SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Agencia de Aprobacia Número de Canales Tipo de Salida Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Corriente - Salida Alta, Baja Corriente - Salida / Canal Tasa de datos Corriente - Salida Máxima Tiempo de subida / Caída (typ) Voltaje - Salida (Max) Voltaje - Forward (VF) (Typ) Current - DC Forward (IF) (Max) Voltaje - Aislamiente Voltaje - Estado Fuera Current - on State (IT (RMS)) (Max) Current - Hold (IH) Entradas - Lado 1/Lado 2 MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) RetReso de Propagación tplh / tphl (max) Distorsión de Ancho de Pulso (Max) Voltaje - Suministro de Salida Relacion de Transferencia Real (Min) Relación de Transferencia Real (Max) Encender / apagar el tiempo (typ) Saturación de VCE (Max) Circuito de Cruce Cero DV/DT Estós (min) Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) Encender el tiempo
TLP627MF(D4-F4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627MF (D4-F4, E 0.9200
RFQ
ECAD 7685 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) TLP627 Corriente Continua 1 Darlington 4 Dipp descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 100 150 Ma 60 µs, 30 µs 300V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 1000% @ 1MA - 110 µs, 30 µs 1.2V
TLP118(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP118 (E 2.0200
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP118 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 4.5V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 25 Ma - 30ns, 30ns - 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP2303(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2303 (TPR, E 0.8300
RFQ
ECAD 3645 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2303 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 80mera - 18V - 20 Ma 3750vrms 500% @ 5MA - - -
TLP669LF(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP669LF (S, C, F) -
RFQ
ECAD 2653 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto - A Través del Aguetero 6-DIP (0.400 ", 10.16 mm), 5 cables TLP669 CSA, CUL, UL, VDE 1 Triac 6 Dipp descascar 264-TLP669LF (SCF) EAR99 8541.49.8000 1 - 5000 VRMS 800 V 100 mA - Si - 10 Ma -
TLP2761(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761 (E 1.1800
RFQ
ECAD 4693 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 125 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP352F(D4,S) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352F (D4, S) -
RFQ
ECAD 5032 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP352 - 1 (ilimitado) 264-TLP352F (D4S) EAR99 8541.49.8000 50
TLP2366(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2366 (V4-TPR, E 0.5069
RFQ
ECAD 9459 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2366 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP2366 (V4-TPRE EAR99 8541.49.8000 3.000 10 Ma 20mbd 15ns, 15ns 1.61V 25 Ma 3750vrms 1/0 20kV/µs 40ns, 40ns
TLP2309(TPL,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2309 (TPL, E) 1.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2309 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.55V 25 Ma 3750vrms 15% @ 16MA - 1 µs, 1 µs (max) -
TLP185(GR-TPL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GR-TPL, SE 0.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 300% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(D4-YH,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4-YH, E 0.5500
RFQ
ECAD 3567 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP385 (D4-Yhe EAR99 8541.49.8000 125 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 75% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP734F(D4-C174,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C174, F) -
RFQ
ECAD 1372 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP734 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP734F (D4-C174F) EAR99 8541.49.8000 1.500 50mera 2 µs, 3 µs 55V 1.15V 60 Ma 4000 VRMS 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP121(GRL-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 (GRL-TPL, F) -
RFQ
ECAD 8219 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota TLP121 Corriente Continua 1 Transistor 6-mfsop, 4 Plomo - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP121 (GRL-TPLF) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2468(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2468 (TP, F) -
RFQ
ECAD 5321 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2468 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 25 Ma 20mbd 30ns, 30ns 1.57V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 60ns, 60ns
TLP109(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP109 (TPL, E 1.3000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP109 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 5 Plomo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 8 MA - 20V 1.64V 20 Ma 3750vrms 20% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP352(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP352 (D4, F) 1.9900
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -40 ° C ~ 125 ° C A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP352 Acoplamiento óptico CSA, CUL, UL, VDE 1 8 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 2a, 2a 2.5a 15ns, 8ns 1.55V 20 Ma 3750vrms 20kV/µs 200ns, 200ns 50ns 15V ~ 30V
TLP512(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 (f) -
RFQ
ECAD 7043 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP512 Corriente Continua 1 Transistor 6 Dipp - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP512F EAR99 8541.49.8000 50 8 MA - 15V 1.65V 25 Ma 2500 VRMS 15% @ 16MA - 800ns, 800ns (Max) -
TLP291(TP,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 (TP, E) -
RFQ
ECAD 1575 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP291 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 4 µs, 7 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 400% @ 5MA 7 µs, 7 µs 300mv
TLP292-4(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP292-4 (TP, E 1.7900
RFQ
ECAD 2765 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP292 AC, DC 4 Transistor 16-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2,000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 50% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP185(GRL,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 (GRL, SE -
RFQ
ECAD 5327 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP185 Corriente Continua 1 Base de transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) TLP185 (Grlse EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP385(D4GB-TL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 (D4GB-TL, E 0.5500
RFQ
ECAD 3486 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP385 Corriente Continua 1 Transistor 6-so, 4 Plomo descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP2405(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2405 (TP, F) -
RFQ
ECAD 1280 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) TLP2405 Corriente Continua 1 Push-Pull, Tótem 4.5V ~ 20V 8-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 25 Ma 5Mbps 30ns, 30ns 1.57V 25 Ma 3750vrms 1/0 15kV/µs 250ns, 250ns
TLP293(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293 (GB-TPL, E 0.5100
RFQ
ECAD 1851 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 4-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) TLP293 Corriente Continua 1 Transistor 4-SO descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 2.500 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP183(Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 (Y-TPL, E 0.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP183 Corriente Continua 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 150% @ 5MA 150% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
TLP785(GRL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 (GRL, F 0.6600
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Activo -55 ° C ~ 110 ° C A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) TLP785 Corriente Continua 1 Transistor 4 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable TLP785 (GRLF EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2761F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2761F (f) -
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) TLP2761 AC, DC 1 Push-Pull, Tótem 2.7V ~ 5.5V 6-SO - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 50 10 Ma 15mbd 3ns, 3ns 1.5V 10 Ma 5000 VRMS 1/0 20kV/µs 80ns, 80ns
TLP781(GRL-LF6,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 (GRL-LF6, F) -
RFQ
ECAD 3582 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 4-SMD, Ala de Gaviota TLP781 Corriente Continua 1 Transistor 4-SMD descascar 1 (ilimitado) 264-TLP781 (GRL-LF6F) EAR99 8541.49.8000 100 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.15V 60 Ma 5000 VRMS 100% @ 5MA 200% @ 5MA 3 µs, 3 µs 400mv
TLP2363(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2363 (V4-TPR, E 1.0200
RFQ
ECAD 5481 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables TLP2363 Corriente Continua 1 Coleccionista abierto 2.7V ~ 5.5V 6-so, 5 Plomo descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 25 Ma 10Mbps 23ns, 7ns 1.5V 25 Ma 3750vrms 1/0 200kV/µs 80ns, 80ns
TLP632(GR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP632 (GR, F) -
RFQ
ECAD 5656 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento * Tubo Obsoleto TLP632 - 1 (ilimitado) 264-TLP632 (GRF) EAR99 8541.49.8000 50
4N25(SHORT,F) Toshiba Semiconductor and Storage 4N25 (Corto, F) -
RFQ
ECAD 4967 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 100 ° C A Través del Aguetero 6-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 4n25 Corriente Continua 1 Base de transistor 6 Dipp descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) 4n25shortft EAR99 8541.49.8000 50 100mA 2 µs, 200 µs 30V 1.15V 80 Ma 2500 VRMS 20% @ 10mA - - 500mv
TLP184(GB-TPR,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184 (GB-TPR, SE 0.5100
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 110 ° C Montaje en superficie 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables TLP184 AC, DC 1 Transistor 6-SOP descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.49.8000 3.000 50mera 2 µs, 3 µs 80V 1.25V 50 Ma 3750vrms 100% @ 5MA 600% @ 5MA 3 µs, 3 µs 300mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock