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Aisladores (2050)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Agencia de Aprobacia | Número de Canales | Tipo de Salida | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Corriente - Salida Alta, Baja | Corriente - Salida / Canal | Tasa de datos | Corriente - Salida Máxima | Tiempo de subida / Caída (typ) | Voltaje - Salida (Max) | Voltaje - Forward (VF) (Typ) | Current - DC Forward (IF) (Max) | Voltaje - Aislamiente | Entradas - Lado 1/Lado 2 | MODO COMÚN INMUNIDAD TRANSITORIA (MIN) | RetReso de Propagación tplh / tphl (max) | Distorsión de Ancho de Pulso (Max) | Voltaje - Suministro de Salida | Relacion de Transferencia Real (Min) | Relación de Transferencia Real (Max) | Encender / apagar el tiempo (typ) | Saturación de VCE (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP160G (IFT5, U, F) | - |  | 6294 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP160G | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP160G (IFT5UF) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532 (BL-TLF1, F) | - | | 4937 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (BL-TLF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5702 (LF4, E | 1.5200 | | 5079 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5702 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 15V ~ 30V | 6-SO | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP5702 (LF4E | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | - | 15ns, 8ns | 1.55V | 20 Ma | 5000 VRMS | 1/0 | 20kV/µs | 200ns, 200ns | |||||||||||||
| TLP532 (BL-TP1, F) | - | | 8683 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP532 (BL-TP1F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP572 (f) | - | | 5833 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP572 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP572 (f) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5701 (D4-TP4, E | 1.3600 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | TLP5701 | Acoplamiento óptico | CQC, CSA, CUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 400 Ma, 400 Ma | 600mA | 50ns, 50ns | 1.57V | 25 Ma | 5000 VRMS | 20kV/µs | 500ns, 500ns | 350ns | 10V ~ 30V | |||||||||||||
| TLP550 (Sanyd-O, F) | - | | 6463 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (sanyd-de) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550 (TOJS-O, F) | - | | 3724 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP550 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP550 (TOJS-OF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP250F (D4-TP4, F) | - | | 2619 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | TLP250F | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP250F (D4-TP4F) TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP750 (D4-O-LF1, F) | - | | 2156 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP750 (D4-O-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP627M (TP5, E | 0.9300 | | 5883 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP627 | Corriente Continua | 1 | Darlington | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150 Ma | 60 µs, 30 µs | 300V | 1.25V | 50 Ma | 5000 VRMS | 1000% @ 1MA | - | 110 µs, 30 µs | 1.2V | |||||||||||||
| TLP627-2 (Sanyd, F) | - | | 2936 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP627 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP627-2 (sanydf) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531 (GR-LF2, F) | - | | 8920 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP531 (GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732 (LF2, F) | - | | 6302 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP732 (LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP523-2 (LF1, F) | - | | 2226 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | * | Tubo | Obsoleto | TLP523 | - | 1 (ilimitado) | 264-TLP523-2 (LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2372 (TPL, E | 1.9300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 6-soico (0.179 ", 4.55 mm de ancho), 5 cables | TLP2372 | Corriente Continua | 1 | Push-Pull, Tótem | 2.2V ~ 5.5V | 6-so, 5 Plomo | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 MA | 20Mbps | 2.2ns, 1.6ns | 1.53V | 8 MA | 3750vrms | 1/0 | 20kV/µs | 75ns, 75ns | |||||||||||||
 | TLP781F (D4-LF7, F) | - | | 6163 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-LF7F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781 (D4GRLL6TC, F | - | | 1217 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4GRLL6TCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP785F (GB, F | - | | 7295 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781F (D4GB-TP7, F | - | | 6460 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GB-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781F (D4GB-LF7, F | - | | 1224 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4GB-LF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP785F (GR-TP7, F | - | | 3565 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785F (GR-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781 (GRH-LF6, F) | - | | 8837 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (GRH-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 150% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781 (D4GRT6-FD, F | - | | 6625 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4GRT6-FDFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 300% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP785 (D4YH-F6, F | - | | 8254 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP785 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP785 (D4YH-F6F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 75% @ 5MA | 150% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781 (D4-GRL-TC, F | - | | 9803 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-GRL-TCF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 200% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781F (D4AdGBT7, F | - | | 4496 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4AdGBT7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2,000 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 100% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781 (BL-LF6, F) | - | | 8061 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (BL-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 200% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781 (D4-LF6, F) | - | | 4918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | TLP781 | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4-SMD | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781 (D4-LF6F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv | ||||||||||||
| TLP781F (D4-FUN, F) | - | | 1717 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 110 ° C | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.400 ", 10.16 mm) | TLP781F | Corriente Continua | 1 | Transistor | 4 Dipp | descascar | 1 (ilimitado) | 264-TLP781F (D4-FUNF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mera | 2 µs, 3 µs | 80V | 1.15V | 60 Ma | 5000 VRMS | 50% @ 5MA | 600% @ 5MA | 3 µs, 3 µs | 400mv |
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