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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Current - Hold (IH) | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) | Circuito de Cruce Cero | DV/DT Estós (min) | Real - Disparador LED (IFT) (Máximo) | Encender el tiempo |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP127 (U, F) | - |  | 7414 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP127 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 6-mfsop, 4 Plomo | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (UF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 150 Ma | 40 µs, 15 µs | 300V | 1.15V | 50 Ma | 2500 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 50 µs, 15 µs | 1.2V | ||||||||||||||||||||
| TLP785 (Tels, F | - | | 7019 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (Telsf | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP2363 (TPL, E | 1.0200 | | 6657 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2363 | Corriente Continua | 1 | Coleccionista abierto | 2.7V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 Ma | 10Mbps | 23ns, 7ns | 1.5V | 25 Ma | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||||||||
 | TLP351H (TP1, F) | 1.6400 | | 1209 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP351 | Acoplamiento óptico | CQC, CUR, UR, VDE | 1 | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 400 Ma, 400 Ma | 600mA | 50ns, 50ns | 1.55V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 700ns, 700ns | 500ns | 10V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
 | TLP360J (Cano) | - | | 5866 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP360 | CQC, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 4 Dipp | - | 264-TLP360J (Cano) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 600 V | 100 mA | 1mera | No | 500V/µs (topos) | 10 Ma | 30 µs | |||||||||||||||||||||
| TLP785 (D4B-T6, F | - | | 2387 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4B-T6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP352 (D4-TP1, S) | - | | 7473 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP352 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP352 (D4-TP1S) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-2 (D4GB-T4, F | - | | 7252 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 2 | Transistor | 8 Dipp | descascar | 264-TLP620-2 (D4GB-T4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
| TLP759 (IGM-LF5, J, F | - | | 9136 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP759 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 8-SMD | descascar | 264-TLP759 (IGM-LF5JF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 MA | - | - | 1.65V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25% @ 10mA | 75% @ 10mA | - | - | |||||||||||||||||||||
 | TLP293-4 (GB-TP, E | 1.6000 | | 4016 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.179 ", 4.55 mm de ancho) | TLP293 | Corriente Continua | 4 | Transistor | 16-SO | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP734F (D4-LF4, M, F | - | | 1623 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP734F (D4-LF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP331 (BV-LF2, F) | - | | 6523 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP331 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP331 (BV-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (GR-LF4, F) | - | | 4249 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (GR-LF4F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP265J (V4T7TR, E (T | - | | 9072 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP265 | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP265J (V4T7Tre (TTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1.27V | 50 Ma | 3750vrms | 600 V | 70 Ma | 1mera | No | 500V/µs (topos) | 7 MMA | 100 µs | ||||||||||||||||||||
| TLP127 (f) | - | | 4433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP127 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP127 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP620-4 (GB-LF5, F) | - | | 6109 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AC, DC | 4 | Transistor | 16 Dipp | descascar | 264-TLP620-4 (GB-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 55V | 1.15V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||||
 | TLP785 (y, f) | 0.6400 | | 90 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
| TLP351 (D4, Z, F) | - | | 5056 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP351 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP351 (D4ZF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185 (Y, SE | - | | 5524 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP185 | Corriente Continua | 1 | Base de transistor | 6-SOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | TLP185 (YSE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 3750vrms | 50% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | |||||||||||||||||||
| TLP161J (T7TL, U, C, F | - | | 8555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (T7TLUCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781 (YH, F) | - | | 6831 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (YHF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP191B (U, C, F) | - | | 5785 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 80 ° C | Montaje en superficie | 6-SMD (4 cables), Ala de Gaviota | TLP191 | Corriente Continua | 1 | Fotovoltaico | 6-mfsop, 4 Plomo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 24 µA | - | 8V | 1.4V | 50 Ma | 2500 VRMS | - | - | 200 µs, 3 ms | - | ||||||||||||||||||||
| TLP5701 (D4-LF4, E | 1.3800 | | 8258 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5701 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP5701 (D4-LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 400 Ma, 400 Ma | 600mA | 50ns, 50ns | 1.57V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 350ns | 10V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
| TLP161J (DMT7TR, C, F | - | | 5836 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP161J | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP161J (DMT7TRCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP5222 (E | 7.0100 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5222 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP5222 (E | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 2a, 2a | 2.5a | 58ns, 57ns | 1.67V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25kV/µs | 250ns, 250ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||
| TLP5222 (D4-TP, E | 7.0100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5222 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 16-SO | descascar | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2a, 2a | 2.5a | 58ns, 57ns | 1.67V | 25 Ma | 5000 VRMS | 25kV/µs | 250ns, 250ns | 50ns | 15V ~ 30V | ||||||||||||||||||||||
 | TLP383 (GB, E | - | | 4061 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.173 ", 4.40 mm de ancho), 4 cables | TLP383 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 6-so, 4 Plomo | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP383 (GBE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 300mv | ||||||||||||||||||||
| TLP531 (Y-LF5, F) | - | | 4947 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (Y-LF5F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F (D4-GRL, E) | - | | 1801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-GRLE) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||||||||||
 | TLP358H (TP1, F) | - | | 5751 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 8-SMD, Ala de Gaviota | TLP358 | Acoplamiento óptico | Cul, UL | 1 | 8-SMD | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 5a, 5a | 6A | 17ns, 17ns | 1.57V | 20 Ma | 3750vrms | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 250ns | 15V ~ 30V |
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