | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP3062A (LF1, F | 1.6100 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (5 cables), Ala de Gaviota | TLP3062 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 2kV/µs (topos) | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP163J (TPR, U, C, F) | - | | 5514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP163 | Tu | 1 | Triac | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 5A991 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 600 V | 70 Ma | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 10 Ma | 30 µs | ||||||||||||||||||||
 | TLP3032 (S, C, F) | - | | 4051 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3032 | Semko, tu | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP3032 (SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | 5000 VRMS | 250 V | 100 mA | - | Si | - | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||||
 | 4N26 (Corto, F) | - | | 5618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 4N26 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2 µs, 200 µs | 30V | 1.15V | 80 Ma | 2500 VRMS | 20% @ 10mA | - | - | 500mv | ||||||||||||||||||||
| TLP732 (D4-Gr-LF2, F | - | | 8903 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP732 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 4000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP385 (YH, E | 0.5500 | | 7800 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP385 (Yhe | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||
 | TLP2601 (TP1, F) | - | | 8708 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP2601 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista Abierto, Schottky Sujetado | 4.5V ~ 5.5V | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 25 Ma | 10mbd | 30ns, 30ns | 1.65V | 20 Ma | 2500 VRMS | 1/0 | 1kV/µs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
| TLP631 (f) | - | | 1006 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP631 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP291 (GB-TP, SE | 0.6000 | | 7914 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP385 (BLL-TPR, E | 0.5500 | | 5465 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP385 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 400% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP291 (GR-TP, SE | 0.6000 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP785 (GB-TP6, F | 0.6400 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP2309 (TPL, E) | 1.2700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2309 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 5 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | - | 20V | 1.55V | 25 Ma | 3750vrms | 15% @ 16MA | - | 1 µs, 1 µs (max) | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP627M (D4, E | 0.9200 | | 6486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP627M (D4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | ||||||||||||||||||||
| TLP3064 (D4TP1S, C, F | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3064 | cur, ur, vde | 1 | Triac | 6 DIP (Corte), 5 Plomo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 1.4V | 30 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 200V/µs | 3mera | - | ||||||||||||||||||||
| TLP291 (TP, SE | 0.6000 | | 1495 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP291 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP190B (TPR, U, C, F) | - | | 4583 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP190 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 12 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||||
 | TLP292-4 (LGBTP, E | 1.7900 | | 5371 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 500 µA | 600% @ 500 µA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP292-4 (GB-TP, E | 1.8100 | | 8927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP292 | AC, DC | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP332 (f) | - | | 5578 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP332 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 8 µs, 8 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 1MA | 1200% @ 1MA | 10 µs, 8 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (TPR, E | 1.6000 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP183 (GR-TPL, E | 0.5100 | | 9310 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP183 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP504A (GB, F) | - | | 7486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP504 | Corriente Continua | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 60 Ma | 2500 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | |||||||||||||||||||||
 | TLP3062A (F | 1.6100 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 5 cables | TLP3062 | CQC, CUR, UR | 1 | Triac | 6 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 600 µA (topos) | Si | 2kV/µs (topos) | 10 Ma | - | ||||||||||||||||||||
| TLP184 (GB-TPL, SE | 0.5100 | | 1662 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP184 | AC, DC | 1 | Transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP2704 (TP, E | 1.4600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP2704 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 4.5V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 15 Ma | - | - | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 400ns, 550ns | ||||||||||||||||||||
| TLP5701 (D4-TP, E | 1.2700 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5701 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 10V ~ 30V | 6-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 600 mA | - | 50ns, 50ns | 1.57V | 25 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||||||
 | TLP700A (TP, F) | - | | 3540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.268 ", 6.80 mm de ancho) | TLP700 | Acoplamiento óptico | cur, ur, vde | 1 | 6-sdip | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP700A (TPF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2a, 2a | 2.5a | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 200ns, 200ns | 50ns | 15V ~ 30V | |||||||||||||||||||
| TLP785F (D4, F | - | | 8684 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (D4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
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